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標(biāo)簽 > GaN晶體管
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HVPE(氫化物氣相外延法)與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源,此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源,NH3為氮源,在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長(zhǎng)...
近幾十年來,電力電子設(shè)備發(fā)展迅速,主要是由于半導(dǎo)體開關(guān)速度越來越快,這使得設(shè)計(jì)更小的電力存儲(chǔ)組件(如電容器和電感)成為可能。結(jié)合更高的效率,這可以實(shí)現(xiàn)更...
在功率性能方面的突破更高的電流密度和電壓操作 引起2 DEG損耗的固有表面電荷性能下降和/或設(shè)備可靠性下降 原位SiN帽層的效益
2022-12-16 標(biāo)簽:GaN晶體管 321 0
通過EPC的GaN EPC2032的電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)
GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸,非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用EPC的Ga...
GaN晶體管越來越多地用于各個(gè)領(lǐng)域:汽車領(lǐng)域中的電源供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們看一下如何更好地管理包括臨界條件在...
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢(shì)
GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨(dú)功率因數(shù)校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC電源:前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器(兩個(gè)電感和一個(gè)電容)...
驗(yàn)證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個(gè)探針同時(shí)驗(yàn)證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的死區(qū)時(shí)間。
2021-01-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源晶體管氮化鎵 2465 0
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān),其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。
全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達(dá)系統(tǒng),對(duì)于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求
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