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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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存儲器的刷新是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲元中的柵極電容來存儲電荷,而電容本身存在漏電流,導(dǎo)致電荷會逐...
二維 (2D) 設(shè)計規(guī)則檢查 (DRC) 已不足以用來規(guī)范設(shè)計以達(dá)成特定性能和良率目標(biāo)的要求。同時完全依賴實驗設(shè)計 (DOE) 來進(jìn)行工藝表征和優(yōu)化也變...
磁性隧道結(jié)(MTJ)通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽(MgO 或Al2O3)層組成的,它可以實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...
DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)在計算機(jī)系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它是一種半導(dǎo)體存儲器,用于存...
美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺認(rèn)證
美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。 美光科技宣布,其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...
HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲新紀(jì)元
HBM制造集成前道工藝與先進(jìn)封裝,TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM,以及每層TSV DRAM之間的連接方式。
VLT技術(shù)可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局
Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù),簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopa...
我們花了十多次的篇幅,說明了常用的交換式電源的原理。從可以升壓的 boost converter 開始,到降壓用的 buck converter,我們用...
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
單片機(jī)解密為什么是撬開芯片國產(chǎn)化的第一步呢
芯片國產(chǎn)化是中國在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實踐領(lǐng)域之一,作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),半導(dǎo)體集成電路持續(xù)得到國家政策的扶持。
萬物智聯(lián)時代的到來,大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計算 (Edge Computing)等巨量運算架構(gòu)的應(yīng)用需求。但是傳統(tǒng)存儲器均在耗電量、數(shù)據(jù)訪...
CXL是一個全新的得到業(yè)界認(rèn)同的互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),其正帶著服務(wù)器架構(gòu)迎來革命性的轉(zhuǎn)變。
NVIDIA首席科學(xué)家Bill Dally:深度學(xué)習(xí)硬件趨勢
Bill Dally于2009年1月加入NVIDIA擔(dān)任首席科學(xué)家,此前在斯坦福大學(xué)任職12年,擔(dān)任計算機(jī)科學(xué)系主任。Dally及其斯坦福團(tuán)隊開發(fā)了系統(tǒng)...
2024-02-25 標(biāo)簽:DRAM寄存器深度學(xué)習(xí) 1219 0
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是異步接口,這樣...
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