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標(biāo)簽 > IGBT器件
IGBT器件是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,是通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT器件是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,是通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)...
氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計(jì)的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它...
Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路,其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件,避免運(yùn)行參數(shù)超過(guò)集電極或者門(mén)極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件 2198 0
適用于SiC/IGBT器件和汽車(chē)應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-22 標(biāo)簽:IGBT器件柵極驅(qū)動(dòng)器
類別:電源技術(shù) 2009-12-03 標(biāo)簽:IGBT器件igbt應(yīng)用
電動(dòng)汽車(chē)(EV) 和混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 的功率模塊等新應(yīng)用需要更小的電路提供更高的電壓和功率,因此需要能夠提供高壓隔離的電路材料,同時(shí)從 IGBT...
2023-09-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源車(chē)IGBT器件 473 0
雙面散熱汽車(chē)IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新
封裝結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新使得雙面散熱(double-sided cooling, DSC)功率模塊比傳統(tǒng)單面散熱(single-sided cooling, SS...
家電芯片市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程
所以在芯片國(guó)產(chǎn)化的發(fā)展之路上,我們看到一個(gè)有趣的思路:一些能力和儲(chǔ)備相對(duì)比較出色的終端企業(yè)開(kāi)始自研芯片,并首先應(yīng)用于自家終端產(chǎn)品——基于自家產(chǎn)品的先驗(yàn)基...
電子行業(yè)在不斷發(fā)展,它受到與能源需求不斷增長(zhǎng)相關(guān)的全球挑戰(zhàn)的推動(dòng),以提供越來(lái)越高效的流程和組件。使用可再生能源可以減少碳排放。所有這些都推動(dòng)研究和材料科...
東芝半導(dǎo)體新研發(fā)具備低功耗節(jié)能屬性IGBT器件
東芝半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)計(jì)制造公司,多年來(lái)持續(xù)耕耘在功率半導(dǎo)體研發(fā)上,經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室及優(yōu)異的研發(fā)團(tuán)隊(duì)也一直致力于研發(fā)創(chuàng)新、提升芯片的功能...
2022-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT器件東芝半導(dǎo)體 1710 0
東芝半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)低功耗節(jié)能屬性IGBT器件
東芝半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)計(jì)制造公司,多年來(lái)持續(xù)耕耘在功率半導(dǎo)體研發(fā)上,經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室及優(yōu)異的研發(fā)團(tuán)隊(duì)也一直致力于研發(fā)創(chuàng)新、提升芯片的功能...
2022-04-16 標(biāo)簽:芯片IGBT器件東芝半導(dǎo)體 1721 0
絕緣柵雙極管(簡(jiǎn)稱IGBT)集MOSFET和GTR一身,既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn),又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)。
安森美的電源產(chǎn)品包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT),這是一種三端半導(dǎo)體器件,具有寬泛的雙極電流承載能力。其產(chǎn)品組合包括650V ~ 1200V用于牽引驅(qū)動(dòng)...
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