RRAM

rram知識

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  AI驅動新型存儲器技術，國內新興存儲企業(yè)進階

  生成式AI對于算力、運力和存力的需求與日俱增，如何打破“存儲墻”成為存儲行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)與機會。從因AI訓練而爆紅的HBM

  2024-10-16 標簽： 存儲 AI RRAM 1313 0

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  存內計算原理分類——數(shù)字存內計算與模擬存內計算

  數(shù)字存內計算與模擬存內計算各有優(yōu)劣，都是存算一體發(fā)展進程中的重點發(fā)展路徑，數(shù)字存內計算由于其高速、高精度、抗噪性強、工藝

  2024-05-21 標簽： 存儲器 模擬 矩陣運算 3665 0

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  RRAM機制、材料及其在神經(jīng)形態(tài)計算中的應用

  近年來，RRAM 因其結構簡單、保持時間長、運行速度快、超低功耗運行能力、能夠在不影響器件性能的情況下擴展到更低的尺寸以

  2024-05-16 標簽： 芯片 存儲器 RRAM 2135 0

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  億鑄科技登榜2023硬科技新銳之星TOP20

  12月22日，中國新經(jīng)濟科技產(chǎn)業(yè)媒體朋湖網(wǎng)發(fā)布了“2023年度科技產(chǎn)業(yè)系列榜單”，億鑄科技登榜2023硬科技新銳...

  2023-12-25 標簽： 憶阻器 RRAM 億鑄科技 921 0

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  全面解讀電阻式內存的技術架構及其應用

  電阻式內存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結構為簡單的金屬-絕緣層-金屬

  2023-12-07 標簽： 電阻 存儲器 物聯(lián)網(wǎng) 1814 0

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  憶阻器（RRAM）存算一體路線再次被肯定

  近日，清華大學發(fā)布的一顆憶阻器存算一體芯片，火了。該芯片的火爆源于一個月前，清華大學發(fā)的一篇論文

  2023-10-26 標簽： CMOS 運算器 憶阻器 2143 0

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  后摩智能首款RRAM大容量存儲芯片完成測試驗證

  近期，后摩智能完成首款可商用的RRAM測試及應用場景開發(fā)，探測及證實了現(xiàn)有工業(yè)級的RRAM的技術邊界。后續(xù)將與車規(guī)級應用

  2023-08-17 標簽： eFlash 存儲芯片 嵌入式存儲器 1033 0

• 新型存儲技術：新型SCM類介質的特性及使用方法的總結和介紹

  Storage Class Memory (SCM)是非易失性內存，該類介質的存取速度略比內存慢，但是遠快于NAND類介

  2023-01-15 標簽： NAND 存儲器 存儲技術 2715 0

• 存儲器迎來怎樣的2023？

  存儲器的歷史始于1984年，彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首

  2022-11-25 標簽： PCM 存儲器 MRAM 2319 0

• 新型非易失存儲器硬件損耗均衡算法簡介

  需要設計一些算法使得能對整個存儲器做均衡的訪問，而不是僅僅去對幾個特定的區(qū)域持續(xù)寫入，將對某些塊的操作分布到整片存儲器上

  2022-10-13 標簽： PCM 寄存器 RRAM 1023 0

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