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標(biāo)簽 > 3dnand
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詳細(xì)解讀長(zhǎng)江存儲(chǔ)致鈦SSD、3D NAND的故事
小米以 13%的市場(chǎng)份額排名第三,出貨 4620 萬臺(tái),環(huán)比大增 75%。值得注意的是,這是小米首次超過蘋果獲得了第三名。
2020-11-25 標(biāo)簽:SSD半導(dǎo)體工藝長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4213 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3DNAND存儲(chǔ)工藝上去的重大突破
近日美國(guó)對(duì)華為的芯片禁令正式生效了,在美國(guó)政府的持續(xù)打壓下,世界上主要的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商按照美國(guó)政府的禁令對(duì)華為進(jìn)行了斷供。
2020-09-28 標(biāo)簽:長(zhǎng)江存儲(chǔ)3DNAND 6054 0
長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功
作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND...
2020-04-13 標(biāo)簽:NANDSSD長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1537 0
美光已流片第一批第四代3DNAND存儲(chǔ)芯片 有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存
美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片,它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存,但美光警告稱,使...
中國(guó)首款64層3DNAND閃存即將亮相 將推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展
2019年9月2日,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking...
2019-09-02 標(biāo)簽:閃存紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3698 0
紫光存儲(chǔ)發(fā)布企業(yè)級(jí)SSD新品 采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3DNAND
近日,紫光存儲(chǔ)在第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)中展出了一款面向企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的固態(tài)硬盤P8260。
2019-04-19 標(biāo)簽:SSD紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5414 0
海派世通的FlashXE?可實(shí)現(xiàn)3D NAND的最大可靠性
最近推出的FlashXE生態(tài)系統(tǒng)通過一系列功能集確保了基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的最大可靠性,該功能包括廣泛的校準(zhǔn),出色的糾錯(cuò)恢復(fù),錯(cuò)誤避免和刷新機(jī)制。
96層3D NAND 2019年量產(chǎn)或有希望,對(duì)應(yīng)的解決方案已經(jīng)就緒
為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度,NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加,單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代,展...
“紫光國(guó)芯”更名“紫光國(guó)微” 長(zhǎng)江存儲(chǔ)3DNAND存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)在即
自5月8日起,紫光國(guó)芯的證券簡(jiǎn)稱由“紫光國(guó)芯”變更為“紫光國(guó)微”。公告稱,公司在紫光集團(tuán)“從芯到云”總體戰(zhàn)略的部署下,從事集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)業(yè)務(wù)。而這一...
2018-05-14 標(biāo)簽:紫光國(guó)芯長(zhǎng)江存儲(chǔ)3dnand 4.6萬 0
美光科技推三種二代3D NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品 預(yù)計(jì)2020年手機(jī)具備AI功能
智能手機(jī)已然成為攝影和多媒體共享的首選設(shè)備,存儲(chǔ)容量需求將繼續(xù)顯著增加,目前旗艦級(jí)手機(jī)的容量最高為 256GB,預(yù)計(jì)到 2021 年容量將增長(zhǎng)到 1TB。
武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地3D NAND量產(chǎn)日期指日可待
在國(guó)家存儲(chǔ)器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,預(yù)計(jì)2018年4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備,力爭(zhēng)三季度量產(chǎn)。
美光與英特爾合作伙伴關(guān)系將終止 因3D-NAND不符合目前市場(chǎng)
近日,美光與英特爾宣布NAND Flash合作伙伴關(guān)系即將終止,據(jù)悉是因?yàn)?6層3D-NAND不符合目前的市場(chǎng),要形成主流起碼要到2019年。
目前,NAND Flash市場(chǎng)被三星與東芝聯(lián)合的Toggle DDR陣營(yíng)和英特爾與鎂光為首的ONFI陣營(yíng)把持,三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國(guó)外巨...
2017-04-11 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)半導(dǎo)體芯片3DNAND 3798 0
市場(chǎng)供不應(yīng)求,存儲(chǔ)價(jià)格將延續(xù)上漲趨勢(shì)
以各原廠的技術(shù)進(jìn)展來看,三星去年進(jìn)度最快已成功量產(chǎn)3D NAND,去年底出貨占比已達(dá)35%,最先進(jìn)的64層芯片將在今年第1季放量投片,3D NAND的出...
2017-03-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)半導(dǎo)體芯片3DNAND 984 0
改變國(guó)內(nèi)缺芯格局,從存儲(chǔ)芯片開始
紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)投資建設(shè),主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲(chǔ)芯片等,占地面積約1500畝。項(xiàng)目一期投資約100億美元...
2017-02-15 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)半導(dǎo)體芯片3DNAND 1564 0
強(qiáng)“芯”戰(zhàn)略下存儲(chǔ)有望率先突破
由于2D NAND Flash架構(gòu)面臨技術(shù)推進(jìn)瓶頸,芯片容量難再提升,使得存儲(chǔ)器大廠2016年起明顯擴(kuò)大3D NAND Flash投資,2D NAND ...
2016-12-22 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)半導(dǎo)體芯片3DNAND 735 0
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