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      標(biāo)簽　>　驅(qū)動(dòng)電阻

      驅(qū)動(dòng)電阻

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      驅(qū)動(dòng)電阻技術(shù)

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      2024-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管場效應(yīng)晶體管 2589 0

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      2024-07-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電阻 1589 0

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      MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的大小對其工作性能有著顯著的影響，這些影響涉及開關(guān)速度、開關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小影響...

      2024-07-23 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 3120 0

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      本應(yīng)用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓?fù)渲衅骄?LED 電流的依賴性來源。由于其設(shè)計(jì)工作在低于 150 kHz 的開關(guān)頻率，因此本文檔將介紹如何使用...

      2024-01-30 標(biāo)簽：led電流驅(qū)動(dòng)電阻 362 0

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      這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。

      2023-12-05 標(biāo)簽：IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 9037 0

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      對比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；

      2023-11-10 標(biāo)簽：二極管電流IGBT 5302 0

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      在簡單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后，如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。

      2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFETMOS管寄生電容 4367 0

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      眾所周知，博世擁有高性能SiC ，但是因?yàn)镾iC的可靠性問題和一致性問題始終困擾著眾多研發(fā)人員，那么應(yīng)該如何更好的發(fā)揮SiC的性能呢？

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      三極管開關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電阻怎樣選？

      三極管開關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電阻怎樣選？ 三極管開關(guān)電路是一種常見的電路設(shè)計(jì)，常用于電子器件的驅(qū)動(dòng)和控制。在這種電路中，一個(gè)三極管被用作電子開關(guān)，通過控制其輸入信...

      2023-11-23 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電阻 1474 0

      怎么選擇三極管驅(qū)動(dòng)電阻

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      三極管是一種電流控制器件，可以作為無觸點(diǎn)開關(guān)，經(jīng)常被用于開關(guān)電路當(dāng)中，通過輸入信號來控制三極管的導(dǎo)通與斷開，進(jìn)而接通和切斷電路。

      2020-03-28 標(biāo)簽：三極管驅(qū)動(dòng)電阻 6784 0

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      　　L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。

      2012-04-10 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻 1.9萬 0

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