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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點(diǎn)推向下一個階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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淺談英特爾的SuperFin

英特爾自己的工程師說，即使他們自己有時也很難記住哪個+變體具有特定的更新，或者哪個產(chǎn)品建立在哪個+節(jié)點(diǎn)上，這個消息也許能讓你心情好上一些。

2020-09-02 標(biāo)簽：英特爾晶體管 EUV 4300 0

原子級工藝實(shí)現(xiàn)納米級圖形結(jié)構(gòu)的要求

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2020-06-02 標(biāo)簽：制造工藝 EUV 3d nand 2437 0

浸沒式光刻原理淺析

到2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵，而此前業(yè)界并沒有認(rèn)為浸入式技術(shù)有如此大的功效。

2019-08-08 標(biāo)簽：EUV 光刻膠 2.0萬 0

關(guān)于EUV光刻機(jī)的分析介紹

格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機(jī)，那么光刻的步驟將會超過100步，這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無疑是...

2019-09-03 標(biāo)簽：放大器等離子 EUV 1.4萬 0

助力高級光刻技術(shù)：存儲和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計尺寸不斷縮小的極限，極紫外（EUV）光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對于 7 納米及更小的高級節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻...

2019-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 EUV 2123 0

干貨！光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車間中車床的作用。在整個芯片制造工藝中，幾乎每個工藝的實(shí)施，都離不開光刻的技術(shù)。

2019-03-02 標(biāo)簽：光刻 EUV 1.2萬 0

淺析光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

光刻是集成電路最重要的加工工藝，他的作用，如同金工車間中車床的作用。在整個芯片制造工藝中，幾乎每個工藝的實(shí)施，都離不開光刻的技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)...

2019-02-25 標(biāo)簽：光刻 EUV 6270 0

光刻膠材料的制備和基本要素

光刻膠是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和...

2019-02-11 標(biāo)簽：euv 光刻膠 2.6萬 1

EUV曝光技術(shù)的未來藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野

技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展推動著半導(dǎo)體曝光技術(shù)解像度(Half Pitch)的發(fā)展，ArF液浸曝光技術(shù)和EUV曝光技術(shù)等的解像度(R)和曝光波長(λ)成正比，和光學(xué)...

2019-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV ASML 5203 0

芯片晶體管是實(shí)現(xiàn)技術(shù)詳解

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)毋庸置疑是近百年最為激動人心的領(lǐng)域，正是這無數(shù)的晶體管一代又一代的更新變革才有了近些年幾乎爆炸式的IT 技術(shù)進(jìn)步。

2018-12-03 標(biāo)簽：芯片晶體管 EUV 5279 0

講述EUV是什么？

為什么三星、臺積電、英特爾，這三家直接競爭對手企業(yè)爭相投資ASML？

2018-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 euv 1.5萬 0

極紫外光微影(EUV)技術(shù)據(jù)稱將在5納米(nm)節(jié)點(diǎn)時出現(xiàn)隨機(jī)缺陷

Borodovsky在采訪中表示，另一個可能導(dǎo)致5nm缺陷的因素是現(xiàn)有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外，他還表示支持直接電子束寫入，因為EUV使用的復(fù)...

2018-04-11 標(biāo)簽：英特爾臺積電 euv 1.2萬 0

極紫外（EUV）光刻新挑戰(zhàn) 光刻膠只是其一

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2018-03-27 標(biāo)簽：euv 光刻膠 1.1萬 0

面對EUV光刻技術(shù)，芯片制造商如何權(quán)衡復(fù)雜分類

除了阻抗，還有其他問題，即EUV光掩模基礎(chǔ)設(shè)施。光掩模是給定IC設(shè)計的主模板。面膜開發(fā)之后，它被運(yùn)到制造廠。將掩模放置在光刻工具中。該工具通過掩模投射光...

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光學(xué)光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)

對先進(jìn)光刻掩膜光衍射的精密EMF模擬已成為預(yù)知光刻模擬的必做工作。

2012-05-04 標(biāo)簽：晶圓光刻 EUV 7228 0

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