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標簽 > 7納米工藝
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賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司宣布一項合作,將構建加速器測試芯片
CCIX將利用現(xiàn)有的服務器互連基礎架構,實現(xiàn)對共享內(nèi)存更高帶寬、更低延遲和緩存一致性的訪問。這將大幅提升加速器的可用性以及數(shù)據(jù)中心平臺的整體性能和效率,...
Credo于TSMC 2018南京OIP研討會首次公開展示7納米工藝結點112G SerDes
Credo 在2016年展示了其獨特的28納米工藝節(jié)點下的混合訊號112G PAM4 SerDes技術來實現(xiàn)低功耗100G光模塊,并且快速地躍進至16納...
據(jù)國外媒體援引業(yè)內(nèi)人士的觀點指出,由于10納米以下芯片的生產(chǎn)工作需要大量資本投入,大量芯片制造商紛紛基于成本考慮選擇將業(yè)務重點繼續(xù)放在現(xiàn)有14/12納米...
2018-09-09 標簽:芯片高通聯(lián)發(fā)科 4490 0
新思科技(Synopsys)執(zhí)行長Aart de Geus表示,現(xiàn)在是AI的時代,摩爾定律未死,科技正在改變一切事物,“摩爾定律沒死,只是變得越來越昂貴。
高通:7納米工藝能否實現(xiàn) 電容縮放最具挑戰(zhàn)性
之前IBM 曾今就在 Nanosheets技術上展開了設想,但是高通走出了一條不一樣的道路。高通研發(fā)NanoRings技術中,曾經(jīng)認為制程工藝要降至7納...
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