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標(biāo)簽 > DASP
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DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計(jì)算
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算模擬...
GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計(jì)算(上)
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算模擬...
DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計(jì)算預(yù)測(cè)
針對(duì)任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計(jì)算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢(shì)空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級(jí)、各生長(zhǎng)條件下的費(fèi)米能...
2023-05-24 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)庫(kù)光譜DASP 641 0
雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計(jì)算預(yù)測(cè)
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算模擬...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之TSC模塊運(yùn)行流程
TSC模塊將使用與 Materials Project 數(shù)據(jù)庫(kù)提供的輸入?yún)?shù)(INCAR,KPOINTS,POTCAR)來(lái)對(duì)用戶給定的原胞做結(jié)構(gòu)優(yōu)化和靜...
2023-05-19 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)庫(kù)TSC熱力學(xué) 687 0
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之DEC模塊運(yùn)行流程
確認(rèn)TSC模塊完成后,回到ZnGeP2目錄,使用命令 dasp 3 執(zhí)行DEC模塊。DEC模塊會(huì)在第一步已經(jīng)生成的dec目錄中繼續(xù)輸出相關(guān)文件,包括缺陷...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之PREPARE模塊運(yùn)行流程
新建目錄ZnGeP2,在./ZnGeP2/目錄內(nèi)同時(shí)準(zhǔn)備好以上的POSCAR文件與 dasp.in 文件,執(zhí)行 dasp 1 ,即可啟動(dòng)PREPARE模...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之準(zhǔn)PREPARE
ZnGeP2是一種非線性光學(xué)材料,但是其帶隙內(nèi)存在的較多光吸收峰限制了其應(yīng)用,實(shí)驗(yàn)上認(rèn)為這些吸收與點(diǎn)缺陷相關(guān)。因此,有必要對(duì)ZnGeP2的點(diǎn)缺陷性質(zhì)開展...
針對(duì)任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計(jì)算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢(shì)空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級(jí)、各生長(zhǎng)條件下的費(fèi)米能...
2023-05-16 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)庫(kù)軟件包DASP 719 0
DASP雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計(jì)算預(yù)測(cè)
針對(duì)任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計(jì)算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢(shì)空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級(jí)、各生長(zhǎng)條件下的費(fèi)米能...
2023-05-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體數(shù)據(jù)庫(kù)DASP 590 0
DASP在振動(dòng)和沖擊計(jì)量測(cè)試中的應(yīng)用立即下載
類別:產(chǎn)品手冊(cè) 2011-03-30 標(biāo)簽:計(jì)量測(cè)試沖擊DASP 1050 0
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)的第一性原理計(jì)算模擬軟件...
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