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      標簽　>　euv

      euv

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      EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了，EUV已經遇到了一些延遲，將技術從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術的技術應用，EUV光刻機的技術、市場問題，國產euv光刻機發(fā)展等內容。

      文章：593個 瀏覽：86065次 帖子：0個

      euv技術

      EUV光刻工藝制造技術主要有哪些難題？

      光掩模可以被認為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。

      2023-03-03 標簽：gpu晶體管光刻機 1833 0

      光刻機的工作原理和分類

      ? 本文介紹了光刻機在芯片制造中的角色和地位，并介紹了光刻機的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機：芯片制造的關鍵角色 ? ? 光刻機在芯片制造中占...

      2024-11-24 標簽：芯片制造光刻機EUV 1731 0

      Overlay如何與EUV圖案保持同步

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      套刻計量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時提供可接受的吞吐量，解決日益復雜的設備中的競爭要求。

      2023-07-10 標簽：內存光刻機器學習 1725 0

      什么是摩爾定律，“摩爾定律2.0”從2D微型化到3D堆疊

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      在3D實現方面，存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉而轉向存儲單元的三...

      2023-12-02 標簽：集成電路英特爾摩爾定律 1669 0

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      2023-05-19 標簽：晶體管納米光刻機 1643 0

      芯片背面供電網絡的三種實現方式通信

      實現3nm以下微縮的關鍵技術之一涉及在芯片背面提供功率。這種新穎的方法增強了信號完整性并減少了路由擁塞，但它也帶來了一些新的挑戰(zhàn)，目前還沒有簡單的解決方案。

      2022-11-25 標簽：晶體管光刻技術EUV 1633 0

      幾種新興存儲器的技術對比

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      根據存儲與計算的距離遠近，將廣義存算一體的技術方案分為三大類，分別是近存計算 (Processing Near Memory，PNM)、存內處理(Pro...

      2023-06-09 標簽：存儲器光刻機EUV 1538 0

      半導體工藝與制造裝備技術發(fā)展趨勢

      半導體工藝與制造裝備技術發(fā)展趨勢

      摘 要：針對半導體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術發(fā)展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路...

      2023-05-23 標簽：集成電路半導體工藝 1519 0

      華為EUV光刻新專利可解決相干光無法勻光問題

      該專利提供一種光刻裝置，該光刻裝置通過不斷改變相干光形成的干涉圖樣，使得照明視場在曝光時間內的累積光強均勻化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術...

      2022-11-23 標簽：華為光刻EUV 1461 0

      什么是納米壓印技術？能否取代***？

      納米壓印是微納工藝中最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌饪坦に嚕亲钣邢Ｍ〈鷺O紫外光的新一代工藝。最近，海力士公司從佳能購買了一套奈米壓印機，進行了大規(guī)模生產，并取...

      2023-11-08 標簽：芯片晶體管光刻機 1419 0

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      光刻掩膜版保護膜常見的類型有哪些？

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      2024-01-04 標簽：光刻EUV芯片制程 1288 0

      EUV光刻技術出現新的挑戰(zhàn)：3nm節(jié)點的金屬間距約為22nm

      22 nm 節(jié)距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級避免了遮擋可以安全使用，但填充的pupil不到 20%，這再次意味著額外的...

      2022-08-10 標簽：光刻機光刻技術EUV 1279 0

      一文看懂EUV光刻

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      極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復雜的技術。

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      單片設計每個晶圓有 30 個好的die，而小芯片 MCM 設計每個晶圓有 79 個好的die。假設所有有缺陷的die都必須扔進垃圾桶。如果沒有芯片良率收...

      2022-07-22 標簽：cpu晶圓光刻 1206 0

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      2024-02-21 標簽：光譜反射鏡鍍膜機 1192 0

      研究透視：當然之極Science-極紫外超透鏡

      超快光譜學和半導體光刻領域皆依賴于非常短的波長，往往在極紫外extreme ultraviolet，EUV波段。然而，大多數光學材料強烈地吸收該波長范圍...

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      EUV 的使用也對英特爾的產量產生了積極影響。盡管該公司沒有提供確切的數字，但步驟數量的減少減少了任何會在晶圓上引入缺陷的錯誤的機會。

      2022-08-11 標簽：英特爾EUV 1133 0

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      歐洲極紫外光刻（EUVL）技術利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產生這種光的主要來源是使用強大激光器產生的熱錫等離子體。激光參數被調整以產生大...

      2023-09-25 標簽：濾波器激光器光刻 1081 0

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      2022-09-21 標簽：光刻機EUV光刻膠 1063 0

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      采用曲線掩模的另一個挑戰(zhàn)是需要將兩個掩模縫合在一起以在晶圓上形成完整的圖像。對于高數值孔徑 EUV，半場掩模的拼接誤差是一個主要問題。

      2023-10-23 標簽：芯片人工智能EUV 966 0

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