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標(biāo)簽 > sic器件
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SiC晶體中存在各種缺陷,對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類(lèi)缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)的過(guò)流機(jī)理,以及開(kāi)通...
根據(jù)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的充電方式,充電樁可分為交流充電樁和直流充電樁兩大類(lèi)。直流充電樁具備直接給電池充電的能力,以三相四線(xiàn)制的方式連接電網(wǎng),能夠提供充足的電力,...
2023-06-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)PFC充電電源 724 0
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 5014 0
在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...
2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管功率器件sic器件 2058 0
SiC 的禁帶寬度是硅片的3+倍,保證了SiC 器件在高溫條件下的工作穩(wěn)定性,減少因高溫造成的器件故障現(xiàn)象。
襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵,占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高,而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說(shuō)前幾年很多SiC器件廠(chǎng)商都是靠...
肖特基二極管又稱(chēng)熱載流子二極管,通過(guò)金屬和半導(dǎo)體觸點(diǎn)形成肖特基勢(shì)壘,實(shí)現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比,它的反向恢復(fù)慣性很低。因此,肖特基二極管適用于高頻...
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計(jì)劃顯著降低功率損耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時(shí)減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而...
2022-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件sic器件電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路 1788 0
使用含快速開(kāi)關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實(shí)用解決方案和指南
本SiC FET用戶(hù)指南介紹了使用含快速開(kāi)關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試(DPT)結(jié)果驗(yàn)證。
2022-05-05 標(biāo)簽:緩沖電路硬開(kāi)關(guān)sic器件 2839 0
昕感科技再添戰(zhàn)略股東,6英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目今年投產(chǎn)
近日,昕感科技官宣完成京能集團(tuán)旗下北京京能能源科技并購(gòu)?fù)顿Y基金戰(zhàn)略入股。
2024-05-14 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體sic器件 670 0
碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領(lǐng)域的格局,帶來(lái)了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是,汽車(chē)應(yīng)用正從SiC技術(shù)中...
SiC器件是如何提升電動(dòng)汽車(chē)的系統(tǒng)效率的
SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)的硅(Si)材料,它具有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、更高的熱導(dǎo)率和更高的運(yùn)載子遷移率。
2024-03-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)碳化硅sic器件 517 0
Wolfspeed開(kāi)始向中國(guó)終端客戶(hù)批量出貨碳化硅MOSFET
? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠(chǎng)的投產(chǎn),Wolfspeed已經(jīng)開(kāi)始向中國(guó)終端客戶(hù)批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)...
KLA助力車(chē)規(guī)SiC器件良率及可靠性提升
隨著電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展,越來(lái)越多的功率半導(dǎo)體芯片被使用在汽車(chē)的各個(gè)部位實(shí)現(xiàn)不同的功能。
2023-05-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體芯片sic器件 396 0
新能源汽車(chē)的發(fā)展帶動(dòng)充電樁行業(yè)市場(chǎng)崛起
隨著新能源汽車(chē)的滲透率節(jié)節(jié)攀升,充電樁行業(yè)也迎來(lái)了進(jìn)一步的發(fā)展和市場(chǎng)擴(kuò)張。充電樁市場(chǎng)目前還遠(yuǎn)未成熟,有著巨大的發(fā)展空間。
2023-05-08 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)充電樁碳化硅 682 0
SiC工藝特點(diǎn)核心裝備發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)
器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)?;a(chǎn)對(duì)裝備支撐能力不斷提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。
關(guān)于ESS產(chǎn)品中SiC器件的應(yīng)用
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
安森美提供高能效、高性能SiC方案 滿(mǎn)足不同應(yīng)用的需求
由于SiC具有更快的開(kāi)關(guān)速度,因此對(duì)于某些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),可縮減無(wú)源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本
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