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      標(biāo)簽　>　V-NAND

      V-NAND

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      v-nand技術(shù)

      三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片，位密度提升50%

      在技術(shù)層面，第九代V-NAND無(wú)疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆...

      2024-04-28 標(biāo)簽：NANDTLCV-NAND 1139 0

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      v-nand資訊

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      三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9...

      2023-08-21 標(biāo)簽：閃存NAND閃存SK海力士 531 0

      三星電子量產(chǎn)最高存儲(chǔ)密度的1Tb 第8代V-NAND

      1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。

      2022-12-06 標(biāo)簽：三星電子V-NANDDDR5 612 0

      三星推出容量達(dá)1Tb的V-NAND單晶粒

      在舊金山的閃存峰會(huì)上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。

      2018-05-16 標(biāo)簽：三星電子SSDV-NAND 929 0

      48層堆疊V-NAND存儲(chǔ)器，將提升三星成本競(jìng)爭(zhēng)契機(jī)

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      2015-08-11 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器V-NAND 829 0

      新一代存儲(chǔ)器？十年后再說吧！

      　很少人會(huì)想到 NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場(chǎng)IBM/Texas Memory Systems關(guān)于快...

      2014-04-11 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器V-NAND 2811 0

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        云盤
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        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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