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標(biāo)簽 > BiCMOS
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目前為止,在日常生活中使用的每一個(gè)電氣和電子設(shè)備中,都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導(dǎo)體材料(例如硅和其他半導(dǎo)體化合物...
按照基本工藝制程技術(shù)的類型,BiCMOS 工藝制程技術(shù)又可以分為以 CMOS 工藝制程技術(shù)為基礎(chǔ)的 BiCMOS 工藝制程技術(shù),或者以雙極型工藝制程技術(shù)...
高成本效益的實(shí)用系統(tǒng)方法解決QFN-mr BiCMOS器件單元測試電源電流失效問題
本文探討一套解決芯片單元級電測試過程電源電流失效問題的方法。當(dāng)采用QFN-MR(四邊扁平無引線–多排引腳封裝)的BiCMOS (雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體...
2017-03-01 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體qfnbicmos 1882 0
一種集成多波段、低噪聲的差分BiCMOS LC VCO的設(shè)計(jì)
隨著無線通信事業(yè)的飛速發(fā)展,產(chǎn)生了多種通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),諸如Bluetooth,GSM,WiFi,ZigBee等,通信頻率也從數(shù)百兆赫到數(shù)千兆赫不等。從應(yīng)用...
在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域,半導(dǎo)體工藝的發(fā)展日新月異,其中BiCMOS技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢受到了廣泛關(guān)注。BiCMOS技術(shù)是一種將CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)...
ACS712全集成霍爾效應(yīng)線性電流傳感器的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載立即下載
類別:傳感與控制 2018-11-22 標(biāo)簽:傳感器開關(guān)電源BiCMOS 2083 1
CC6102霍爾效應(yīng)開關(guān)芯片的詳細(xì)中文數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載立即下載
類別:IC中文資料 2018-08-20 標(biāo)簽:芯片霍爾效應(yīng)BiCMOS 1776 0
CC6111個(gè)單極型的霍爾效應(yīng)開關(guān)芯片的詳細(xì)我數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載立即下載
類別:IC中文資料 2018-10-17 標(biāo)簽:芯片霍爾效應(yīng)BiCMOS 1603 0
采用SAR結(jié)構(gòu)的8通道12位ADC設(shè)計(jì)
本文基于上華0.6mm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)8通道12位串行輸出ADC,轉(zhuǎn)換核心電路采用逐次逼近型結(jié)構(gòu),并在總結(jié)改進(jìn)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,采用了電壓定...
新型BiCMOS集成運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
在MCNC 0.5μm工藝平臺(tái)上完成由MOS、雙極型晶體管和電容構(gòu)成的運(yùn)算放大器版圖設(shè)計(jì)。根據(jù)設(shè)計(jì)的版圖,設(shè)計(jì)出Bi-CMOS相應(yīng)的工藝流程,并提取各光...
2011-04-11 標(biāo)簽:BiCMOS 3041 0
作為模擬和數(shù)字信號(hào)接口電路的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)隨著數(shù)字技術(shù)、微機(jī)和模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù)的進(jìn)展得到了廣泛應(yīng)用。由于ADc中的
MAX2090 線性度最高的模擬VGA,集成自動(dòng)增益控制環(huán)路
MAX2090高線性模擬可變增益放大器(VGA)的單片SiGe BiCMOS工藝衰減器,放大器,RMS檢波器設(shè)計(jì)與操作在50MHz至1000MHz頻率范...
新型BiCMOS帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)
在模擬及數(shù)/模混合集成電路設(shè)計(jì)中,電壓基準(zhǔn)是非常重要的電路模塊之一,而通過巧妙設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用
采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品 恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品,其QUBiC4 SiGe:C...
Allegro MicroSystems 推出一款全新的低電流 BiCMOS 光電煙霧探測器 IC,該 IC 具有超低待機(jī)電流,平均電池壽命長達(dá) 10 ...
2010-07-15 標(biāo)簽:BiCMOS可制造性設(shè)計(jì)華秋DFM 843 0
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