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標簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
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國產(chǎn)ARM + FPGA的SDIO通信開發(fā)介紹!
SDIO(Secure Digital lnput and Output),即安全數(shù)字輸入輸出接口。SDIO總線協(xié)議是由SD協(xié)議演化而來,它主要是對SD...
研華推出全新的超寬溫SQRAM DDR4 3200耐用型內(nèi)存解決方案
研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件,可以實時監(jiān)控DRAM,提供有用的信息,包括動態(tài)內(nèi)存速度、溫度和高級過熱警報,以告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)...
新能源汽車、5G、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對芯片性能的需求越來越高,采用先進封裝技術(shù)的 Chiplet 成為了芯片微縮化進程的“續(xù)命良藥”。
2023-06-14 標簽:DRAMDDR3可穿戴設(shè)備 689 0
本文介紹了動態(tài)隨機存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理,以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動態(tài)隨機存取器(Dynamic Ra...
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中HyperRAM的使用優(yōu)勢
根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動設(shè)備市場報告指出,包括NB-IoT和Cat-M在內(nèi)的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng) (Massive IoT) 將持續(xù)部署到...
2024-10-11 標簽:半導(dǎo)體DRAM物聯(lián)網(wǎng) 642 0
在數(shù)據(jù)中心和邊緣運行的技術(shù),如 AI 和視覺,具有與之相關(guān)的巨大內(nèi)存和計算要求
2023-07-07 標簽:DRAM存儲器嵌入式系統(tǒng) 632 0
當前的存儲器技術(shù),包括閃存(NAND 和 NOR)、DRAM 和 SRAM,在其持續(xù)改進方面面臨潛在的技術(shù)限制。因此,人們努力開發(fā)新的存儲技術(shù)。這些新技...
淺談人工智能/機器學(xué)習計算的內(nèi)存挑戰(zhàn)
CXL – CXL 提供了大幅擴展內(nèi)存容量和提高帶寬的機會,同時還從處理器中抽象出內(nèi)存類型。通過這種方式,CXL 為整合新的內(nèi)存技術(shù)提供了一個很好的接口...
SiCO薄膜在實踐中表現(xiàn)如何?低介電薄膜如何解決串擾、隔離問題
串擾問題自電子學(xué)早期就一直存在。幸運的是,我們有一個眾所周知的解決方式:隔離。在嘈雜的房間中,隔離需要在每個人的周圍都放置隔音板;而在集成電路上,通???..
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節(jié)點,DRAM 單元尺寸預(yù)計接近 0.0013 um2。無...
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小,工藝步驟差異變大,工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓...
分析師熱議美光并購恒憶案 美光(Micron)以12.7億美元總價并購恒憶(Numonyx),為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)版圖又創(chuàng)新局,究竟后續(xù)可能對市場影響為何,以下...
隨著數(shù)智時代的到來,智能設(shè)備的普及度越來越高,用戶受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風險和頻率也在不斷增加。然而,漏洞不只是存在于軟件中,硬件中也一樣存在。
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)...
威脅模型 數(shù)據(jù)生命周期管理(Data Lifecycle Management)通常將數(shù)據(jù)劃分為生產(chǎn)、存儲、使用、分享、銷毀、歸檔幾個階段。而從信息安全...
2023-11-29 標簽:DRAM數(shù)據(jù)Linux 492 0
“憑借先進的封裝技術(shù),一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM,”Lee 說?!暗窃?3 級之后,我們可以有 4 級,一個額外的緩存層嗎?根據(jù)工作負載...
三星電子因為晶圓代工廠規(guī)模小,所以租下了龐大的DRAM廠的一部分來練習EUV曝光30萬到40萬張,但似乎還不夠,7nm和5nm的良率也很低。更糟糕的是,...
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