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標(biāo)簽 > dram控制器
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內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
TEE、TrustZone和TEEGRIS基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)析
可信執(zhí)行環(huán)境是為了在 **執(zhí)行對(duì)敏感任務(wù)** (例如:付款、用戶身份驗(yàn)證、用戶數(shù)據(jù)保護(hù))時(shí)提供安全的環(huán)境。
跨時(shí)鐘域是如何產(chǎn)生的呢?現(xiàn)在的芯片(比如SOC,片上系統(tǒng))集成度和復(fù)雜度越來(lái)越高,通常一顆芯片上會(huì)有許多不同的信號(hào)工作在不同的時(shí)鐘頻率下。
2023-06-27 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)SoC系統(tǒng)同步器 1601 0
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾曾預(yù)言,芯片上的晶體管數(shù)量每隔一到兩年就會(huì)增加一倍。由于圖案微型化技術(shù)的發(fā)展,這一預(yù)測(cè)被稱為摩爾定律,直到最近才得以實(shí)現(xiàn)。
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