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SiGe

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sige技術(shù)

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MAX2066高線性度、數(shù)字調(diào)節(jié)可變增益放大器(VGA)是采用SiGe BiCMOS工藝的單芯片衰減器和放大器,針對50MHz至1000MHz頻率范圍的...

2025-04-21 標簽:SiGeVGABiCMOS 35 0

MAX2067 50MHz至1000MHz高線性度、可通過串口 模擬控制的VGA技術(shù)手冊

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MAX2090 50MHz至1000MHz模擬VGA,集成門限報警電路和誤差放大器,用于電平控制技術(shù)手冊

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2025-04-19 標簽:SiGe增益放大器VGA 120 0

HMC905LP3E 6GHz低噪聲可編程分頻器,采用SMT封裝技術(shù)手冊

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HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪聲可編程分頻器,采用3x3 mm無引腳表貼封裝。 在400 MHz至6 GHz 輸入頻率范圍內(nèi),該電...

2025-04-18 標簽:SiGe分頻器BiCMOS 64 0

ADCLK925超快型SiGe ECL時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊

ADCLK925超快型SiGe ECL時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊

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2025-04-14 標簽:SiGe時鐘數(shù)據(jù)緩沖器 101 0

ADCLK907超快型SiGe ECL時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊

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ADCLK905超快型SiGe ECL時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊

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2025-04-14 標簽:SiGe時鐘數(shù)據(jù)緩沖器 114 0

ADCLK914超快型SiGe開集HVDS時鐘/數(shù)據(jù)緩沖器技術(shù)手冊

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ADCLK954采用SiGe工藝,具有2個可選輸入、12個LVPECL輸出的時鐘扇出緩沖器技術(shù)手冊

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sige資訊

SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

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文章來源:半導(dǎo)體與物理 原文作者:jjfly686 本文簡單介紹了兩種新型的選擇性刻蝕技術(shù)——高氧化性氣體的無等離子體刻蝕和原子層刻蝕。 全環(huán)繞柵極晶體...

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引言 近年來,硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此,人們對硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運研究有相當大的興趣。在...

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2018-04-27 標簽:sigewifife 1484 0

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據(jù)IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來經(jīng)過技術(...

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格羅方德推出性能增強型130nm硅鍺射頻技術(shù),以促進下一代無線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展

格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方....

2016-06-08 標簽:SiGe射頻芯片格羅方德 1741 0

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sige數(shù)據(jù)手冊

型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
SE7351L-T SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
SE7351L-AK3 SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc.
SE7265L-R SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
SE7265L-EK1 SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc.
SE7262L-EK1 SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc.

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