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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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華為EUV光刻解決相干光無法勻光問題

該照明系統(tǒng)3包括視場(chǎng)復(fù)眼鏡31(field flyeye mirror，F(xiàn)FM)、光闌復(fù)眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror，PF...

2022-11-21 標(biāo)簽：照明系統(tǒng)光刻極紫外光刻 940 0

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限...

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關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹

EUV 超薄（≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚...

2023-11-06 標(biāo)簽：處理器 CMOS 存儲(chǔ)器 877 0

EUV光刻膠開發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)？

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減...

2023-09-11 標(biāo)簽：顯示器 car 半導(dǎo)體制造 836 0

氦質(zhì)譜檢漏儀 EUV ***檢漏

上海伯東客戶日本某生產(chǎn)半導(dǎo)體用光刻機(jī)公司, 光刻機(jī)真空度需要達(dá)到 1x10-11 pa 的超高真空, 因?yàn)樵O(shè)備整體較大, 需要對(duì)構(gòu)成光刻機(jī)的真空相關(guān)部件...

2023-06-02 標(biāo)簽：EUV EUV光刻機(jī)氦質(zhì)譜檢漏儀 834 0

高數(shù)值孔徑EUV光刻：引領(lǐng)下一代芯片制造的革命性技術(shù)

摩爾定律是指在給定面積的硅片上，晶體管的數(shù)量大約每?jī)赡攴环?，這種增益推動(dòng)了計(jì)算技術(shù)的發(fā)展。在過去半個(gè)世紀(jì)里，我們將該定律視為一種類似進(jìn)化或衰老的不可避...

2024-01-24 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管芯片制造 821 0

ChatGPT是怎么看EUV光刻的呢？

EUV光刻膠需要具有足夠的耐刻蝕性，以便在后續(xù)的刻蝕過程中保護(hù)圖案。為了提高耐刻蝕性，研究人員正在開發(fā)新型刻蝕抑制劑和交聯(lián)劑，以增強(qiáng)光刻膠的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

2023-05-08 標(biāo)簽：人工智能光刻技術(shù)EUV 766 0

光刻膠國內(nèi)市場(chǎng)及國產(chǎn)化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路 pcb 光刻技術(shù) 725 0

高數(shù)值孔徑EUV的技術(shù)要求是什么

今年的大部分討論都集中在 EUV 的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑 EUV 的時(shí)間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營銷高級(jí)總監(jiān)Michael Lercel表示，目...

2023-08-11 標(biāo)簽：EUV 光刻膠光刻設(shè)備 588 0

12納米后，DRAM怎么辦？

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對(duì)于 D12 節(jié)點(diǎn)，DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無...

2023-02-07 標(biāo)簽：電容器 DRAM 工藝 586 0

晶圓代工廠如何突破物理極限提升光刻技術(shù)？

EUV微影技術(shù)的落實(shí)延續(xù)了摩爾定律的壽命，這里的EUV指的其實(shí)是一種紫外光源，跟過去光刻技術(shù)所采用的光源比起來，EUV的波長(zhǎng)更短，因此有助于大幅提高分辨率。

2023-06-27 標(biāo)簽：摩爾定律晶圓代工光刻技術(shù) 563 0

極紫外光刻隨機(jī)效應(yīng)的表現(xiàn)及產(chǎn)生原因

　　極紫外光刻的制約因素　　耗電量高極紫外線波長(zhǎng)更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī)，250W的功...

2023-06-08 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 534 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的，這些機(jī)器將可變?cè)拗圃?45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標(biāo)簽：光刻 EUV 光刻膠 511 0

EUV光刻的作用和重要性分析

根據(jù)這些信息，我們可以嘗試提取和評(píng)估每季度的 EUV 晶圓產(chǎn)量。首先，由于有些季度沒有報(bào)告產(chǎn)出，我們將使用四次多項(xiàng)式擬合進(jìn)行插值。使用四次多項(xiàng)式作為最佳...

2023-07-24 標(biāo)簽：晶圓 EUV 409 0

清洗EUV掩膜版面臨哪些挑戰(zhàn)

本文簡(jiǎn)單介紹了極紫外光（EUV）掩膜版的相關(guān)知識(shí)，包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。

2024-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體清洗技術(shù)EUV 137 0

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