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標(biāo)簽 > eNVM
eNVM中文名稱非易失性存儲器,一般指非易失性內(nèi)存。非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。
eNVM中文名稱非易失性存儲器,一般指非易失性內(nèi)存。非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。
常見的非易失性存儲器有以下幾種:
1、可編程只讀內(nèi)存:PROM(Programmable read-only memory)
2、電可擦可編程只讀內(nèi)存:EEPROM(Electrically erasable programmable read only memory)
3、可擦可編程只讀內(nèi)存:EPROM(Erasable programmable read only memory)
4、電可改寫只讀內(nèi)存:EAROM(Electrically alterable read only memory)
5、閃存:Flash memory
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2020-08-17 標(biāo)簽:存儲器華虹半導(dǎo)體eNVM 2832 0
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