3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

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3d nand技術(shù)

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細(xì)長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們在每個...

2024-03-20 標(biāo)簽：刻蝕 3d nand 1131 0

3D NAND的主要制作流程

SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實(shí)際有64，128，400層等層數(shù)。

2024-03-19 標(biāo)簽：3d nand 芯片制程 997 0

關(guān)于半導(dǎo)體價值鏈分析（設(shè)計、制造和后制造）

半導(dǎo)體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 半導(dǎo)體制造 1546 0

3D NAND層數(shù)“爭霸賽”，300層雖遲但到

眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...

2023-08-30 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤 604 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導(dǎo)體器件的微型化也越來越依賴于集成T...

2023-07-25 標(biāo)簽：存儲器 TSV 3d nand 777 0

存儲芯片是什么存儲芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品，我們?nèi)粘Ｋ械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預(yù)測，2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到1675億美元，...

2023-07-07 標(biāo)簽：fpga asic 存儲芯片 1.4萬 0

典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術(shù)分析

這種存儲技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年，NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度，以...

2023-06-27 標(biāo)簽：存儲器 3d nand 隨機(jī)存取存儲器 2146 0

高端性能封裝平臺的主要技術(shù)趨勢解析

3D 堆棧存儲器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻(xiàn)者，到 2028 年占總市場份額的 70% 以上。增長最快的四大 =平臺是 3D ...

2023-06-16 標(biāo)簽：存儲器封裝技術(shù)3d nand 667 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片蝕刻技術(shù) 2225 0

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標(biāo)簽：晶體管蝕刻工藝 3d nand 1745 0

3d nand帖子

3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？

標(biāo)簽：NAND 晶體 3d nand 2669 1

3D NAND及PCIe NVMe SSD為什么能晉升巿場主流？

標(biāo)簽：SSD 3d nand 2417 3

3d nand資料下載

3D NAND對比2D NAND的優(yōu)勢立即下載

類別：嵌入式開發(fā) 2017-10-13 標(biāo)簽：閃存 3d nand 2d nand 1393 0

3d nand資訊

預(yù)期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...

2024-06-29 標(biāo)簽：NAND 存儲器 3d nand 4525 0

NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價格暴漲

消息人士指出，NAND封裝短缺對供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個月的時間，屆時一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤的價格將 "暴漲"。

2024-01-19 標(biāo)簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 445 0

簡單介紹全球前五大存儲廠商

主流存儲芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲，存儲晶圓的設(shè)計及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高...

2023-11-21 標(biāo)簽：DRAM 存儲器存儲芯片 5175 0

三星計劃全面提高DDR5產(chǎn)量，過去一個月上漲5-10%

英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。

2023-11-10 標(biāo)簽：芯片內(nèi)存條 RCD 572 0

如何看待3D DRAM技術(shù)？

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。

2023-05-31 標(biāo)簽：DRAM NAND 3d nand 600 0

Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存

傳統(tǒng)上，控制邏輯和單元邏輯是在一個晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC)，而 WD 和 Kiox...

2023-04-04 標(biāo)簽：閃存 NAND 3d nand 1704 0

2023年存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)應(yīng)用展望

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）存儲產(chǎn)業(yè)在2022年經(jīng)歷了市場行情下跌、價格下滑、原廠縮減資本支出等形勢。不過數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)等需求仍然堅(jiān)挺。市場波動...

2023-01-22 標(biāo)簽：存儲 3d nand PCIe 5.0 4024 0

存儲供應(yīng)商正在競相為 3D NAND 添加更多層

西門子 EDA技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理 Ben Whitehead 表示：“處理器的摩爾定律在過去幾年中一直滯后，但對于 NAND 閃存來說仍然存在并且很好 ?！?...

2022-08-30 標(biāo)簽：存儲器堆疊 3d nand 762 0

PCIe 5.0進(jìn)入快車道加速NAND的迭代升級

預(yù)計到2025年，國內(nèi)企業(yè)級SSD市場規(guī)模將增至489億元，5年間復(fù)合增速約25%，而PCIe SSD市場份額比例將增至90%。

2022-08-08 標(biāo)簽：SSD 3d nand PCIe5.0 1850 0

傳三星預(yù)將芯片制造價格上調(diào)至多20％；美光首發(fā)232層3D NAND，將于2022年末量產(chǎn)

傳三星預(yù)將芯片制造價格上調(diào)至多 20％ ? 根據(jù)外媒的最新消息，三星正就將芯片制造價格提高20%進(jìn)行商議。值得注意的是，除了三星之外，臺積電此前也宣布，...

2022-05-15 標(biāo)簽：三星電子芯片制造美光 1.2萬 0

3d nand數(shù)據(jù)手冊

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