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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑...

2023-04-13 標簽：DRAM IC制造 IMEC 1876 0

SF-EP1C學習板：基于SDRAM讀寫的串口調(diào)試實驗

通常DRAM是有一個異步接口的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。而SDRAM有一個同步接口，在響應控制輸入前會等待一個時鐘信號，這樣就能和計算機的系統(tǒng)...

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服務器RAM模塊-可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要

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隨著當今數(shù)據(jù)迅速增長，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計算性能進一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計算（IMC）和近存計算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著...

2024-05-16 標簽：DRAM AI 憶阻器 1806 0

什么是車規(guī)級芯片 MCU芯片種類都有哪些

AEC－Q系列認證是公認的車規(guī)元器件的通用測試標準。IC設(shè)計企業(yè)想要進入汽車電子領(lǐng)域，進入汽車電子零部件供應鏈，AEC－Q系列是必須獲得的認證之一。

2024-02-25 標簽：集成電路 DRAM 通信芯片 1795 0

讓你徹底看懂LCD屏的控制原理！

這可能是最古老、最簡單的液晶屏了，型號是1602A，它是上世紀80的產(chǎn)物，但是直到現(xiàn)在它還是非常受歡迎，在很多設(shè)備上都可以看到它的身影。

2023-07-18 標簽：微控制器 DRAM 液晶屏 1774 0

存儲器的分類及其區(qū)別

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2023-09-15 標簽：DRAM FlaSh 存儲器 1740 0

存算一體架構(gòu)的優(yōu)勢及分類

存內(nèi)計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術(shù)。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新，讓存儲器本身就具有計算能力。

2024-04-09 標簽：芯片 DRAM 邏輯電路 1719 0

動態(tài)隨機存儲器的定義和工作原理

動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory，簡稱DRAM）是一種半導體存儲器，它利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表二進制數(shù)據(jù)中...

2024-09-26 標簽：DRAM 存儲器計算機 1700 0

超高速存儲器測試的KGD解決方案

　與隨著DRAM和高帶寬存儲器（HBM）本機速度能力的提高，最新的內(nèi)存正在超過2 GHz（4 Gbps），這就對現(xiàn)有的ATE測試器提出了更高的限制。

2023-05-19 標簽：DRAM 存儲器測試器 1664 0

關(guān)于FPGA上HBM 425GB/s內(nèi)存帶寬的實測

在FPGA上對傳統(tǒng)內(nèi)存進行基準測試。先前的工作[20]，[22]，[23]，[47]試圖通過使用高級語言（例如OpenCL）在FPGA上對傳統(tǒng)存儲器（例...

2022-12-19 標簽：fpga DRAM 存儲器 1612 0

關(guān)于半導體價值鏈分析（設(shè)計、制造和后制造）

半導體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠端制程。

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非易失性半導體存儲器的相變機制

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關(guān)于內(nèi)存的基本知識

內(nèi)存電路結(jié)構(gòu)** 首先，從電路結(jié)構(gòu)上看來，內(nèi)存分為DRAM和SRAM，DRAM由線陣列MOS管和電容組成

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為什么有的芯片是引腳封裝，而手機芯片則是用的底部BGA球珊封裝？

所謂的芯片，其實只有中間很小的一部分，仔細看它的結(jié)構(gòu)，芯片是正面朝上，內(nèi)部的電路會連接到四周的凸塊。

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什么原因會影響TSV的可靠性呢？

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2023-07-21 標簽：pcb DRAM HDI 1510 0

DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization

隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的...

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動態(tài)時鐘停止重啟太快，可通過編程LPDDR2控制器解決

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2023-11-14 標簽：PCM DRAM 存儲器 1476 0

淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

2023-01-09 標簽：電容器 DRAM 光刻膠 1460 0

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