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標(biāo)簽 > SBD
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具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)
北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的性能
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析
碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)(swap)呢?
SWAP(交換)分區(qū)是一種通過在硬盤中預(yù)先劃分一定的空間,然后將把內(nèi)存中暫時(shí)不常用的數(shù)據(jù)臨時(shí)存放到硬盤中
2023-11-14 標(biāo)簽:Linux系統(tǒng)交換機(jī)SBD 1520 0
瞻芯電子推出車規(guī)級(jí)1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用
為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要,瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12...
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長(zhǎng)、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)。目...
北京順義泰科天潤(rùn)項(xiàng)目一期投資4億元,預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)
3月4日,北京順義消息顯示,順義區(qū)21個(gè)在建市區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn),其中包括泰科天潤(rùn)建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目。
ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD
二極管的種類有很多,其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD,其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD,因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通...
功率器件,是指用于調(diào)控和變換電力的器件。從民生用品到工業(yè)設(shè)備,京瓷集團(tuán)一直向市場(chǎng)提供各種高品質(zhì)、高可靠性的節(jié)能型產(chǎn)品。
來源:Silicon Semiconductor 非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關(guān)應(yīng)用。 ROHM(羅姆)開發(fā)了100V擊穿肖特基勢(shì)壘二極管 (SB...
ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備等的電源電路和保護(hù)電路,推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢(shì)壘...
碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢(shì)。
SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展
功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。
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