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標(biāo)簽 > VDS
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在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8997 0
PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。它具有許多優(yōu)點(diǎn),如低功耗...
SiC MOSFET:通過(guò)波形的線性近似分割來(lái)計(jì)算損耗的方法
首先,計(jì)算開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來(lái)計(jì)算...
MOS管驅(qū)動(dòng)電路gs兩端并接一個(gè)電阻有何作用?
如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路,定性分析可知,當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí),MOS管兩端應(yīng)力為Vds,此時(shí)Vds向Cgd和Cg...
2024-02-27 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路VDS 3402 0
ADS導(dǎo)入導(dǎo)出數(shù)據(jù)的方法介紹
直接導(dǎo)出是不行的,圖形可以直接copy出去復(fù)制,但數(shù)據(jù)要采用Palette里的List,不是Rectangular Plot,生成后可以選中然后右鍵...
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享
和小功率MOSFET類(lèi)似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類(lèi);每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ISFET)
據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,德國(guó)弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所(Fraunhofer IPMS)開(kāi)發(fā)出一種用于芯片式pH值測(cè)量的傳感層...
2024-03-11 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1738 0
怎么通過(guò)SPICE仿真來(lái)預(yù)測(cè)VDS開(kāi)關(guān)尖峰?
怎么通過(guò)SPICE仿真來(lái)預(yù)測(cè)VDS開(kāi)關(guān)尖峰? SPICE仿真技術(shù)是電子工程師在設(shè)計(jì)和驗(yàn)證電路時...
功率管怎么看型號(hào)大???功率管上的數(shù)字代表什么意思?
功率管怎么看型號(hào)大???功率管上的數(shù)字代表什么意思? 功率管是電子元件領(lǐng)域中非常常見(jiàn)的組件,其主要功能是轉(zhuǎn)換電流和電壓。...
場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量方法 mos怎么測(cè)量好壞?
場(chǎng)效應(yīng)管好壞測(cè)量方法 mos怎么測(cè)量好壞?? 場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)是一種半導(dǎo)體器件,其被廣泛應(yīng)用于各種...
2023-09-02 標(biāo)簽:電容器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 4026 0
虹科HiveMQ MQTT解決方案在奔馳汽車(chē)制造中的應(yīng)用
虹科HiveMQ 是一個(gè)基于 MQTT 數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ㄐ牌脚_(tái),旨在將數(shù)據(jù)快速、高效、可靠地傳遞給連接的物聯(lián)網(w...
2023-02-16 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)VDSMQTT 771 0
解決電力電子測(cè)試難題,泰克攜三大測(cè)試方案參展PCIM Asia
第三代半導(dǎo)體是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)“新基建”領(lǐng)域的重要材料,也是各國(guó)半導(dǎo)體研究領(lǐng)域...
Lantiq推出支持全球VDSL2和ADSL/2/2+標(biāo)準(zhǔn)的
VINAX V3 芯片組重要特性如下: 功耗達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平,每個(gè)通道只需0.9W,滿(mǎn)足了未來(lái)寬帶基礎(chǔ)設(shè)...
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