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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

可靠性測試中,如何減少HCI和電遷移的測試時間？

許多可靠性“磨損”測試監(jiān)測的是一個性能參數(shù)，該參數(shù)隨著對數(shù)變化的時間長度而穩(wěn)步下降。

2024-03-13 標(biāo)簽：DRAM NMOS 晶體管 2246 0

一文知道DRAM的組織方式

隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的...

2020-12-18 標(biāo)簽：DRAM 組織方式 2240 0

DRAM產(chǎn)品低功耗設(shè)計與演化

前期我們從工作電壓，頻率，容量等產(chǎn)品規(guī)格，prefetch/burst length內(nèi)部訪問方式的角度介紹了DDR3/DDR4/LPDDR4(X)的一些...

2023-06-01 標(biāo)簽：DRAM DDR3 接口 2238 0

淺析RAM存儲器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

在計算機中，CPU需要定期地從 RAM 存儲器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計算機應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計算機系統(tǒng)的需要。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 cpu 2198 0

FPGA與CPU之間是如何通信的？

馮氏結(jié)構(gòu)中使用內(nèi)存有兩種作用。一是保存狀態(tài)，二是在執(zhí)行單元間通信。由于內(nèi)存是共享的，就需要做訪問仲裁;為了利用訪問局部性，每個執(zhí)行單元有一個私有的緩存，...

2023-07-12 標(biāo)簽：fpga DRAM cpu 2192 0

淺析內(nèi)存基礎(chǔ)知識：易失性、非易失性和持久性

計算機、游戲機、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲器進行操作。設(shè)計人員需要了解易失性和非易失性存儲器件的各種選項，以優(yōu)...

2023-09-14 標(biāo)簽：處理器電容器 DRAM 2178 0

深入解析泛林集團Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術(shù)

沉積技術(shù)是推進存儲器件進步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn)，現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。

2021-02-22 標(biāo)簽：DRAM 3d nand 存儲器件 2171 0

基于CXL技術(shù)的大內(nèi)存池化方案解析

如果 FaceBoo k平臺創(chuàng)建的TPP協(xié)議是正確的，那么它將有一個不同的內(nèi)存分頁系統(tǒng)，可以更好地解決由于在服務(wù)器主板之外有大量池化內(nèi)存而帶來的稍高的延遲。

2022-10-20 標(biāo)簽：DRAM cpu 人工智能 2136 0

汽車存儲器的種類和功能是什么

汽車?yán)锩總€SoC和高端MCU都需要存儲器配合，用量最大的是座艙SoC和智能駕駛SoC，其次是T-Box和儀表，再次是網(wǎng)關(guān)和底盤。

2023-09-05 標(biāo)簽：mcu DRAM 存儲器 2101 0

DRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

今天我們來聊聊在計算機領(lǐng)域中非常關(guān)鍵的技術(shù)——DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。

2024-07-26 標(biāo)簽：DRAM 存儲器計算機 2060 0

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。

2023-03-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 sram 2059 0

基于VLT技術(shù)的新型DRAM詳解

OFweek垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨...

2018-06-07 標(biāo)簽：DRAM vlt 2046 0

改變未來的存儲技術(shù)的會不會是相變材料

存儲器是集成電路最重要的技術(shù)之一，是集成電路核心競爭力的重要體現(xiàn)。然而，我國作為IC產(chǎn)業(yè)最大的消費國，相較于國外三星、英特爾等大型半導(dǎo)體公司的存儲器技術(shù)...

2020-09-26 標(biāo)簽：DRAM Flash 存儲器 2042 0

存內(nèi)計算芯片的基石-存儲介質(zhì)匯總

作為新的計算架構(gòu)，存內(nèi)計算（Computing In Memory，CIM）被認(rèn)為是具有潛力的革命性技術(shù)。重點是將存儲與計算融合，有效克服馮·諾依曼架構(gòu)...

2024-05-16 標(biāo)簽：芯片 DRAM 存儲器 2027 0

關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點

通常我們將存儲容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。這個概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標(biāo)簽：放大器 DRAM 存儲器 2002 0

芯片制造的高互連線間距問題

IBM 和三星開發(fā)了一種釕和氣隙集成方案，解決了一個迫在眉睫的高互連線間距問題。

2023-04-25 標(biāo)簽：芯片 DRAM IBM 1960 0

非易失性存儲器是如何發(fā)展起來的？

DRAM屬于易失性存儲器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD...

2022-10-13 標(biāo)簽：DRAM SSD 易失性存儲器 1930 0

半導(dǎo)體工藝之金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會...

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SONY的堆疊式CMOS傳感器元件介紹

目前有多種基于 3D 堆疊方法, 主要包括: 芯片與芯片的堆疊( D2D) 、芯片與圓片的堆疊( D2W ) 以及圓片與圓片的堆疊( W2W) 。

2022-11-01 標(biāo)簽：DRAM 片上系統(tǒng)ISP 1915 0

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

DDR內(nèi)存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個時鐘周期內(nèi)，DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。

2024-04-27 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲器 1891 0

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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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東軟集團是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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