DRAM

dram知識

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  DRAM基本單元最為通俗易懂的圖文解說

  本文要點提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲；? ? ? ? ? 2. 揭秘

  2025-03-04 標(biāo)簽： DRAM 存儲單元 sram 449 0

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  存儲器工藝概覽:常見類型介紹

  ? 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計算機、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計

  2025-02-14 標(biāo)簽： CMOS DRAM 存儲器 375 0

• Kioxia開源發(fā)布AiSAQ?技術(shù)，降低生成式AI的DRAM需求

  全球領(lǐng)先的內(nèi)存解決方案提供商Kioxia Corporation近日宣布了一項重大舉措：以開源軟件的形式發(fā)布其創(chuàng)新的全存

  2025-02-10 標(biāo)簽： DRAM AI 人工智能 437 0

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  存儲器的分類及其區(qū)別

  初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。

  2025-02-08 標(biāo)簽： DRAM SDRAM 存儲器 2111 0

• DRAM與NAND閃存市場表現(xiàn)分化

  近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)

  2025-02-07 標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存 NAND閃存 460 0

• DRAM與NAND閃存市場低迷，DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)下滑

  近日，據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢

  2025-02-06 標(biāo)簽： 閃存 DRAM NAND 336 0

• 三星電子否認1b DRAM重新設(shè)計報道

  據(jù)報道，三星電子已正式否認了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星

  2025-01-23 標(biāo)簽： DRAM 三星電子 內(nèi)存 388 0

• 三星否認重新設(shè)計1b DRAM

  據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNe

  2025-01-23 標(biāo)簽： DRAM 三星 794 0

• 三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

  據(jù)韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程

  2025-01-22 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 DRAM 制程技術(shù) 430 0

• 三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

  近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。

  2025-01-22 標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存 三星 575 0

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