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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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euv技術(shù)

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑...

2023-04-13 標(biāo)簽：DRAM IC制造 IMEC 1851 0

研究透視：當(dāng)然之極Science-極紫外超透鏡

超快光譜學(xué)和半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域皆依賴(lài)于非常短的波長(zhǎng)，往往在極紫外extreme ultraviolet，EUV波段。然而，大多數(shù)光學(xué)材料強(qiáng)烈地吸收該波長(zhǎng)范圍...

2023-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 EUV 1152 0

國(guó)產(chǎn)***EUV與DUV的分類(lèi)

DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithogr...

2023-03-20 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV DUV 1.3萬(wàn) 0

EUV光刻工藝制造技術(shù)主要有哪些難題？

光掩?？梢员徽J(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩?？梢晕栈蛏⑸涔庾?，或允許它們穿過(guò)晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。

2023-03-03 標(biāo)簽：gpu 晶體管光刻機(jī) 1833 0

12納米后，DRAM怎么辦？

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對(duì)于 D12 節(jié)點(diǎn)，DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無(wú)...

2023-02-07 標(biāo)簽：電容器 DRAM 工藝 586 0

淺談ASML EUV光刻機(jī)路線圖

目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小時(shí)曝光160片晶圓，年產(chǎn)量為140萬(wàn)片。

2022-12-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 3361 0

芯片背面供電網(wǎng)絡(luò)的三種實(shí)現(xiàn)方式通信

實(shí)現(xiàn)3nm以下微縮的關(guān)鍵技術(shù)之一涉及在芯片背面提供功率。這種新穎的方法增強(qiáng)了信號(hào)完整性并減少了路由擁塞，但它也帶來(lái)了一些新的挑戰(zhàn)，目前還沒(méi)有簡(jiǎn)單的解決方案。

2022-11-25 標(biāo)簽：晶體管光刻技術(shù)EUV 1631 0

華為EUV光刻新專(zhuān)利可解決相干光無(wú)法勻光問(wèn)題

該專(zhuān)利提供一種光刻裝置，該光刻裝置通過(guò)不斷改變相干光形成的干涉圖樣，使得照明視場(chǎng)在曝光時(shí)間內(nèi)的累積光強(qiáng)均勻化，從而達(dá)到勻光的目的，進(jìn)而也就解決了相關(guān)技術(shù)...

2022-11-23 標(biāo)簽：華為光刻 EUV 1461 0

華為EUV光刻解決相干光無(wú)法勻光問(wèn)題

該照明系統(tǒng)3包括視場(chǎng)復(fù)眼鏡31(field flyeye mirror，F(xiàn)FM)、光闌復(fù)眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror，PF...

2022-11-21 標(biāo)簽：照明系統(tǒng)光刻極紫外光刻 940 0

半導(dǎo)體光刻技術(shù)的起源與發(fā)展

光刻是半導(dǎo)體工業(yè)的核心技術(shù)。自1960年Fairchild Semiconductor的羅伯特·諾伊斯發(fā)明單片集成電路以來(lái)，光刻一直是主要的光刻技術(shù)。

2022-11-14 標(biāo)簽：CMOS Sti TEM 3290 0

深度解析EUV光刻工藝技術(shù)

光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門(mén)的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。

2022-10-18 標(biāo)簽：EUV 半導(dǎo)體工藝三星 5035 0

看一下EUV光刻的整個(gè)過(guò)程

EUV 光刻是以波長(zhǎng)為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是以極紫外光作“刀”，對(duì)芯片上的晶圓進(jìn)行雕刻，讓芯片上的電路變成人...

2022-10-10 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 5588 0

高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)的好處

隨著光刻膠層變得更薄，整體光刻膠的特性變得不那么重要，并且光刻膠（暴露與否）與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。

2022-09-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 光刻膠 1063 0

關(guān)于英特爾4處理節(jié)點(diǎn)技術(shù)詳解

EUV 的使用也對(duì)英特爾的產(chǎn)量產(chǎn)生了積極影響。盡管該公司沒(méi)有提供確切的數(shù)字，但步驟數(shù)量的減少減少了任何會(huì)在晶圓上引入缺陷的錯(cuò)誤的機(jī)會(huì)。

2022-08-11 標(biāo)簽：英特爾 EUV 1132 0

EUV光刻技術(shù)出現(xiàn)新的挑戰(zhàn)：3nm節(jié)點(diǎn)的金屬間距約為22nm

22 nm 節(jié)距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級(jí)避免了遮擋可以安全使用，但填充的pupil不到 20%，這再次意味著額外的...

2022-08-10 標(biāo)簽：光刻機(jī)光刻技術(shù)EUV 1276 0

芯片制造的光刻支出如何隨著各種節(jié)點(diǎn)縮小演變歷程

單片設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 30 個(gè)好的die，而小芯片 MCM 設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 79 個(gè)好的die。假設(shè)所有有缺陷的die都必須扔進(jìn)垃圾桶。如果沒(méi)有芯片良率收...

2022-07-22 標(biāo)簽：cpu 晶圓光刻 1206 0

淺談高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的好處

　在更高的孔徑下，光子以更淺的角度撞擊掩模，相對(duì)于圖案尺寸投射更長(zhǎng)的陰影?！昂诎怠?、完全被遮擋的區(qū)域和“明亮”、完全曝光的區(qū)域之間的邊界變?yōu)榛疑?，從而?..

2022-06-22 標(biāo)簽：英特爾 EUV 2562 0

如何加快5nm芯片良率，EUV光刻或是關(guān)鍵要素

先進(jìn) 5nm 器件或先進(jìn)封裝的良率提升需要識(shí)別和去除從光刻到封裝材料的關(guān)鍵缺陷，因此智能和快速的晶圓級(jí)檢測(cè)必不可少。

2022-05-07 標(biāo)簽：光刻 EUV 3290 0

高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖

探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EUV 3d nand 2810 0

全面描述SADP / SAQP流程的工作方式

作者： JAE UK LEE和IMEC RYOUNG-HAN KIM博士，DAVID ABERCROMBIE，REHAB KOTB ALI和MENTOR...

2021-04-11 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUV 3.1萬(wàn) 0

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