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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

新興存儲將改變行業(yè)，對不同新興存儲的看法

當前的存儲器技術(shù)，包括閃存（NAND 和 NOR）、DRAM 和 SRAM，在其持續(xù)改進方面面臨潛在的技術(shù)限制。因此，人們努力開發(fā)新的存儲技術(shù)。這些新技...

2022-09-14 標簽：DRAM 存儲器 RAM 652 0

對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的...

2022-08-01 標簽：DRAM 3D 晶體管 1205 0

DRAM技術(shù)之Memory Controller

Memory Controller簡單來說是一個小部件，它支持Host的特定請求，并對內(nèi)存設備進行管理約束。從而為host和memory提供正確的功能和...

2022-07-14 標簽：DRAM Host 4840 0

近存處理器存內(nèi)處理芯片設計方案

Top-k引擎又稱排序引擎，基本邏輯結(jié)構(gòu)為一個2叉樹的max-heap硬件模塊，其中由1000個節(jié)點組成，對應召回階段最短的1000距離值。

2022-07-13 標簽：處理器 DRAM cpu 3939 0

熱概念增強DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設計

　　熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設計師和內(nèi)存子系統(tǒng)設計師之間的設計動態(tài)也在不斷發(fā)展，并可能影響為耐用性...

2022-07-12 標簽：pcb 嵌入式 DRAM 991 0

一文解析四種機制的1T-DRAM技術(shù)

隧穿電流的機理圖如圖七所示，EVB和HVB分別代表的是來自N+多晶硅柵到硅襯底的電子隧穿電流和硅襯底價帶到P+多晶硅柵的空穴隧穿電流。

2022-07-11 標簽：DRAM sram 6364 0

SAP HANA如何使用非易失性內(nèi)存

由于HANA一體機的特點，使用最新的NVM內(nèi)存需要的是整個軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA數(shù)據(jù)庫（HANA2 SPS03）已經(jīng)實現(xiàn)了對NVM的...

2022-06-10 標簽：處理器 DRAM NAND 2804 0

SAP HANA 和非易失性存儲優(yōu)勢分析

SAP HANA 也對介質(zhì)的特點做了仔細的考量，結(jié)合 Main 內(nèi)存的訪問特點（例如容量大、讀多寫少等），很自然的，先把 DCPMM 當做字節(jié)尋址的持...

2022-06-10 標簽：DRAM 非易失性存儲器 5651 0

基于憶耦器實現(xiàn)非易失性邏輯門NOR

憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。憶耦器的基本特征是其表現(xiàn)出非線性電荷-磁通回滯曲線。

2022-06-10 標簽：DRAM 摩爾定律憶阻器 5708 0

相比PCRAM、eMVM，MRAM有何優(yōu)勢

　雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級特征，但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個人提供了自己的一系列...

2022-06-10 標簽：DRAM NAND 存儲器 3174 0

存儲前景未來可期 NAND Flash何去何從？

　中國存儲器的努力已縮小到兩個最有前途的參與者，即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的長鑫存儲技術(shù) （CXMT），它們得到了蓬勃發(fā)展的半導體生態(tài)系...

2022-05-10 標簽：DRAM 存儲器 3909 0

DRAM命令到底是什么

本文將仔細研究用于控制和與 DRAM 交互的命令。

2022-04-28 標簽：DRAM 控制內(nèi)存控制器 3906 0

半導體存儲器的發(fā)展歷程與當前挑戰(zhàn)

計算機內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比，DRAM的存儲密度更高，而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類半導體存儲器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。

2021-10-13 標簽：DRAM sram 半導體存儲器 4036 0

FPGA中ROM與RAM相關(guān)知識匯總

一、基本概念最熟悉的兩個詞語應該是RAM與ROM，RAM（Random Access Memory）的全名為隨機存取記憶體，它相當于PC機上的移動存儲...

2021-09-08 標簽：fpga DRAM ROM 8377 0

IP新銳芯耀輝多點破局DDR PHY技術(shù)瓶頸

DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁，它負責把內(nèi)存控制器發(fā)過來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號，并發(fā)送到DRAM。

2021-04-20 標簽：DRAM DDR PHY 4944 0

深入解析泛林集團Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術(shù)

沉積技術(shù)是推進存儲器件進步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn)，現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。

2021-02-22 標簽：DRAM 3d nand 存儲器件 2217 0

DRAM的架構(gòu)/標準/特點/未來展望

這些年來，記憶體領域出現(xiàn)了各種動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM）標準，這些標準也都各自進一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色，點出這些...

2021-01-22 標簽：處理器 DRAM 5751 1

一文知道DRAM的組織方式

隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的...

2020-12-18 標簽：DRAM 組織方式 2291 0

只讀存儲器有哪些類型及相變存儲器的詳細介紹

對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內(nèi)就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命...

2020-12-06 標簽：DRAM 存儲器 EEPROM 8445 0

DRAM的發(fā)展史及結(jié)構(gòu)解析

開始導入DRAM運作頻率和CPU的總線頻率同步。所以稱為同步DRAM.同步控制的技術(shù)使得CPU和內(nèi)存的Timingcycle同步，計算機的整體效率亦大幅...

2020-11-27 標簽：DRAM 接口 8516 0

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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標準采納為國際標準“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標準。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動設備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍牙（BLE）通信功能的設備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應用軟件會根據(jù)該ID采取一些行動。
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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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東軟集團是中國領先的IT解決方案與服務供應商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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