近期，后摩智能完成首款可商用的RRAM測(cè)試及應(yīng)用場(chǎng)景開(kāi)發(fā)，探測(cè)及證實(shí)了現(xiàn)有工業(yè)級(jí)的RRAM的技術(shù)邊界。后續(xù)將與車規(guī)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景結(jié)合，希望與伙伴共同打造新興...

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2022-12-15 標(biāo)簽：英飛凌存儲(chǔ)eFlash 1151 0

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2022-10-13 標(biāo)簽：微控制器 mcu eFlash 3169 0

華潤(rùn)微攜手銳成芯微推出創(chuàng)新型eFlash解決方案

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2020-05-29 標(biāo)簽：CMOS eFlash 華潤(rùn)微電子 4627 0

28nm節(jié)點(diǎn)可能是eFlash最后一個(gè)經(jīng)濟(jì)高效的節(jié)點(diǎn) 格芯欲用22FDXeMRAM技術(shù)取代

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2019-09-04 標(biāo)簽：eFlash MRAM 格芯 8208 0

聯(lián)華電子驗(yàn)證晶圓專工業(yè)界第一個(gè)12V eFlash解決方案

聯(lián)華電子宣佈，已順利驗(yàn)證晶圓專工業(yè)界第一個(gè)結(jié)合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程。此製程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅(qū)動(dòng)高壓，以及...

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英飛凌推出第一代65nm嵌入式快閃安全芯片

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快閃 (eFlash)安全芯片樣本，主要用于芯片卡與安全防護(hù)應(yīng)用。

2011-11-30 標(biāo)簽：英飛凌嵌入式 eFlash 1261 1

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