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      標(biāo)簽　>　LMG5200

      LMG5200

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      LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級，采用增強模式氮化鎵 （GaN） FET 提供了一套集成功率級解決方案，該器件配有用戶友好型接口且更為出色，采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動器提供驅(qū)動。

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      LMG5200簡介

      　　LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級，采用增強模式氮化鎵 （GaN） FET 提供了一套集成功率級解決方案，該器件配有用戶友好型接口且更為出色，采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動器提供驅(qū)動。

      　　GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢顯著，能夠承受高達 12V 的輸入電壓，與 TPS53632G 控制器搭配使用時，LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載點電壓 （0.5-1.5V）。

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      lmg5200技術(shù)

      LMG5200開關(guān)節(jié)點的100 GHz觀察儀器系統(tǒng)

      當(dāng)測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您...

      2018-04-26 標(biāo)簽：示波器GaNLMG5200 5156 0

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      lmg5200資料下載

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      lmg5200資訊

      基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計

      基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計

      該參考設(shè)計采用具有電流倍增整流器(current-doubler rectifier)的單級硬開關(guān)半橋，這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有效地支持高降壓比，同時提供可觀的輸...

      2022-04-26 標(biāo)簽：電源GaN參考設(shè)計 2607 0

      準(zhǔn)確測量氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間

      準(zhǔn)確測量氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間

      當(dāng)測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您...

      2017-04-18 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵lmg5200 3259 0

      技術(shù)前沿：TI加快GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

      相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 （GaN） 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現(xiàn)比基于硅材料...

      2015-04-02 標(biāo)簽：TIGaN技術(shù)LMG5200 879 0

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      lmg5200數(shù)據(jù)手冊

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        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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