FSMC

FSMC簡(jiǎn)介

　　FSMC（Flexible Static Memory Controller，可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器）是STM32系列采用的一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)。在外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要，方便地進(jìn)行不同類型大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。

　　STM32是ST（意法半導(dǎo)體）公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內(nèi)核是為低功耗和價(jià)格敏感的應(yīng)用而專門(mén)設(shè)計(jì)的，具有突出的能效比和處理速度。通過(guò)采用Thumb－2高密度指令集，Cortex－M3內(nèi)核降低了系統(tǒng)存儲(chǔ)要求，同時(shí)快速的中斷處理能夠滿足控制領(lǐng)域的高實(shí)時(shí)性要求，使基于該內(nèi)核設(shè)計(jì)的STM32系列微控制器能夠以更優(yōu)越的性價(jià)比，面向更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　STM32系列微控制器為用戶提供了豐富的選擇，可適用于工業(yè)控制、智能家電、建筑安防、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等多方位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。STM32系列采用一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)——FSMC，在外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要，方便地進(jìn)行不同類型大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。

FSMC百科

　　FSMC（Flexible Static Memory Controller，可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器）是STM32系列采用的一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)。在外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要，方便地進(jìn)行不同類型大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。

　　STM32是ST（意法半導(dǎo)體）公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內(nèi)核是為低功耗和價(jià)格敏感的應(yīng)用而專門(mén)設(shè)計(jì)的，具有突出的能效比和處理速度。通過(guò)采用Thumb－2高密度指令集，Cortex－M3內(nèi)核降低了系統(tǒng)存儲(chǔ)要求，同時(shí)快速的中斷處理能夠滿足控制領(lǐng)域的高實(shí)時(shí)性要求，使基于該內(nèi)核設(shè)計(jì)的STM32系列微控制器能夠以更優(yōu)越的性價(jià)比，面向更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　STM32系列微控制器為用戶提供了豐富的選擇，可適用于工業(yè)控制、智能家電、建筑安防、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等多方位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。STM32系列采用一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)——FSMC，在外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要，方便地進(jìn)行不同類型大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。

　　機(jī)制

　　FSMC（Flexible Static Memory Controller，可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器）是STM32系列中內(nèi)部集成256 KB以上FlaSh，后綴為xC、xD和xE的高存儲(chǔ)密度微控制器特有的存儲(chǔ)控制機(jī)制。之所以稱為“可變”，是由于通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器的設(shè)置，F(xiàn)SMC能夠根據(jù)不同的外部存儲(chǔ)器類型，發(fā)出相應(yīng)的數(shù)據(jù)/地址/控制信號(hào)類型以匹配信號(hào)的速度，從而使得STM32系列微控制器不僅能夠應(yīng)用各種不同類型、不同速度的外部靜態(tài)存儲(chǔ)器，而且能夠在不增加外部器件的情況下同時(shí)擴(kuò)展多種不同類型的靜態(tài)存儲(chǔ)器，滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)存儲(chǔ)容量、產(chǎn)品體積以及成本的綜合要求。FSMC技術(shù)優(yōu)勢(shì)①支持多種靜態(tài)存儲(chǔ)器類型。STM32通過(guò)FSMC可以與SRAM、ROM、PSRAM、NOR Flash和NANDFlash存儲(chǔ)器的引腳直接相連。②支持豐富的存儲(chǔ)操作方法。FSMC不僅支持多種數(shù)據(jù)寬度的異步讀/寫(xiě)操作，而且支持對(duì)NOR/PSRAM/NAND存儲(chǔ)器的同步突發(fā)訪問(wèn)方式。③支持同時(shí)擴(kuò)展多種存儲(chǔ)器。FSMC的映射地址空間中，不同的BANK是獨(dú)立的，可用于擴(kuò)展不同類型的存儲(chǔ)器。當(dāng)系統(tǒng)中擴(kuò)展和使用多個(gè)外部存儲(chǔ)器時(shí)，F(xiàn)SMC會(huì)通過(guò)總線懸空延遲時(shí)間參數(shù)的設(shè)置，防止各存儲(chǔ)器對(duì)總線的訪問(wèn)沖突。④支持更為廣泛的存儲(chǔ)器型號(hào)。通過(guò)對(duì)FSMC的時(shí)間參數(shù)設(shè)置，擴(kuò)大了系統(tǒng)中可用存儲(chǔ)器的速度范圍，為用戶提供了靈活的存儲(chǔ)芯片選擇空間。⑤支持代碼從FSMC擴(kuò)展的外部存儲(chǔ)器中直接運(yùn)行，而不需要首先調(diào)入內(nèi)部SRAM。FSMC內(nèi)部結(jié)構(gòu)STM32微控制器之所以能夠支持NOR Flash和NAND Flash這兩類訪問(wèn)方式完全不同的存儲(chǔ)器擴(kuò)展，是因?yàn)镕SMC內(nèi)部實(shí)際包括NOR Flash和NAND/PC Card兩個(gè)控制器，分別支持兩種截然不同的存儲(chǔ)器訪問(wèn)方式。在STM32內(nèi)部，F(xiàn)SMC的一端通過(guò)內(nèi)部高速總線AHB連接到內(nèi)核Cortex－M3，另一端則是面向擴(kuò)展存儲(chǔ)器的外部總線。內(nèi)核對(duì)外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)信號(hào)發(fā)送到AHB總線后，經(jīng)過(guò)FSMC轉(zhuǎn)換為符合外部存儲(chǔ)器通信規(guī)約的信號(hào)，送到外部存儲(chǔ)器的相應(yīng)引腳，實(shí)現(xiàn)內(nèi)核與外部存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交互。FSMC起到橋梁作用，既能夠進(jìn)行信號(hào)類型的轉(zhuǎn)換，又能夠進(jìn)行信號(hào)寬度和時(shí)序的調(diào)整，屏蔽掉不同存儲(chǔ)類型的差異，使之對(duì)內(nèi)核而言沒(méi)有區(qū)別。FSMC映射地址空間FSMC管理1 GB的映射地址空間。該空間劃分為4個(gè)大小為256 MB的BANK，每個(gè)BANK又劃分為4個(gè)64 MB的子BANK，如表1所列。FSMC的2個(gè)控制器管理的映射地址空間不同。NOR Flash控制器管理第1個(gè)BANK，NAND/PC Card控制器管理第2～4個(gè)BANK。由于兩個(gè)控制器管理的存儲(chǔ)器類型不同，擴(kuò)展時(shí)應(yīng)根據(jù)選用的存儲(chǔ)設(shè)備類型確定其映射位置。其中，BANK1的4個(gè)子BANK擁有獨(dú)立的片選線和控制寄存器，可分別擴(kuò)展一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)設(shè)備，而B(niǎo)ANK2～BANK4只有一組控制寄存器。

　　表1：FSMC映射地址空間

　　配置

　　FSMC擴(kuò)展NOR Flash配置SRAM/ROM、NOR Flash和PSRAM類型的外部存儲(chǔ)器都是由FSMC的NOR Flash控制器管理的，擴(kuò)展方法基本相同，其中NOR Flash最為復(fù)雜。通過(guò)FSMC擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器時(shí)，除了傳統(tǒng)存儲(chǔ)器擴(kuò)展所需要的硬件電路外，還需要進(jìn)行FSMC初始化配置。FSMC提供大量、細(xì)致的可編程參數(shù)，以便能夠靈活地進(jìn)行各種不同類型、不同速度的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。外部存儲(chǔ)器能否正常工作的關(guān)鍵在于：用戶能否根據(jù)選用的存儲(chǔ)器型號(hào)，對(duì)配置寄存器進(jìn)行合理的初始化配置。確定映射地址空間根據(jù)選用的存儲(chǔ)器類型確定擴(kuò)展使用的映射地址空間。NOR Flash只能選用BANK1中的4個(gè)子BANK。選定映射子BANK后，即可確定以下2方面內(nèi)容：①硬件電路中用于選中該存儲(chǔ)器的片選線FSMC_NEi（i為子BANK號(hào)，i=1，…，4）；②FSMC配置中用于配置該外部存儲(chǔ)器的特殊功能寄存器號(hào)（如表1所列）。配置存儲(chǔ)器基本特征通過(guò)對(duì)FSMC特殊功能寄存器FSMC_BCRi（i為子BANK號(hào)，i=1，…，4）中對(duì)應(yīng)控制位的設(shè)置，F(xiàn)SMC根據(jù)不同存儲(chǔ)器特征可靈活地進(jìn)行工作方式和信號(hào)的調(diào)整。根據(jù)選用的存儲(chǔ)器芯片確定需要配置的存儲(chǔ)器特征，主要包括以下方面：①存儲(chǔ)器類型（MTYPE）是SRAM/ROM、PSRAM，還是NOR FlaSh；②存儲(chǔ)芯片的地址和數(shù)據(jù)引腳是否復(fù)用（MUXEN），F(xiàn)SMC可以直接與AD0～AD15復(fù)用的存儲(chǔ)器相連，不需要增加外部器件；③存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線寬度（MWID），F(xiàn)SMC支持8位/16位兩種外部數(shù)據(jù)總線寬度；④對(duì)于NOR Flash（PSRAM），是否采用同步突發(fā)訪問(wèn)方式（B URSTEN）；⑤對(duì)于NOR Flash（PSRAM），NWAIT信號(hào)的特性說(shuō)明（WAITEN、WAITCFG、WAITPOL）；⑥對(duì)于該存儲(chǔ)芯片的讀/寫(xiě)操作，是否采用相同的時(shí)序參數(shù)來(lái)確定時(shí)序關(guān)系（EXTMOD）。配置存儲(chǔ)器時(shí)序參數(shù)FSMC通過(guò)使用可編程的存儲(chǔ)器時(shí)序參數(shù)寄存器，拓寬了可選用的外部存儲(chǔ)器的速度范圍。FSMC的NORFlash控制器支持同步和異步突發(fā)兩種訪問(wèn)方式。選用同步突發(fā)訪問(wèn)方式時(shí)，F(xiàn)SMC將HCLK（系統(tǒng)時(shí)鐘）分頻后，發(fā)送給外部存儲(chǔ)器作為同步時(shí)鐘信號(hào)FSMC_CLK。此時(shí)需要的設(shè)置的時(shí)間參數(shù)有2個(gè)：①HCLK與FSMC_CLK的分頻系數(shù)（CLKDIV），可以為2～16分頻；②同步突發(fā)訪問(wèn)中獲得第1個(gè)數(shù)據(jù)所需要的等待延遲（DATLAT）。對(duì)于異步突發(fā)訪問(wèn)方式，F(xiàn)SMC主要設(shè)置3個(gè)時(shí)間參數(shù)：地址建立時(shí)間（ADDSET）、數(shù)據(jù)建立時(shí)間（DATAST）和地址保持時(shí)間（ADDHLD）。FSMC綜合了SRAM/ROM、PSRAM和NOR Flash產(chǎn)品的信號(hào)特點(diǎn)，定義了4種不同的異步時(shí)序模型。選用不同的時(shí)序模型時(shí)，需要設(shè)置不同的時(shí)序參數(shù)，如表2所列。在實(shí)際擴(kuò)展時(shí)，根據(jù)選用存儲(chǔ)器的特征確定時(shí)序模型，從而確定各時(shí)間參數(shù)與存儲(chǔ)器讀/寫(xiě)周期參數(shù)指標(biāo)之間的計(jì)算關(guān)系；利用該計(jì)算關(guān)系和存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中給定的參數(shù)指標(biāo)，可計(jì)算出FSMC所需要的各時(shí)間參數(shù)，從而對(duì)時(shí)間參數(shù)寄存器進(jìn)行合理的配置。3 STM32擴(kuò)展S29GL系列NOR Flash實(shí)例S29GL系列NOR Flash簡(jiǎn)介Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技術(shù)制造的高集成度NOR Flash存儲(chǔ)芯片，提供16～128 MB可選容量，支持最快25 ns的頁(yè)訪問(wèn)速度和110 ns的隨機(jī)訪問(wèn)速度，帶有最大64字節(jié)的寫(xiě)緩沖區(qū)，以提供更快、更高效的編程，是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中大容量存儲(chǔ)器擴(kuò)展的理想選擇。本文選用的型號(hào)為S29GL512P，容量為512×64K字（總?cè)萘?4 MB），擴(kuò)展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2個(gè)子BANK。STM32與S29GL512P的電路連接S25GL512P可通過(guò)控制引腳BYTE選擇對(duì)芯片的訪問(wèn)單位（字/字節(jié)），區(qū)別在于：①對(duì)于芯片引腳DQ15，字模式時(shí)傳送最高數(shù)據(jù)位D15；字節(jié)模式時(shí)傳送最低地址A-1。②字模式時(shí)，數(shù)據(jù)引腳D0～D15上傳送數(shù)據(jù)信號(hào)；字節(jié)模式時(shí)，只有D0～D7上有信號(hào)。此處，將BYTE上拉到高電平，選擇16位的字訪問(wèn)單位。FSMC數(shù)據(jù)線FSMC_D［15：0］與S29GL512P的D15～D0對(duì)應(yīng)連接；FSMC地址線FSMC_A［25：0］的低25根與S29GL512P的地址線A［24：0］對(duì)應(yīng)連接。由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2，可確定其片選線應(yīng)連接FSMC片選控制線FSMC_NE2。S29GL512P的RY/BY引腳連接FSMC的FSMC_NWAIT引腳，提供等待信號(hào)。FSMC的配置根據(jù)S29GL512P的映射位置，需要對(duì)FSMC_BCR2和FSMC_BTR2/BWTR2寄存器進(jìn)行配置。（1）FSMC_BCR2配置S29GL512P的讀/寫(xiě)采用統(tǒng)一時(shí)間參數(shù)，只需要設(shè)置時(shí)間寄存器FSMC_BTR2。配置存儲(chǔ)器類型為NORFlash，數(shù)據(jù)總線寬度為16位（字），不采用地址/數(shù)據(jù)復(fù)用，使能BANK1的子BANK2。（2）FSMC_BTR2由表2可知，異步NOR Flash時(shí)序模型Mode2/B需要設(shè)置時(shí)間參數(shù)DATAST和ADDSET。根據(jù)時(shí)序圖，兩個(gè)參數(shù)的計(jì)算公式如下：式中：Twc和Trc為所選存儲(chǔ)芯片的寫(xiě)周期長(zhǎng)度和讀操作周期長(zhǎng)度；Twp為所選存儲(chǔ)芯片的寫(xiě)信號(hào)持續(xù)長(zhǎng)度。根據(jù)S29GL512P用戶手冊(cè)，可知參數(shù)Twc=Trc=130 ns，Twp=35 ns。設(shè)STM32微控制器采用72 MHz主頻，則HCLK=（1/72×10-6）s。通過(guò)上述公式計(jì)算，可取值為：DATAST=2，ADDSET=5。為了達(dá)到更好的控制效果，還應(yīng)考慮FSMC自身延遲問(wèn)題，使用校正公式：式中：TAVQV為所選存儲(chǔ)芯片訪問(wèn)過(guò)程中，從地址有效至數(shù)據(jù)有效的時(shí)間域；Tsu（Data_NE）為STM32特征參數(shù)，從數(shù)據(jù)有效到FSMC_NE（片選）失效時(shí)間域；Ttv（A_NE）為STM32特征參數(shù)，從FSMC_NE有效至地址有效的時(shí)間域。TAVQV=130 ns，Tsu（Data_NE）+Ttv（A_NE］=36 ns，對(duì)DATAST參數(shù)進(jìn)行校正，可得DATAST=3。應(yīng)用STM32固件對(duì)FSMC進(jìn)行初始化配置ST公司為用戶開(kāi)發(fā)提供了完整、高效的工具和固件庫(kù)，其中使用C語(yǔ)言編寫(xiě)的固件庫(kù)提供了覆蓋所有標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)的函數(shù)，使用戶無(wú)需使用匯編操作外設(shè)特性，從而提高了程序的可讀性和易維護(hù)性。STM32固件庫(kù)中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件，主要包括2個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和3個(gè)函數(shù)。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef對(duì)應(yīng) 時(shí)間參數(shù)寄存器FSMC_BTR和FSMC_BWTR的結(jié)構(gòu)定義；FSMC_NORSRAMinitTypeDef對(duì)應(yīng)特征配置寄存器FSMC_BCR的結(jié)構(gòu)定義，并包含2個(gè)指向?qū)?yīng)BANK的FSMC_BTR和FSMC_BWTR寄存器的FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef結(jié)構(gòu)指針。針對(duì)上述S29GL512P芯片擴(kuò)展要求，利用固件庫(kù)進(jìn)行的主要初始化操作如下：

　　結(jié)語(yǔ)

　　STM32作為新一代ARM Cortex-M3核處理器，其卓越的性能和功耗控制能夠適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域；而其特殊的可變靜態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)FSMC具有高度的靈活性，對(duì)于存儲(chǔ)容量要求較高的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠在不增加外部分立器件的情況下，擴(kuò)展多種不同類型和容量的存儲(chǔ)芯片，降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，提高了系統(tǒng)的可靠性。

　　STM32探秘 之FSMC

　　STM32的FSMC真是一個(gè)萬(wàn)能的總線控制器，不僅可以控制SRAM，NOR FLASH，NAND FLASH，PC Card，還能控制LCD，TFT.

　　一般越是復(fù)雜的東西，理解起來(lái)就很困難，但是使用上卻很方便，如USB.

　　不過(guò)FSMC也有很詭異的地方。如

　　*（volatile uint16_t *）0x60400000=0x0;

　　// 實(shí)際地址A21=1，而非A22.［注：0x60400000=0x60000000|（1UL《《22） ］

　　*（volatile uint16_t *）0x60800000=0x0;

　　// 實(shí)際地址A22=1，而非A23 ［注：0x60800000=0x60000000|（1UL《《23） ］1234

　　為什么呢？那時(shí)我還以為軟件或硬件還是芯片有BUG，

　　我就是從上面的不解中開(kāi)始研究FSMC的…。。

　　1.FSMC信號(hào)引腳

　　STM32的管腳排列很沒(méi)有規(guī)律，而且分布在多個(gè)不同端口上，初始化要十分小心。需要用到的引腳都要先初始化成”復(fù)用功能推挽輸出”模式。（GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP ）

　　并且開(kāi)啟時(shí)鐘 （RCC_APB2PeriphClockCmd（RCC_APB2Periph_GPIOx， ENABLE）; ） 像STM32F103Z（144腳）芯片有獨(dú)立的地址和數(shù)據(jù)總線，而STM32F103V（100腳）就沒(méi)有， 地址和數(shù)據(jù)總線要像51單片機(jī)一樣分時(shí)復(fù)用，而在STM32F103R系列（64腳）就沒(méi)有FSMC模塊。

　　復(fù)用總線時(shí)管腳：

　　PD14，//FSMC_DA0

　　PD15，//FSMC_DA1

　　PD0 ，//FSMC_DA2

　　PD1 ，//FSMC_DA3

　　PE7 ，//FSMC_DA4

　　PE8 ，//FSMC_DA5

　　PE9 ，//FSMC_DA6

　　PE10，//FSMC_DA7

　　PE11，//FSMC_DA8

　　PE12，//FSMC_DA9

　　PE13，//FSMC_DA10

　　PE14，//FSMC_DA11

　　PE15，//FSMC_DA12

　　PD8 ，//FSMC_DA13

　　PD9 ，//FSMC_DA14

　　PD10，//FSMC_DA15

　　PD11，//FSMC_A16

　　PD12，//FSMC_A17

　　PD13，//FSMC_A18

　　PE3 ，//FSMC_A19

　　PE4 ，//FSMC_A20

　　PE5 ，//FSMC_A21

　　PE6 ，//FSMC_A22

　　PE2 ，//FSMC_A23

　　PG13，//FSMC_A24//STM32F103Z

　　PG14，//FSMC_A25//STM32F103Z

　　獨(dú)立的地址總線管腳：

　?。圩ⅲ嚎偩€是16Bit情況下，F(xiàn)SMC通過(guò)FSMC_NBL1，F(xiàn)SMC_NBL0，區(qū)分高低字節(jié)。下面W代表WORD，即16BIT字。］

　　PF0 ，//FSMC_A0 //2^1=2W =4 Bytes //144PIN STM32F103Z

　　PF1 ，//FSMC_A1 //2^2=4W =8 Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PF2 ，//FSMC_A2 //2^3=8W= 16 Bytes //144PIN STM32F103Z

　　PF3 ，//FSMC_A3 //2^4=16W =32 Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PF4 ，//FSMC_A4 //2^5=32W =64 Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PF5 ，//FSMC_A5 //2^6=64W =128 Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PF12，//FSMC_A6 //2^7=128W =256 Bytes //144PIN STM32F103Z

　　PF13，//FSMC_A7 //2^8=256W =512 Bytes //144PIN STM32F103Z

　　PF14，//FSMC_A8 //2^9= 512W =1k Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PF15，//FSMC_A9 //2^10=1kW =2k Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PG0 ，//FSMC_A10 //2^11=2kW =4k Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PG1 ，//FSMC_A11 //2^12=4kW =8k Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PG2 ，//FSMC_A12 //2^13=8kW =16k Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PG3 ，//FSMC_A13 //2^14=16kW =32k Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PG4 ，//FSMC_A14 //2^15=32kW =64k Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PG5 ，//FSMC_A15 //2^16=64kW =128k Bytes//144PIN STM32F103Z

　　PD11，//FSMC_A16 //2^17=128kW =256k Bytes

　　PD12，//FSMC_A17 //2^18=256kW =512k Bytes

　　PD13，//FSMC_A18 //2^19=512kW =1M Bytes

　　PE3 ，//FSMC_A19 //2^20=1MW =2M Bytes

　　PE4 ，//FSMC_A20 //2^21=2MW =4M Bytes

　　PE5 ，//FSMC_A21 //2^22=4MW =8M Bytes

　　PE6 ，//FSMC_A22 //2^23=8MW =16M Bytes

　　PE2 ，//FSMC_A23 //2^24=16MW =32M Bytes //100PIN STM32F103V MAX

　　PG13，//FSMC_A24 //2^25=32MW =64M Bytes //144PIN STM32F103Z

　　PG14，//FSMC_A25 //2^26=64MW =128M Bytes //144PIN STM32F103Z

　　獨(dú)立的數(shù)據(jù)總線管腳：

　　PD14，//FSMC_D0

　　PD15，//FSMC_D1

　　PD0 ，//FSMC_D2

　　PD1 ，//FSMC_D3

　　PE7 ，//FSMC_D4

　　PE8 ，//FSMC_D5

　　PE9 ，//FSMC_D6

　　PE10，//FSMC_D7

　　PE11，//FSMC_D8

　　PE12，//FSMC_D9

　　PE13，//FSMC_D10

　　PE14，//FSMC_D11

　　PE15，//FSMC_D12

　　PD8 ，//FSMC_D13

　　PD9 ，//FSMC_D14

　　PD10，//FSMC_D15

　　控制信號(hào)

　　PD4，//FSMC_NOE，/RD

　　PD5，//FSMC_NWE，/WR

　　PB7，//FSMC_NADV，/ALE

　　PE1，//FSMC_NBL1，/UB

　　PE0，//FSMC_NBL0，/LB

　　PD7，//FSMC_NE1，/CS1

　　PG9，//FSMC_NE2，/CS2

　　PG10，//FSMC_NE3，/CS3

　　PG12，//FSMC_NE4，/CS4

　　//PD3，//FSMC_CLK

　　//PD6，//FSMC_NWAIT

　　2.地址的分配

　　地址與片選是掛勾的，也就是說(shuō)器件掛載在哪個(gè)片選引腳上，就固定了訪問(wèn)地址范圍和FsmcInitStructure.FSMC_Bank

　　//地址范圍：0x60000000~0x63FFFFFF，片選引腳PD7（FSMC_NE1），最大支持容量64MB，

　　//［在STM32F103V（100腳）上地址范圍為A0~A23，最大容量16MB］

　　FsmcInitStructure.FSMC_Bank =FSMC_Bank1_NORSRAM1;

　　//地址范圍：0x64000000~0x67FFFFFF， 片選引腳PG9（FSMC_NE2），最大支持容量64MB

　　FsmcInitStructure.FSMC_Bank =FSMC_Bank1_NORSRAM2;

　　//地址范圍：0x68000000~0x6BFFFFFF，片選引腳PG10（FSMC_NE3），最大支持容量64MB

　　FsmcInitStructure.FSMC_Bank =FSMC_Bank1_NORSRAM3;

　　//地址范圍：0x6C000000~0x6FFFFFFF，片選引腳（PG12 FSMC_NE4），最大支持容量64MB

　　FsmcInitStructure.FSMC_Bank =FSMC_Bank1_NORSRAM4;

　　12345678910111213

　　3.時(shí)序測(cè)量

　　簡(jiǎn)單原理草圖

　　寫(xiě)數(shù)據(jù)的時(shí)序

　　讀數(shù)據(jù)的時(shí)序

　　1.數(shù)據(jù)總線設(shè)定為16位寬情況下測(cè)量FSMC時(shí)序，即

　　FsmcInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b; 1

　　使用邏輯分析儀測(cè)量（循環(huán)執(zhí)行下面這條語(yǔ)句，下同）的波形

　　*（volatile uint16_t *）（0x60002468UL）=0xABCD;

　　12

　　可以看出NADV下降沿瞬間DATABUS上的數(shù)據(jù)被鎖存器鎖存，接著NWE低電平，總線輸出0xABCD，數(shù)據(jù)0xABCD被寫(xiě)入0x1234這個(gè)地址。

　　*（volatile uint16_t*）（0x60002469UL ）=0xABCD;

　　12

　　what？向這個(gè)地址寫(xiě)出現(xiàn)了兩次總線操作。

　　為了一探究竟，我引出了控制線。

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000468UL ）=0xABCD;

　　12

　　向0x60000468UL寫(xiě)入0xABCD到底會(huì)發(fā)什么？

　　從時(shí)序圖中我們可以看到， 向0x60000468UL在地址（在范圍：0x60000000~0x63FFFFFF內(nèi)）寫(xiě)入數(shù)據(jù)，片選引腳PD7（FSMC_NE1）被拉低。而在這之前，數(shù)據(jù)總線上先產(chǎn)生0x234，于是在NADV下降沿瞬間，數(shù)據(jù)被鎖存在地址鎖存器上（A0~A15），與A16~A25（如果有配置的話，會(huì)在NE1下降沿同時(shí)送出）組合成完整的地址信號(hào)。然而有人會(huì)問(wèn)這個(gè)0x234是哪來(lái)的，你是否注意到它正好等于0x468/2，難道是巧合嗎？不是的，在16位數(shù)據(jù)總線情況下（NORSRAMInitStrc.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;），

　　像這樣

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000|addr）=0xABCD;

　　12

　　寫(xiě)入一個(gè)值，實(shí)際在地址線上產(chǎn)生的值是addr/2（即addr》》2），

　　所以如果我們一定要向addrx寫(xiě)入0xABCD則我們要這樣寫(xiě)

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000|addrx《《1）=0xABCD;1

　　NADV為高電平時(shí)， NEW被拉低，NOE為高，且NBL1，NBL0為低，隨后數(shù)據(jù)總線線上產(chǎn)生0xABCD于是0xABCD被寫(xiě)進(jìn)SRAM的地址0x234中

　　那如果我們向一個(gè)奇數(shù)地址像這樣

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000469UL ）=0xABCD;寫(xiě)入值會(huì)發(fā)生什么呢？

　　12

　　從圖中我們可以看到，STM32其實(shí)分成了兩次字節(jié)寫(xiě)的過(guò)程，第一次向0x469/2寫(xiě)入0xCD，第二次向0x469/2+1寫(xiě)入0xAB，

　　有人會(huì)問(wèn)你為什么這樣說(shuō)，NWE為低時(shí)總線上不是0xCDAB嗎？沒(méi)錯(cuò)，但是注意NBL1，NBL0的電平組合，NBL1連接到SRAM的nUB，NBL0連接到SRAM的nLB.第一次NEW為低時(shí)NBL1為低，NBL0為高，0xCDAB的高位被寫(xiě)入SRAM的0x234，第二次NWE為低時(shí)NBL1為高，NBL0為低，0xCDAB的低位被寫(xiě)入SRAM的0x235.

　　當(dāng)我們查看反匯編時(shí)發(fā)現(xiàn)，指令是相同的

　　0x080036C4 0468 DCW 0x0468

　　0x080036C6 6000 DCW 0x6000

　　MOVW r0，#0xABCD

　　LDR r1，［pc，#420］ ; @0x080036C4//r1=0x60000468

　　STRH r0，［r1，#0x00］

　　0x080036C4 0469 DCW 0x0469

　　0x080036C6 6000 DCW 0x6000

　　MOVW r0，#0xABCD

　　LDR r1，［pc，#420］ ; @0x080036C4//r1=0x60000469

　　STRH r0，［r1，#0x00］123456789101112

　　以上是寫(xiě)入的時(shí)序，下面測(cè)量讀取的時(shí)序

　　首先我們向SRAM的真實(shí)地址0x234，0x235分別寫(xiě)入0x8824，0x6507

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x234 《《1 ）=0x8824;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x235 《《1 ）=0x6507;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x236 《《1 ）=0x6735;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x237 《《1 ）=0x2003;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x238 《《1 ）=0x6219;12345

　　然后讀?。?/p>

　　tmp=*（volatile uint16_t*）（0x60000468UL ）;

　　12

　　如圖tmp結(jié)果為0x8824

　　再試

　　tmp=*（volatile uint16_t*）（0x60000469UL ）;

　　12

　　nUB=nLB=0;按16bit讀

　　從0x234讀得0X8824取高字節(jié)”88”作tmp低8位

　　從0x235讀得0X6507取低字節(jié)”07”作tmp高8位

　　最終tmp=0x0788

　　接下來(lái)驗(yàn)證更特殊的

　　*（volatile uint8_t*）（0x60000469UL ）=0xABCD;

　　12

　　由于NBL1=0，NBL0=1，0xCD被寫(xiě)入0x234的高地址，

　　數(shù)據(jù)總線上出現(xiàn)的值是0xCDNN， NN是隨機(jī)數(shù)據(jù)，不過(guò)一般是和高位一樣的值

　　*（volatile uint8_t*）（0x60000468UL ）=0xABCD;

　　12

　　由于NBL1=1，NBL0=0，0xCD被寫(xiě)入0x234的低地址，

　　數(shù)據(jù)總線上出現(xiàn)的值是0xNNCD，NN是隨機(jī)數(shù)據(jù)

　　驗(yàn)證字節(jié)讀取的

　　首先我們向SRAM的真實(shí)地址0x234，0x235分別寫(xiě)入0x8824，0x6507

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x234 《《1 ）=0x8824;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x235 《《1 ）=0x6507;12

　　然后這樣讀取

　　tmp=*（volatile uint8_t*）（0x60000469UL ）;//對(duì)奇地址的單字節(jié)讀取，數(shù)據(jù)總線的高8位被返回 tmp=0x88

　　12

　　tmp=*（volatile uint8_t*）（0x60000468UL ）;//對(duì)偶地址的單字節(jié)讀取，數(shù)據(jù)總線的低8位被返回 tmp=0x24

　　12

　　還有更特殊的沒(méi)有，有！

　　*（volatile int64_t*）（0x60000468UL）=0XABCDEF1234567890;//0XABCD EF12 3456 7890，如圖，分別進(jìn)行了4次操作才寫(xiě)完：

　　12

　　*（volatile int64_t*）（0x60000469UL）=0XABCDEF1234567890;//0XABCD EF12 3456 7890，如圖，對(duì)奇地址寫(xiě)比偶地址多一次操作：

　　12

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x234 《《1 ）=0x8824;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x235 《《1 ）=0x6507;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x236 《《1 ）=0x6735;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x237 《《1 ）=0x2003;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000000UL |0x238 《《1 ）=0x6219;12345

　　tmp=*（volatile int64_t*）（0x60000469UL）;// tmp=0x1920036735650788

　　12

　　tmp=*（volatile int64_t*）（0x60000468UL）; //tmp=0x2003673565078824

　　12

　　1.數(shù)據(jù)總線設(shè)定為8位寬情況下測(cè)量FSMC時(shí)序，即

　　FsmcInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000468UL ）=0xABCD;

　　12

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000469UL ）=0xABCD;

　　12

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000468UL ）=0x3344;

　　*（volatile uint16_t*）（0x60000469UL ）=0xABCD;

　　123

　　tmp=（volatile uint16_t）（0x60000469UL ）; //tmp=0xabcd

　　tmp=*（volatile uint16_t*）（0x60000468UL ）;

　　12

　　tmp=0xcd44

　　tmp=*（volatile uint8_t*）（0x60000468UL ）;

　　12

　　tmp=0x44

　　tmp=*（volatile uint8_t*）（0x60000469UL ）;

　　tmp=0xcd

　　123

　　*（volatile uint8_t*）（0x60000469UL ）=0xABCD;

　　12

　　*（volatile uint8_t*）（0x60000468UL ）=0xABCD;

　　12

　　tmp=*（volatile uint64_t*）（0x60000468UL ）;

　　tmp=0x2003673565ABCD44

　　123

　　tmp=*（volatile uint64_t*）（0x60000469UL ）;//tmp=0x192003673565ABCD

　　12

　　*（volatile uint64_t*）（0x60000469UL ）=0XABCDEF1234567890;

　　12

　　*（volatile uint64_t*）（0x60000468UL ）=0XABCDEF1234567890;

　　12

　　鼓搗這么多，看得頭都大了，先寫(xiě)到這，以后有發(fā)現(xiàn)再補(bǔ)充了