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標(biāo)簽 > NVM
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MCU制程工藝邁進(jìn)28nm時(shí)代,汽車行業(yè)的創(chuàng)新之路
瑞薩日前宣布,公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造,包括一個(gè) 10.8Mbi...
Autosar(Automotive Open System Architecture)是一種用于汽車電子系統(tǒng)開發(fā)的開放式架構(gòu)標(biāo)準(zhǔn),旨在提供一種用于構(gòu)建...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分,存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory,NVM)和...
混合NVM/DRAM平臺(tái)上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略
隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展,高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中
eFuse基于一個(gè)簡(jiǎn)單概念,即通過測(cè)量已知電阻器上的電壓來檢測(cè)電流,然后在電流超過設(shè)計(jì)限值時(shí),通過場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。
2023-11-01 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管NVM 2.7萬 0
目前支持AI推理的最低成本處理解決方案是用于物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的現(xiàn)成單芯片微控制器。這種芯片將通用CPU、SRAM和IO功能與非易失性存儲(chǔ)器(NVM)相結(jié)合。然...
2023-09-29 標(biāo)簽:cpu物聯(lián)網(wǎng)AI 898 0
存儲(chǔ)協(xié)議棧的Error流轉(zhuǎn)過程分析
前言 前面的文章我們?cè)敿?xì)分析了NvM,F(xiàn)ee,F(xiàn)ls模塊以及NvM User和NvM的交互,對(duì)AUTOSAR架構(gòu)下的存儲(chǔ)協(xié)議棧應(yīng)該有了一個(gè)比較深入的了解...
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲(chǔ)器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 7306 0
聊聊如何實(shí)現(xiàn)一種閃存緩存設(shè)計(jì)
許多web服務(wù)需要對(duì)數(shù)十億個(gè)小對(duì)象實(shí)現(xiàn)快速訪問,而每個(gè)小對(duì)象只有幾百個(gè)字節(jié)。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)同時(shí)考慮實(shí)際生產(chǎn)效益,緩存系統(tǒng)必須做到同時(shí)低成本,大容量與高性能。
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DRAM芯片NVM 724 0
NVM Block連續(xù)寫及Default Value問題分析
NVM這塊還只停留在按需求配置階段,遇到問題不能深入分析。本系列文章將從遇到的問題或者提出的疑問著手,一起來更深入學(xué)習(xí)AUTOSAR架構(gòu)下的存儲(chǔ)協(xié)議棧。
基于NVM和DRAN的混合內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2021-06-24 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存NVM 915 0
如何使用新型NVM存儲(chǔ)系統(tǒng)支持高并發(fā)訪問提高處理速度立即下載
類別:IC中文資料 2020-08-14 標(biāo)簽:IO存儲(chǔ)系統(tǒng)NVM 938 0
實(shí)現(xiàn)一個(gè)支持高并發(fā)訪問的新型NVM存儲(chǔ)系統(tǒng)的詳細(xì)資料說明立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2019-10-25 標(biāo)簽:處理器存儲(chǔ)系統(tǒng)NVM 883 0
珠海創(chuàng)飛芯:基于55納米高壓工藝制程的OTP IP實(shí)現(xiàn)上架
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司,作為國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商,近日宣布其基于55納米高壓(55HV 1.2V/6V/32V Process)工藝制...
英飛凌最新MCU之TC4XX系列開始量產(chǎn) 壟斷智能駕駛
英飛凌的安全MCU幾乎壟斷智能駕駛領(lǐng)域,基本上國內(nèi)95%以上的智能駕駛系統(tǒng)使用英飛凌的TC39X系列MCU做最后的安全控制,即管理底盤執(zhí)行器。
基于AUTOSAR的應(yīng)用層如何獲取準(zhǔn)確的時(shí)間戳呢
OS作為Triggered Customer,SW-C則作為Active Customer,后文將解釋這兩者之間的區(qū)別。
BootLoad(簡(jiǎn)稱Boot)是一種啟動(dòng)加載程序,或者稱為引導(dǎo)程序,我們?cè)诓僮飨到y(tǒng)和嵌入式開發(fā)中經(jīng)常用到,因?yàn)槠嘐CU也是一種嵌入式系統(tǒng),Boot程...
近幾十年來,作為閃存的潛在替代品,許多新興的內(nèi)存技術(shù)被開發(fā)出來。閃存的制程難以擴(kuò)展到 40nm以下。據(jù)Yole估計(jì),在這十年的上半期,相變存儲(chǔ)器(PCM...
NVMe NVM Express(NVMe)SSD在企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的部署大量涌現(xiàn),但同時(shí)出現(xiàn)的一些復(fù)雜狀況讓這些部署無法發(fā)揮出全部優(yōu)勢(shì)。今天的文章...
NVM是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。與易失性存儲(chǔ)器不同,NVM 不需要定期刷新其存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)。它通常用于二級(jí)存儲(chǔ)...
Wintel聯(lián)盟將推動(dòng)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器革命
NAND Flash固態(tài)硬盤(SSD)襲卷了過去10年的儲(chǔ)存技術(shù)產(chǎn)業(yè),而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)消除了DRAM與儲(chǔ)存硬盤間的差異,勢(shì)必掀起一波更大的革命...
2016-12-15 標(biāo)簽:ssdNVM非揮發(fā)性存儲(chǔ)器 941 0
非易失性存儲(chǔ)器 NVM是指非易失性存儲(chǔ)器,目前在智能卡上采用的主要包括:EEPROM和Flash。 NVM通常用來存放程序和數(shù)據(jù),對(duì)于智能卡而言,...
2010-08-05 標(biāo)簽:NVM 2.3萬 0
轉(zhuǎn)向更為邏輯的NVM 盡管當(dāng)今的設(shè)計(jì)工程師可以選擇多種NVM,但是,具有低成本、高性能和應(yīng)用靈活性的嵌入式NVM卻很少。對(duì)于某些應(yīng)用目標(biāo),排除了許多選擇...
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