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標(biāo)簽 > GaN器件
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GaN可靠性測(cè)試新突破:廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開(kāi)關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中...
淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程
電動(dòng)汽車(chē)、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開(kāi)關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。
2024-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT電磁兼容性 1075 0
聚焦大功率氮化鎵(GaN)器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問(wèn)題
熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題,其中的各種規(guī)則、縮略語(yǔ)和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測(cè)的神秘領(lǐng)域;
半導(dǎo)體,微電子,集成電路都是什么關(guān)系?
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài),這里可以包括半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)(屬于化學(xué)產(chǎn)業(yè)),利用半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的產(chǎn)業(yè),幫助半導(dǎo)體材料生產(chǎn)加工的...
2023-07-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)芯片CMOS反相器 6738 0
從模塊電源技術(shù)發(fā)展角度看模塊電源的統(tǒng)型與選型
模塊電源(BMP)因其高效、安全、可靠、系統(tǒng)升級(jí)容易等特點(diǎn),廣泛的應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、繼電保護(hù)、配網(wǎng)自動(dòng)化、軌道交通、汽車(chē)電子、航空航天等高可靠性高性能的領(lǐng)域。
ControlNet給出的實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)在是過(guò)于驚艷了,近期視覺(jué)領(lǐng)域最讓人興奮的工作。
當(dāng)前軍事與航天領(lǐng)域是氮化鎵技術(shù)最大的市場(chǎng)。最早就是在美國(guó)國(guó)防部的推動(dòng)下,開(kāi)始了氮化鎵技術(shù)的研究,慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場(chǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì),軍事和航天領(lǐng)...
2023-02-12 標(biāo)簽:雷達(dá)硅基氮化鎵技術(shù)GaN器件 562 0
全電飛機(jī)航空電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案解析
SOI獨(dú)特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu),帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì):首先,“絕緣埋層”實(shí)現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離,減小了寄生電容,開(kāi)關(guān)頻率得以提高。
2023-01-10 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅 2852 0
探索寬帶隙WBG半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)和應(yīng)用
不同種類(lèi)的 GaN 可能具有不同的柵極驅(qū)動(dòng)要求,這可能是使用 GaN 組件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨的最大挑戰(zhàn)之一。
2022-11-10 標(biāo)簽:CGDdcdc轉(zhuǎn)換器GaN器件 2784 0
GaN器件的LLC諧振變換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)_馬煥立即下載
類(lèi)別:模擬數(shù)字論文 2017-01-08 標(biāo)簽:LLC諧振變換器GaN器件 1233 0
京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇
3月24日,SEMICON China 2024展會(huì)在上海盛大開(kāi)展,同期在上海召開(kāi)功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇,京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱...
2024-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體華燦光電 668 0
Innergie的AC適配器通過(guò)搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co,Ltd(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”)的650V GaN器件(EcoGaN),被臺(tái)達(dá)電子(Delta Electronics,I...
Tagore Tech和Inventchip聯(lián)合開(kāi)發(fā)一款500W電源參考設(shè)計(jì)解決方案
Tagore Technology 與 Inventchip Technology(上海瞻芯電子科技有限公司,簡(jiǎn)稱(chēng):瞻芯電子)共同參加業(yè)界知名的2024...
2024-02-29 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)控制器PFC 821 0
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)
近年來(lái),SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問(wèn)題依然存在。
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器晶體管 1128 0
NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片
DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度,內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管,邏輯控制電...
納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場(chǎng)
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以...
全球SiC和GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到56.436億美元
第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體,該類(lèi)半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV,因此也被稱(chēng)...
SRII重磅亮相CICD 2021,以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)化的解決方案,也在持續(xù)挖掘ALD技術(shù)之于傳統(tǒng)硅基,SiC,GaN器件的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。
2021-11-10 標(biāo)簽:MOSFET充電器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 1344 0
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