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標簽 > SiGe
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MAX2066 50MHz至1000MHz高線性度、可串行/并行控制的數(shù)字VGA技術(shù)手冊
MAX2066高線性度、數(shù)字調(diào)節(jié)可變增益放大器(VGA)是采用SiGe BiCMOS工藝的單芯片衰減器和放大器,針對50MHz至1000MHz頻率范圍的...
MAX2067 50MHz至1000MHz高線性度、可通過串口 模擬控制的VGA技術(shù)手冊
MAX2067高線性度、模擬調(diào)節(jié)可變增益放大器(VGA)是采用SiGe BiCMOS工藝的單芯片衰減器和放大器,針對50MHz至1000MHz頻率范圍的...
MAX2090 50MHz至1000MHz模擬VGA,集成門限報警電路和誤差放大器,用于電平控制技術(shù)手冊
MAX2090高線性度、模擬可變增益放大器(VGA)是一款單芯片SiGe BiCMOS衰減器、放大器、誤差放大器、報警電路,用于連接工作在50MHz至1...
HMC905LP3E 6GHz低噪聲可編程分頻器,采用SMT封裝技術(shù)手冊
HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪聲可編程分頻器,采用3x3 mm無引腳表貼封裝。 在400 MHz至6 GHz 輸入頻率范圍內(nèi),該電...
ADCLK925超快型SiGe ECL時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK905(單輸入/單輸出)、ADCLK907(雙通道單輸入/單輸出)和ADCLK925(單輸入/雙輸出)為超高速時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器,采用ADI公司...
2025-04-14 標簽:SiGe時鐘數(shù)據(jù)緩沖器 101 0
ADCLK907超快型SiGe ECL時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK905(單輸入/單輸出)、ADCLK907(雙通道單輸入/單輸出)和ADCLK925(單輸入/雙輸出)為超高速時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器,采用ADI公司...
2025-04-14 標簽:SiGe時鐘數(shù)據(jù)緩沖器 100 0
ADCLK905超快型SiGe ECL時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK905(單輸入/單輸出)、ADCLK907(雙通道單輸入/單輸出)和ADCLK925(單輸入/雙輸出)為超高速時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器,采用ADI公司...
2025-04-14 標簽:SiGe時鐘數(shù)據(jù)緩沖器 114 0
ADCLK914超快型SiGe開集HVDS時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK914是一款采用ADI公司專利的互補雙極性(XFCB-3)硅鍺(SiGe)工藝技術(shù)制造的超快型時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器。ADCLK914具備高壓差分信...
ADCLK954采用SiGe工藝,具有2個可選輸入、12個LVPECL輸出的時鐘扇出緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK954是一款采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造的超快型時鐘扇出緩沖器。這款器件設(shè)計用于要求低抖動性能的高速應(yīng)用。 ...
ADCLK946采用SiGe工藝的6 LVPECL輸出時鐘扇出緩沖器技術(shù)手冊
ADCLK946是一款采用ADI公司專有的XFCB3硅鍺(SiGe)雙極性工藝制造的超快型時鐘扇出緩沖器。這款器件設(shè)計用于要求低抖動性能的高速應(yīng)用。 ...
基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用
最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片,在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標,針對應(yīng)用會在文末給大家一些方向性參考。 雷達前端TRA?2...
來源:內(nèi)容來自「馭勢資本」,謝謝。 半導(dǎo)體封裝基礎(chǔ) 半導(dǎo)體制造工藝流程 半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr icatio...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產(chǎn)品...
關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來分析和介紹
在雷達應(yīng)用這塊, 除了早已上市的77-78,79-81GHz雷達,主用于ADAS。同時94GHz雷達應(yīng)用也已成熟,用于惡劣天氣,機場地面監(jiān)測...
格芯(GLOBALFOUNDRIES)公布了針對一系列技術(shù)平臺而制訂的愿景和路線圖,這些技術(shù)平臺旨在幫助客戶過渡到下一代5G無線網(wǎng)絡(luò)。格芯為多種5G應...
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件L...
據(jù)IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來經(jīng)過技術(...
格羅方德推出性能增強型130nm硅鍺射頻技術(shù),以促進下一代無線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展
格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方....
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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SE7351L-T | SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7351L-AK3 | SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7265L-R | SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7265L-EK1 | SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7262L-EK1 | SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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