DRAM

dram知識(shí)

• 美光科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

  據(jù)業(yè)內(nèi)消息，美光科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能，與去年相似。得益于美國政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼，美光近期將具體落實(shí)對

  2025-01-07 標(biāo)簽： DRAM 美光科技 HBM 287 0

• SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對AI芯片市場旺盛需求

  SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅

  2025-01-07 標(biāo)簽： DRAM SK海力士 HBM 232 0

• 國產(chǎn)DDR5內(nèi)存上市,內(nèi)存市場價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)

  隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Tren

  2025-01-07 標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存 DDR5 286 0

• AI興起推動(dòng)HBM需求激增，DRAM市場面臨重塑

  TechInsights的最新報(bào)告揭示了AI興起對高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密

  2024-12-26 標(biāo)簽： 處理器 DRAM AI 223 0

• Kioxia發(fā)布OCTRAM技術(shù)，開啟低功耗DRAM新篇章

  近日，在存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)域，Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實(shí)力，宣布成功開發(fā)出OCTRAM(氧化物半

  2024-12-24 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 DRAM Kioxia 363 0

• 南亞科技與補(bǔ)丁科技攜手開發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存

  近日，臺(tái)灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布，已與專業(yè)DRAM設(shè)計(jì)公司補(bǔ)丁科技達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同致力于定制超高帶寬

  2024-12-20 標(biāo)簽： DRAM 帶寬 內(nèi)存 184 0

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  DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

  本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理，以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動(dòng)態(tài)

  2024-12-17 標(biāo)簽： DRAM 存儲(chǔ)器 660 0

• iPhone的DRAM封裝，有變！

  來源： thelec 三星已經(jīng)開始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。 消息人士稱，這家韓國科

  2024-12-09 標(biāo)簽： DRAM iPhone 封裝 158 0

• SK 海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  據(jù) Businesses Korea 報(bào)道，SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了

  2024-12-06 標(biāo)簽： DRAM SK海力士 HBM 316 0

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  AI時(shí)代核心存力HBM(上)

  ? 一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 時(shí)代的必需品作為行業(yè)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM 針對不同

  2024-11-16 標(biāo)簽： DRAM 存儲(chǔ) HBM 704 0

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