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dram

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))

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dram技術(shù)

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2023-11-22 標(biāo)簽:DRAMSRAM數(shù)據(jù)中心 1025 0

以更低的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)更高的移動存儲性能

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以更低的成本獲得更高的存儲性能可能會在存儲設(shè)備的設(shè)計(jì)中造成瓶頸。為了實(shí)現(xiàn)更高的性能,設(shè)備必須使用片上DRAM,這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴(kuò)展(UM...

2023-05-26 標(biāo)簽:DRAMNAND存儲器 1024 0

如何選擇DRAM?深入了解內(nèi)存的使用方式及連接方式

DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分,盡管多年來一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它,甚至將其嵌入到 SoC 中。

2023-02-06 標(biāo)簽:DRAM存儲器人工智能 1022 0

存儲器層次結(jié)構(gòu)如何解釋?

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存儲器層次結(jié)構(gòu)可以從圖片中清晰的看出來,圖片中共分為六級,越向上的層次,存儲器速度越快,容量更小,造價(jià)越高。

2024-02-19 標(biāo)簽:DRAM存儲器cpu 1019 0

不同的存儲器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲器技術(shù)

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存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) ...

2023-08-17 標(biāo)簽:DRAM存儲器DDR 1015 0

升級版PCIe 5.0 SSD深度評測解析

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為了提升SSD的性能,HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨(dú)立緩存設(shè)計(jì)。本次測試的2TB產(chǎn)品配備了多達(dá)4GB獨(dú)立緩存(編號為H...

2023-09-12 標(biāo)簽:DRAMPWM散熱器 1001 0

服務(wù)器架構(gòu):內(nèi)存接口及互連芯片

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由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證,還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān),從 DDR4 世代開始,全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Ram...

2024-01-02 標(biāo)簽:DRAMcpu服務(wù)器 972 0

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PHY 是一種物理網(wǎng)絡(luò)傳輸設(shè)備,它將交換芯片、網(wǎng)絡(luò)接口或計(jì)算引擎上或內(nèi)部的任何數(shù)量的其他類型的接口鏈接到物理介質(zhì)(銅線、光纖、無線電信號),而物理介質(zhì)又...

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經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝,晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容(Capacitor);

2023-04-28 標(biāo)簽:DRAM晶圓晶體管 965 0

熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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  熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性...

2022-07-12 標(biāo)簽:pcb嵌入式DRAM 954 0

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DRAM控制器由80C186XL狀態(tài)信號S2、S1和S0的解碼來檢測總線的開始、類型和結(jié)束。這些狀態(tài)線是在CLKOUT的上升沿開始有效,在CLKOUT的...

2018-08-12 標(biāo)簽:cpld嵌入式dram 941 0

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掃地機(jī)器人大概可以分為以下核心部分:主要包含主控芯片、傳感器芯片、電源管理芯片、WiFi芯片、存儲芯片和視覺芯片等。

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2023-11-27 標(biāo)簽:集成電路CMOSDRAM 901 0

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CXL 增加了芯片內(nèi)部的技術(shù)復(fù)雜性,這需要集成電路(IC)和復(fù)雜的片上系統(tǒng)(SoC)專業(yè)知識來設(shè)計(jì)、開發(fā)和執(zhí)行復(fù)雜的 SoC。在 CXL 存儲器解決方案...

2023-08-24 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存接口芯片 893 0

AMD可以把內(nèi)存堆在CPU上嗎?

先進(jìn)制程工藝進(jìn)度緩慢的情況下,多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢,各家不斷玩出新花樣。

2023-02-23 標(biāo)簽:amd半導(dǎo)體DRAM 882 0

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通過多級存儲器的設(shè)計(jì),存儲器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度,而輔助存儲器則提供了大量的...

2024-02-19 標(biāo)簽:DRAM寄存器存儲器 877 0

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在過去的十年中,GDDR5已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),并在所有面向圖形的技術(shù)中占據(jù)重要地位。GDDR5 專注于使用更多功率來實(shí)現(xiàn)更高的時(shí)鐘速度。GDDR5 芯片以單...

2023-05-26 標(biāo)簽:芯片DRAM接口 875 0

基于DDRAM控制IP的I/O設(shè)計(jì)方案

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為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度,對于各種應(yīng)用,如圖像數(shù)據(jù)偵錯(cuò)、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等,可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Da...

2020-07-02 標(biāo)簽:輸入輸出DRAM數(shù)據(jù)處理 874 0

一種可提升DRAM單元訪問速度的新技術(shù)探索與研究

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本文作者曾經(jīng)為計(jì)算機(jī)主板制造公司撰寫關(guān)于自動超頻(overclock)的BIOS,發(fā)現(xiàn)微處理器由于受限于主存儲器的性能而必須降低頻率頻率來維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)...

2018-02-02 標(biāo)簽:dram 872 0

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

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2023-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM晶圓 867 0

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    北京時(shí)間2015年9月10日,美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s[1] 。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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無刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
直流電機(jī) PID MOSFET 傳感器 人工智能 物聯(lián)網(wǎng) NXP 賽靈思
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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