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標(biāo)簽 > IGCT
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和IGCT(Integrated Gate Commutated Thyr...
IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們在應(yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和GTO(Gate Turn-Off thyrist...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和 IGBT(Insulated Gate Bipo...
IGCT指的是集成門控晶閘管(Integrated Gate-Commutated Thyristor),是一種高壓高功率電子器件,也是一種雙向晶閘管,...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)的工作原理是通過對內(nèi)部PN結(jié)區(qū)域施加正向電壓,將PN...
IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗,而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外,IGCT可以提供更高的...
一個真實(shí)閑聊多模態(tài)數(shù)據(jù)集TikTalk
隨著大量預(yù)訓(xùn)練語言模型在文本對話任務(wù)中的出色表現(xiàn),以及多模態(tài)的發(fā)展,在對話中引入多模態(tài)信息已經(jīng)引起了大量學(xué)者的關(guān)注。
2023-02-09 標(biāo)簽:IGCT數(shù)據(jù)集 1851 0
IGCT應(yīng)用的適用范圍_IGCT應(yīng)用的可靠性
IGCT在功率、可靠性、速度、效率、成本、質(zhì)量和體積等方面均達(dá)到了新的性能標(biāo)準(zhǔn),并在未來的發(fā)展中仍有很大的潛力,隨著人們的不斷認(rèn)識,它必將成為大功率應(yīng)用...
類別:電子資料 2023-02-15 標(biāo)簽:電力電子IGCT功率半導(dǎo)體 368 0
類別:電源技術(shù) 2011-08-17 標(biāo)簽:IGCT集成門極驅(qū)動 2210 0
4.5kV/4.0kA IGCT功率相單元測試平臺設(shè)計(jì)立即下載
類別:通信網(wǎng)絡(luò) 2009-04-08 標(biāo)簽:4.0kAIGCT 932 0
廣州青藍(lán)半導(dǎo)體IGBT項(xiàng)目投產(chǎn)儀式圓滿舉行
廣州廣汽部件有限公司是廣汽集團(tuán)全資子公司,在珠三角、長三角和華中等地設(shè)有47家分公司以及1家技術(shù)中心,員工總數(shù)超過2萬人。而其合作伙伴中車時代半導(dǎo)體則為...
IGCT和IGBT的區(qū)別? IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor)和 IGBT(Insulated Gat...
2023-11-17 標(biāo)簽:IGBTIGCT功率半導(dǎo)體 2922 0
IGCT(集成門極換流晶閘管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是廣泛應(yīng)用于電力電子和電力傳輸?shù)陌雽?dǎo)體器件。雖然它們的用途相似,但它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面...
2023-11-09 標(biāo)簽:IGBTIGCT功率半導(dǎo)體 3332 0
功率半導(dǎo)體器件家族中的重要成員——IGCT 器件能夠安全、可靠、經(jīng)濟(jì)、高效地實(shí)現(xiàn)高壓大容量的能量轉(zhuǎn)換,在柔性直流輸電中展現(xiàn)出非常大的應(yīng)用優(yōu)勢,有望成為直...
2020-06-29 標(biāo)簽:晶體管IGCT半導(dǎo)體器件 4989 0
回顧IGCT器件的發(fā)展史,要從晶閘管說起。晶閘管自從1957年在美國通用公司誕生以來,經(jīng)過隨后20多年的發(fā)展,已經(jīng)形成了從低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)...
高壓大功率變頻器的性能試驗(yàn)是一個難題。本文主要介紹采用igct組成的大功率變頻器和試驗(yàn)方法,僅供參考和借鑒。
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