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標簽 > RRAM
RRAM一般指阻變式存儲器,阻變式存儲器(RRAM)是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。
作為阻變式存儲器芯片一個重要的電子元件,憶阻器(memristor)的電阻會隨外加電壓的高低而改變。相比其它非易失性存儲技術(shù),RRAM是高速存儲器。工程師在對憶阻器(memristor)技術(shù)進行潛心研發(fā)的道路上遇到的攔路虎,恰恰是阻變式存儲器(RRAM)的潛行路徑。
存內(nèi)計算原理分類——數(shù)字存內(nèi)計算與模擬存內(nèi)計算
數(shù)字存內(nèi)計算與模擬存內(nèi)計算各有優(yōu)劣,都是存算一體發(fā)展進程中的重點發(fā)展路徑,數(shù)字存內(nèi)計算由于其高速、高精度、抗噪性強...
RRAM機制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計算中的應(yīng)用
近年來,RRAM 因其結(jié)構(gòu)簡單、保持時間長、運行速度快、超低功耗運行能力、能夠在不影響器件性能的情況下擴展到更低的尺寸以及可進行三維集成的可能性而日...
全面解讀電阻式內(nèi)存的技術(shù)架構(gòu)及其應(yīng)用
電阻式內(nèi)存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結(jié)構(gòu)為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulato...
2023-12-07 標簽:電阻存儲器物聯(lián)網(wǎng) 1742 0
新型存儲技術(shù):新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹
Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存,該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢,但是遠快于NAND類介質(zhì)。本文對該類介質(zhì)...
需要設(shè)計一些算法使得能對整個存儲器做均衡的訪問,而不是僅僅去對幾個特定的區(qū)域持續(xù)寫入,將對某些塊的操作分布到整片存儲器上,實現(xiàn)各塊寫入的平衡,這類算法...
NAND閃存面臨的挑戰(zhàn),是什么阻礙了NAND閃存?
在過去的幾十年里,NAND 對固態(tài)存儲設(shè)備中的系統(tǒng)控制器提出了苛刻的任務(wù)。這些管理任務(wù)增加了系統(tǒng)復(fù)雜性、功耗...
非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展...
Crossbar新型RRAM芯片 郵票大小存儲1TB數(shù)據(jù)
8月6日消息,美國加州創(chuàng)業(yè)公司Crossbar發(fā)布了一種新型芯片,能以郵票大小存儲1TB的數(shù)據(jù)。該芯片采用RRAM技術(shù),顛覆傳統(t...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,RRAM(阻變存儲器)存儲是一種新興的非易失性存儲技術(shù),它基于材料的電阻變化來存儲數(shù)據(jù)。其存儲單元通常由兩個電極和中間的阻...
新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開發(fā)流程
嵌入式閃存及其對應(yīng)的離片NOR閃存,在非易失性內(nèi)存領(lǐng)域(即用于持久性或長期數(shù)據(jù)存儲)多年來占據(jù)著標準地位。然而,隨著工藝技術(s...
AI驅(qū)動新型存儲器技術(shù),國內(nèi)新興存儲企業(yè)進階
生成式AI對于算力、運力和存力的需求與日俱增,如何打破“存儲墻”成為存儲行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)與機會。從因AI訓(xùn)練而爆紅的HBM,再到DDR5、PCIE5....
12月22日,中國新經(jīng)濟科技產(chǎn)業(yè)媒體朋湖網(wǎng)發(fā)布了“2023年度科技產(chǎn)業(yè)系列榜單”,億鑄科技登榜2023硬科技新銳之星TOP...
近期,后摩智能完成首款可商用的RRAM測試及應(yīng)用場景開發(fā),探測及證實了現(xiàn)有工業(yè)級的RRAM的技術(shù)邊界。后續(xù)將與車規(guī)級應(yīng)...
嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動機管理系統(tǒng)以來,就被用作汽車中的ECU,市場上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù),但該技術(shù)一直在努力...
存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。...
在軟件和硅中復(fù)制人腦是人工智能(AI)研究的長期目標。雖然神經(jīng)形態(tài)芯片在能夠同時運行多個計算方面取得了重大進展,并且既能計算也能存儲數(shù)據(jù),但它們還遠未...
全球研究人員齊聚“NeuRRAM”神經(jīng)形態(tài)芯片
這些團隊開發(fā)了第一個內(nèi)存計算芯片,以比其他平臺更低的能量和更高的精度來處理一系列 AI 應(yīng)用程序。 邊緣 AI 計算的圣杯是同時提供高效率、高性能和多功...
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