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英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破
芯東西12月16日報道,在IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會議)上,英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項技術(shù)...
BM和Leti在IEDM上發(fā)表的關(guān)于Nanosheet的工作進(jìn)展:改進(jìn)蝕刻工藝,基于偶極子的Vt控制,在疊層下引入介電層降低寄生電容以及對納米片疊層中應(yīng)...
非揮發(fā)性相變記憶體技術(shù)長久以來一直被討論是否可取代現(xiàn)有的主動式記憶體和快閃記憶體,但迄今仍充滿爭議,因為盡管多年來有許多公司相繼投入研發(fā),但仍未達(dá)量產(chǎn)水準(zhǔn)。
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