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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術從一個節(jié)點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。
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本文簡單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關知識,包括其構造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關解決方案。
? 本文介紹了光刻機在芯片制造中的角色和地位,并介紹了光刻機的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機:芯片制造的關鍵角色 ? ? 光刻機在芯片制造中占...
光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展,每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...
高數(shù)值孔徑EUV光刻:引領下一代芯片制造的革命性技術
摩爾定律是指在給定面積的硅片上,晶體管的數(shù)量大約每兩年翻一番,這種增益推動了計算技術的發(fā)展。在過去半個世紀里,我們將該定律視為一種類似進化或衰老的不可避...
納米壓印是微納工藝中最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌饪坦に?,是最有希望取代極紫外光的新一代工藝。最近,海力士公司從佳能購買了一套奈米壓印機,進行了大規(guī)模生產(chǎn),并取...
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光,涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上,用于微芯片設計過程中的后續(xù)步驟。
歐洲極紫外光刻(EUVL)技術利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...
SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”,但是關鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài),電子團在波蕩器里自由互相作用,最后發(fā)出強光完事。SSMB是讓電子束在...
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