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標(biāo)簽 > L82C37A
L82C37A采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造。襯底材料為N型硅,晶向?yàn)椤?00〉,電阻率為6~9Ω.cm。
L82C37A采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造。襯底材料為N型硅,晶向?yàn)椤?00〉,電阻率為6~9Ω.cm。
L82C37A主要功能有以下七點(diǎn):
(1)該電路有四個獨(dú)立DMA通道;
?。?)每個通道的DMA請求都可分別允許和禁止;
?。?)每個通道的DMA請求優(yōu)先權(quán)具有固定方式和循環(huán)方式;
?。?)每個通道一次傳送的最大長度64k字節(jié)的數(shù)據(jù),可在存儲器與外設(shè)間進(jìn)行傳送,也可在存儲器的兩個區(qū)間進(jìn)行傳送;
?。?)有四種DMA傳輸方式:①單字節(jié)傳輸方式;②數(shù)據(jù)塊傳輸方式;③請求傳輸方式;④ 級連方式。在每種方式下,都能在接收外設(shè)的請求信號DREQ后,向外設(shè)發(fā)送響應(yīng)信號DACK后就可以占用總線,進(jìn)行DMA傳送。每傳送一個字節(jié),修改一次地址指針,當(dāng)規(guī)定傳送的字節(jié)數(shù)送完時,發(fā)出終端計數(shù)脈沖TC,結(jié)束傳送或重新初始化;
?。?)允許外設(shè)用EOP信號結(jié)束DMA傳送或重新初始化;
?。?)L82C37A可以級聯(lián),任意擴(kuò)展通道數(shù)。
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