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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動(dòng)電流的新方法,鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
談?wù)劗?dāng)靜態(tài)SRAM芯片存儲(chǔ)字節(jié)的過(guò)程是怎樣的
對(duì)于X86處理器,它通過(guò)地址總線發(fā)出一個(gè)具有22位二進(jìn)制數(shù)字的地址編碼--其中11位是行地址,11位是列地址,這是通過(guò)RAM地址接口進(jìn)行分離的。
DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn),接口都是異步的,其中輸入控制信號(hào)直接影響內(nèi)部功能。
2024-07-29 標(biāo)簽:DRAMSDRAM內(nèi)存控制器 832 0
按照數(shù)據(jù)關(guān)系劃分:Inclusive/exclusive Cache: 下級(jí)Cache包含上級(jí)的數(shù)據(jù)叫inclusive Cache。不包含叫exclu...
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí),3D DRAM開(kāi)發(fā)路線圖
目前,各大內(nèi)存芯片廠商,以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行3D DRAM的研發(fā)工作,并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。
離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用
在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 標(biāo)簽:CMOSMOSFET驅(qū)動(dòng)器 823 0
存儲(chǔ)系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)全解:存儲(chǔ)協(xié)議及關(guān)鍵技術(shù)
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DRAMNAND 795 0
JEDEC發(fā)布:GDDR7 DRAM新規(guī)范,專供顯卡與GPU使用
三星電子和SK海力士計(jì)劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM,這是用于圖形處理單元(GPU)的最新一代高性能內(nèi)存。
索尼近期傳出了申請(qǐng)新型控制器的專利,專利名為「Controller having lights disposed along a loop of the...
在數(shù)字時(shí)代,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)扮演著至關(guān)重要的角色。它們存儲(chǔ)著我們的數(shù)據(jù),也承載著我們的記憶。然而,要正確地操作DRAM并確保其高效運(yùn)行,了...
現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)體系架構(gòu)中通常采用層級(jí)緩存來(lái)彌補(bǔ)外存和內(nèi)存之間的性能差距。但是,層緩存都有極限帶寬和有限的命中率,在層級(jí)緩存下數(shù)據(jù)需要頻繁的在各個(gè)層級(jí)緩存之...
結(jié)合卷積層來(lái)創(chuàng)建一個(gè)完整的推理函數(shù)
首先輸入一張1x28x28的圖片,然后兩次通過(guò)Conv2d -> ReLU -> MaxPool2d提取特征,最后轉(zhuǎn)為linear,>...
先進(jìn)封裝技術(shù)中最常見(jiàn)的10個(gè)術(shù)語(yǔ)介紹
將大型SoC分解為較小的小芯片,與單顆裸晶相比具有更高的良率和更低的成本。Chiplet使設(shè)計(jì)人員可以充分利用各種IP,而不用考慮采用何種工藝節(jié)點(diǎn),以及...
SPARC:用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
芯片已經(jīng)無(wú)處不在:從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器,所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。
如何辨別SRAM是否屬于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器呢
SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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