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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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euv技術(shù)

深度解析EUV光刻工藝技術(shù)

光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。

2022-10-18 標(biāo)簽：EUV 半導(dǎo)體工藝三星 5044 0

淺談?dòng)⑻貭柕腟uperFin

英特爾自己的工程師說，即使他們自己有時(shí)也很難記住哪個(gè)+變體具有特定的更新，或者哪個(gè)產(chǎn)品建立在哪個(gè)+節(jié)點(diǎn)上，這個(gè)消息也許能讓你心情好上一些。

2020-09-02 標(biāo)簽：英特爾晶體管 EUV 4300 0

ASML***發(fā)展歷程 ***核心系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試...

2023-06-15 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)EUV 4174 0

微納制造技術(shù)：定向自組裝（DSA）終于找到了立足點(diǎn)

英特爾的發(fā)言人表示，該公司目前正在尋求多種利用定向自組裝（DSA）的集成工藝流程?！拔覀?cè)?SPIE 等會(huì)議上公開討論過的一個(gè)工藝流程是使用 DSA 進(jìn)...

2023-08-22 標(biāo)簽：DSA 極紫外光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 4092 0

光刻機(jī)的基本原理和核心技術(shù)

雖然DUVL機(jī)器可以通過多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成...

2024-04-25 標(biāo)簽：光源晶體管光刻機(jī) 3627 0

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

在封裝史上，最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時(shí)起，更先進(jìn)的封裝形式（例如晶圓級(jí)扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進(jìn)式改進(jìn)。

2024-02-27 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計(jì)蝕刻 3578 0

淺談ASML EUV光刻機(jī)路線圖

目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小時(shí)曝光160片晶圓，年產(chǎn)量為140萬片。

2022-12-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 3361 0

半導(dǎo)體光刻技術(shù)的起源與發(fā)展

光刻是半導(dǎo)體工業(yè)的核心技術(shù)。自1960年Fairchild Semiconductor的羅伯特·諾伊斯發(fā)明單片集成電路以來，光刻一直是主要的光刻技術(shù)。

2022-11-14 標(biāo)簽：CMOS Sti TEM 3291 0

如何加快5nm芯片良率，EUV光刻或是關(guān)鍵要素

先進(jìn) 5nm 器件或先進(jìn)封裝的良率提升需要識(shí)別和去除從光刻到封裝材料的關(guān)鍵缺陷，因此智能和快速的晶圓級(jí)檢測(cè)必不可少。

2022-05-07 標(biāo)簽：光刻 EUV 3291 0

DUV與EUV***的芯片加工流程詳解

SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”，但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài)，電子團(tuán)在波蕩器里自由互相作用，最后發(fā)出強(qiáng)光完事。SSMB是讓電子束在...

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片芯片制造光刻 3094 0

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。

2023-05-18 標(biāo)簽：光刻人工智能 EUV 3032 0

高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖

探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EUV 3d nand 2810 0

什么是EUV光刻？EUV與DUV光刻的區(qū)別

EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計(jì)過程中的后續(xù)步驟。

2023-10-30 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)光刻 EUV 2794 0

淺談高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的好處

　在更高的孔徑下，光子以更淺的角度撞擊掩模，相對(duì)于圖案尺寸投射更長(zhǎng)的陰影?！昂诎怠薄⑼耆徽趽醯膮^(qū)域和“明亮”、完全曝光的區(qū)域之間的邊界變?yōu)榛疑瑥亩?..

2022-06-22 標(biāo)簽：英特爾 EUV 2562 0

一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測(cè)、補(bǔ)償

光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，...

2023-06-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)光刻技術(shù)EUV 2539 0

原子級(jí)工藝實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖形結(jié)構(gòu)的要求

技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對(duì)制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度，比30個(gè)硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納...

2020-06-02 標(biāo)簽：制造工藝 EUV 3d nand 2437 0

EUV光源四種產(chǎn)生方式及對(duì)比分析

隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步，光刻光源的曝光波長(zhǎng)已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長(zhǎng)為436nm、365nm （分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所...

2023-06-01 標(biāo)簽：集成電路光刻 EUV 2314 0

助力高級(jí)光刻技術(shù)：存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外（EUV）光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻...

2019-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 EUV 2123 0

照亮半導(dǎo)體創(chuàng)新之路

上海2024年9月5日?/美通社/ -- 全球半導(dǎo)體行業(yè)正處于爆炸性增長(zhǎng)的軌道上，預(yù)計(jì)到2030年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到驚人的1萬億美元（2023年超過5000...

2024-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器晶圓 1878 0

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑...

2023-04-13 標(biāo)簽：DRAM IC制造 IMEC 1853 0

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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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