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標(biāo)簽 > EPROM
EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明,是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存芯片——即非易失性的(非揮發(fā)性)。本章詳細(xì)EEPROM是什么,EPROM編程過程,E2PROM與EPROM,E2PROM和EPROM,EPROM型號,EPROM和E2PROM的區(qū)別,EPROM的工作原理
EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明,是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存芯片——即非易失性的(非揮發(fā)性)。它是一組浮柵晶體管,被一個(gè)提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后,EPROM只能用強(qiáng)紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口,很容易識別EPROM,這個(gè)窗口同時(shí)用來進(jìn)行紫外線擦除??梢詫PROM的玻璃窗對準(zhǔn)陽光直射一段時(shí)間就可以擦除。
EPROM由以色列工程師Dov Frohman發(fā)明,是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存芯片——即非易失性的(非揮發(fā)性)。它是一組浮柵晶體管,被一個(gè)提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后,EPROM只能用強(qiáng)紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口,很容易識別EPROM,這個(gè)窗口同時(shí)用來進(jìn)行紫外線擦除??梢詫PROM的玻璃窗對準(zhǔn)陽光直射一段時(shí)間就可以擦除。
工作原理
浮柵中沒有電子注入時(shí),在控制柵加電壓時(shí),浮柵中的電子跑到上層,下層出現(xiàn)空穴。
由于感應(yīng),便會(huì)吸引電子,并開啟溝道。
如果浮柵中有電子的注入時(shí),即加大的管子的閾值電壓,
溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開關(guān)功能。
如圖二所示,這是EPROM的寫入過程,在漏極加高壓,電子從源極流向漏極溝道充分開啟。在高壓的作用下,電子的拉力加強(qiáng),能量使電子的溫度極度上升,變?yōu)闊犭娮樱╤ot electrON)。這種電子幾乎不受原子的振動(dòng)作用引起的散射,在受控制柵的施加的高壓時(shí),熱電子使能躍過SiO2的勢壘,注入到浮柵中。
在沒有別的外力的情況下,電子會(huì)很好的保持著。在需要消去電子時(shí),利用紫外線進(jìn)行照射,給電子足夠的能量,逃逸出浮柵。[2]
EEPROM的寫入過程,是利用了隧道效應(yīng),即能量小于能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達(dá)另一邊。
量子力學(xué)認(rèn)為物理尺寸與電子自由程相當(dāng)時(shí),電子將呈現(xiàn)波動(dòng)性,這里就是表明物體要足夠的小。
就pn結(jié)來看,當(dāng)p和n的雜質(zhì)濃度達(dá)到一定水平時(shí),并且空間電荷極少時(shí),電子就會(huì)因隧道效應(yīng)向?qū)нw移。
電子的能量處于某個(gè)級別允許級別的范圍稱為“帶”,較低的能帶稱為價(jià)帶,較高的能帶稱為導(dǎo)帶。
電子到達(dá)較高的導(dǎo)帶時(shí)就可以在原子間自由的運(yùn)動(dòng),這種運(yùn)動(dòng)就是電流。
EEPROM寫入過程,如圖3所示,根據(jù)隧道效應(yīng),包圍浮柵的SiO2,必須極薄以降低勢壘。
源漏極接地,處于導(dǎo)通狀態(tài)。在控制柵上施加高于閾值電壓的高壓,以減少電場作用,吸引電子穿越。
EPROM和EEPROM有什么區(qū)別
瞬間說的沒錯(cuò)。
EPROM有一個(gè)小玻璃窗口,用紫外線照射檫除,主要應(yīng)用于存儲(chǔ)單片機(jī)的程序代碼,只能離線寫入代碼。
EEPROM用電檫除,主要用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù),掉電后數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失,且可以在線編程寫入數(shù)據(jù)。
現(xiàn)在都還有應(yīng)用。
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