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標簽 > Cree
科銳成立于1987年,是美國上市公司(1993年,納斯達克:CREE),為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者。Cree公司是市場上領(lǐng)先的照明革新者與半導(dǎo)體制造商,以顯著提高固態(tài)照明,電力及通訊產(chǎn)品的能源效果來提高價值。
說到GaN(氮化鎵)產(chǎn)品,不得不說到一家美國公司:CREE科銳,可以說,講GaN材料應(yīng)用到極致,并產(chǎn)生商業(yè)價值最大化,全
Wolfspeed的CGHV14250是種致力于高效化設(shè)計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,CGHV
Wolfspeed的CGH40120是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40120選用
Wolfspeed的CMPA5259025F專門為實現(xiàn)高效率而設(shè)計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化鎵為載體(GaN)晶體管具有較高電子遷移率(HEMT)單片微波集成電路(
Cree燈珠內(nèi)部空洞 ? ymf
Cree|Wolfspeed與意法半導(dǎo)體擴大現(xiàn)有150mm SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery 表示:“此次最新的擴大與科銳的長期晶圓供應(yīng)協(xié)議,將繼續(xù)提高我
山東天岳IPO申請在即 第三代半導(dǎo)體中國廠商如何逆襲?
5月31日,華為旗下的哈勃投資參與A輪融資的山東天岳先進科技股份有限公司(以下簡稱“山東天岳”)提交了科創(chuàng)板IPO申請,
當?shù)貢r間3月31日(周三),美國總統(tǒng)拜登在賓夕法尼亞州匹茲堡發(fā)表講話,并公布了一項2萬億美元的基礎(chǔ)設(shè)施計劃。該計劃為期8
2021-04-08 標簽: 安森美半導(dǎo)體 Cree 5G 3639 0
科銳成立于1987年,是美國上市公司(1993年,納斯達克:CREE),為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者。
Cree公司是市場上領(lǐng)先的照明革新者與半導(dǎo)體制造商,以顯著提高固態(tài)照明,電力及通訊產(chǎn)品的能源效果來提高價值。
Cree的市場優(yōu)勢來源于碳化硅(SiC)材料,以及用此來外延芯片和制備相關(guān)的器件。這些芯片及器件可在很小的空間里用更大的功率,同時比別的現(xiàn)有技術(shù)、材料及產(chǎn)品產(chǎn)生熱量更少。
Cree把能源回歸解決方案(ROE?)用于多種用途,包括在更亮及可調(diào)節(jié)的發(fā)光二極管光照明(LED),更鮮艷的背光顯示,高電流開關(guān)電源和變轉(zhuǎn)速電動機的最佳電力管理,和更為有效的數(shù)據(jù)與聲音通訊的無線基礎(chǔ)設(shè)施等方面有令人興奮的可選擇的方案。Cree的顧客有從創(chuàng)新照明燈具制造商到與國防有關(guān)的聯(lián)邦機構(gòu)。
我國LED封裝行業(yè)競爭優(yōu)勢及定位的詳細介紹和分析資料概述
競爭優(yōu)勢不能簡化為一個公式或者一個運算法則,如果能簡化成簡單的公式或者法則,那么這個公式也就沒有什么價值了,因為每個人都能輕易的得到他。
CREE射頻功放提高視頻帶寬降低記憶效應(yīng)設(shè)計分析
圖2所示,fr表征的是晶體管輸出段低頻諧振頻率,頻率越高,VBW越寬,Ltot指得是供電線跟旁路電容組成的等效電感,Ctot指的是晶體管漏級之間的電容,...
在LED燈具之所以壽命短主要是電源的壽命短,而電源之所以壽命短是因為電解電容壽命短。本文剖析了決定電解電容壽命的主要因素,技術(shù)特點和三種延長電解電容壽命的方法。
Cree EZ400 LED數(shù)據(jù)手冊立即下載
2011-06-03 標簽:LED數(shù)據(jù)手冊 0 940
說到GaN(氮化鎵)產(chǎn)品,不得不說到一家美國公司:CREE科銳,可以說,講GaN材料應(yīng)用到極致,并產(chǎn)生商業(yè)價值最大化,全球沒有第二家公司超越。 經(jīng)常聽到...
Wolfspeed的CGHV14250是種致力于高效化設(shè)計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;從而使CGHV14250成...
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,CGHV60170D具備更優(yōu)越的使用性能...
Wolfspeed的CGH40120是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40120選用28伏電源供應(yīng);具備通用型;各種...
Wolfspeed的CMPA5259025F專門為實現(xiàn)高效率而設(shè)計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益;和寬帶寬性能;從而使得CMPA...
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化鎵為載體(GaN)晶體管具有較高電子遷移率(HEMT)單片微波集成電路(MMIC),處于碳化硅襯底上;采...
Cree|Wolfspeed與意法半導(dǎo)體擴大現(xiàn)有150mm SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議
意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery 表示:“此次最新的擴大與科銳的長期晶圓供應(yīng)協(xié)議,將繼續(xù)提高我們?nèi)?SiC 襯底供應(yīng)的靈活性。
山東天岳IPO申請在即 第三代半導(dǎo)體中國廠商如何逆襲?
5月31日,華為旗下的哈勃投資參與A輪融資的山東天岳先進科技股份有限公司(以下簡稱“山東天岳”)提交了科創(chuàng)板IPO申請,根據(jù)山東天岳披露的招股說明書(申...
當?shù)貢r間3月31日(周三),美國總統(tǒng)拜登在賓夕法尼亞州匹茲堡發(fā)表講話,并公布了一項2萬億美元的基礎(chǔ)設(shè)施計劃。該計劃為期8年,為拜登-哈里斯政府“重建更美...
2021-04-08 標簽:安森美半導(dǎo)體Cree5G 3639 0
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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CLYBA-FKA-CFHHKL9BBB7A363 | Red, Green, Blue (RGB) 622nm Red, 530nm Green, 470nm Blue LED Indication Discrete 2.1V Red, 2.7V Green, 3V Blue Lens 6-SMD, J-Lead |
獲取價格
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C566C-RFF-CT0W0BB2 | LED RED CLEAR 5MM OVAL T/H |
獲取價格
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C566C-RFE-CT0W0BB2 | LED RED CLEAR 5MM OVAL T/H |
獲取價格
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C566C-GFF-CV0Z0792 | Green 527nm LED Indication Discrete 3.4V Clear Lens Radial |
獲取價格
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C566C-BFF-CS0W0352 | LED BLUE CLEAR 5MM OVAL T/H |
獲取價格
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