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標(biāo)簽 > DDR3
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式,ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能,新增這個(gè)線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時(shí)脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時(shí)脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化,可以說在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時(shí)讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時(shí)脈過高導(dǎo)致燒毀的狀況,同時(shí)DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說針對(duì)整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達(dá)到省電功效。
DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品,提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM(同步動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍),也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。
技術(shù)概論
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式,ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能,新增這個(gè)線路腳位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用來校準(zhǔn)ODT(On Die Termination)內(nèi)部終端電阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可編程化溫度控制內(nèi)存時(shí)脈功能,SRT的加入讓內(nèi)存顆粒在溫度、時(shí)脈和電源管理上進(jìn)行優(yōu)化,可以說在內(nèi)存內(nèi),就做了電源管理的功能,同時(shí)讓內(nèi)存顆粒的穩(wěn)定度也大為提升,確保內(nèi)存顆粒不致于工作時(shí)脈過高導(dǎo)致燒毀的狀況,同時(shí)DDR3 SDRAM還加入PASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以說針對(duì)整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達(dá)到省電功效。
作者:GRL實(shí)驗(yàn)室/曾威華 Wing Tseng 在開始介紹 DDR 之前,首先要了解內(nèi)存的功用為何。大多數(shù)的 3C 產(chǎn)品在運(yùn)作時(sh...
為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性,并提供一種簡(jiǎn)便的、帶寬效率高的自動(dòng)化方式來初始化和使用內(nèi)存,我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器...
2021-02-09 標(biāo)簽:控制器DDR3信號(hào)完整性 1.4萬 0
基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲(chǔ)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺(tái),設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的...
如何設(shè)計(jì)符合要求的間距?避免串?dāng)_Allegro17.2新功能實(shí)例分析
對(duì)于串?dāng)_,我們可能了解是怎么產(chǎn)生的,以及變化的趨勢(shì),但實(shí)際上,在遇到間距太近沒有空間調(diào)整,或者雙帶線層疊的...
2018-09-15 標(biāo)簽:DDR3PCB設(shè)計(jì)Allegro 1.2萬 0
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別
DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù),中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SD...
紫光DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存詳細(xì)評(píng)測(cè)
國產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢?值得入手嗎?為了解決大家的疑問,我們?yōu)榇蠹規(guī)砹俗瞎釪DR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評(píng)測...
類別:信號(hào)處理電路 2012-09-23 標(biāo)簽:DDR3內(nèi)存插槽
JESD79-3E DDR3 Spec---DDR3 規(guī)范原文版立即下載
類別:規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2013-07-11 標(biāo)簽:DDR3DDR3規(guī)范
H5TQ4G43AFR和H5TQ4G83AFR及H5TQ4G63AFR DDR3 SDRAM的數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2020-12-09 標(biāo)簽:CMOSSDRAMDDR3
RK3288硬件設(shè)計(jì)的要點(diǎn)及注意點(diǎn)中文詳細(xì)介紹立即下載
類別:單片機(jī) 2018-05-31 標(biāo)簽:DDR3硬件設(shè)計(jì)可制造性設(shè)計(jì)
DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)立即下載
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2020-05-29 標(biāo)簽:DDR3DDRDDR2
Allegro PCB設(shè)計(jì)時(shí)等長設(shè)置的一些方法與技巧解析立即下載
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2018-11-27 標(biāo)簽:PCBDDR3PCB設(shè)計(jì)
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主...
SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對(duì)比及其特點(diǎn)分析
DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM(Doubl...
基于FPGA的DDR3用戶接口設(shè)計(jì)技術(shù)詳解
本文詳細(xì)介紹了在Xilinx Virtex-6系列FPGA中使用MIG3.7 IP核實(shí)現(xiàn)高速率DDR3芯片控制的設(shè)計(jì)思想和設(shè)計(jì)方案。...
在DDR的PCB設(shè)計(jì)中,一般需要考慮等長和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。等長比較好處理,給出一定的等長精度通常是PCB設(shè)計(jì)師是能夠完成的。但對(du...
2017-11-08 標(biāo)簽:ddr3菊花鏈拓?fù)?/a> 2.5萬 0
數(shù)據(jù)顯示2018年內(nèi)存降價(jià)無望
經(jīng)過2017年一年的內(nèi)存亂戰(zhàn),SSD已經(jīng)進(jìn)行了幾輪的洗牌。但是今年據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)的數(shù)據(j...
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)...
2023-10-30 標(biāo)簽:DDR3計(jì)算機(jī)DDR4 1.2萬 0
與臺(tái)式機(jī)相同,筆記本內(nèi)存同樣DDR3與DDR4內(nèi)存不可混用,也有防呆設(shè)計(jì),DDR3針腳為204pin,而DDR4針腳為260pi...
第一步,確定拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)(僅在多片DDR芯片時(shí)有用) 首先要確定DDR的拓補(bǔ)結(jié)構(gòu),一句話,DDR1/2采用星形...
紫光內(nèi)存ddr3評(píng)測(cè) 比較中規(guī)中矩
2017年個(gè)人認(rèn)為從某種程度上是PC DIY正式衰落的元年,其中很大的因素就是因三星為首的一眾廠商的壟斷內(nèi)存和閃存的生產(chǎn),導(dǎo)致內(nèi)存...
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