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SBD

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sbd技術(shù)

肖特基二極管的工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)

肖特基二極管的工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。

2024-11-05 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體肖特基二極管 523 0

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的性能

2024-02-19 標(biāo)簽:SBDSiCGaN 1374 0

碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析

碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽:二極管MOSFETSBD 759 0

改進(jìn)JBS結(jié)構(gòu)以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力

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2023-11-23 標(biāo)簽:二極管SBD浪涌電流 865 0

SiC SBD的高耐壓(反壓)特性

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2023-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SBDSiC 630 0

【科普小貼士】什么是肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)?

【科普小貼士】什么是肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)?

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2023-12-13 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體SBD 1648 0

【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的反向恢復(fù)特性

【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的反向恢復(fù)特性

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2023-12-13 標(biāo)簽:二極管諧振電路SBD 925 0

如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)(swap)呢?

如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)(swap)呢?

SWAP(交換)分區(qū)是一種通過在硬盤中預(yù)先劃分一定的空間,然后將把內(nèi)存中暫時(shí)不常用的數(shù)據(jù)臨時(shí)存放到硬盤中

2023-11-14 標(biāo)簽:Linux系統(tǒng)交換機(jī)SBD 1520 0

二極管的主要參數(shù) 常用二極管的類型

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二極管通常是由PN結(jié)加上電極引線和外殼制成的, **基本特性是單向?qū)щ娦?* 。

2023-10-25 標(biāo)簽:二極管SBD整流管 7470 0

混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點(diǎn)

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IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管(S...

2023-09-22 標(biāo)簽:二極管IGBT分立器件 464 0

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sbd資訊

瞻芯電子推出車規(guī)級(jí)1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用

瞻芯電子推出車規(guī)級(jí)1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用

為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要,瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12...

2024-12-02 標(biāo)簽:肖特基二極管SBDSiC 629 0

ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢(shì)壘二極管

ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢(shì)壘二極管

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長(zhǎng)、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)。目...

2024-11-26 標(biāo)簽:二極管SBDSiC 226 0

北京順義泰科天潤(rùn)項(xiàng)目一期投資4億元,預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)

3月4日,北京順義消息顯示,順義區(qū)21個(gè)在建市區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn),其中包括泰科天潤(rùn)建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目。

2024-03-11 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET晶圓 1128 0

ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

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二極管的種類有很多,其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD,其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD,因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通...

2024-03-15 標(biāo)簽:二極管MOSSBD 488 0

京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

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功率器件,是指用于調(diào)控和變換電力的器件。從民生用品到工業(yè)設(shè)備,京瓷集團(tuán)一直向市場(chǎng)提供各種高品質(zhì)、高可靠性的節(jié)能型產(chǎn)品。

2024-02-23 標(biāo)簽:散熱片功率器件SBD 1150 0

羅姆推出新型SBD

來源:Silicon Semiconductor 非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關(guān)應(yīng)用。 ROHM(羅姆)開發(fā)了100V擊穿肖特基勢(shì)壘二極管 (SB...

2024-02-21 標(biāo)簽:SBD羅姆 508 0

ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備等的電源電路和保護(hù)電路,推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢(shì)壘...

2024-01-24 標(biāo)簽:SBDRohm 557 0

液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢(shì)。

2023-12-18 標(biāo)簽:新能源汽車晶圓SBD 1502 0

SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

2023-12-13 標(biāo)簽:功率器件SBDSiC 1076 0

【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的金屬差異

【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的金屬差異

【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的金屬差異

2023-12-13 標(biāo)簽:二極管MOSFETSBD 712 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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    驍龍
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    Mobileye
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