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標(biāo)簽 > 閃存技術(shù)
閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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EMMC存儲(chǔ)器應(yīng)用場(chǎng)景分析
EMMC存儲(chǔ)器概述 EMMC存儲(chǔ)器是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)卡,它集成了閃存芯片和控制器,提供了一種即插即用的存儲(chǔ)解決方案。與傳統(tǒng)的NAND閃存相...
隨著技術(shù)的發(fā)展,存儲(chǔ)設(shè)備也在不斷進(jìn)步。SSD和HDD是兩種常見(jiàn)的存儲(chǔ)解決方案,它們各自有著不同的優(yōu)勢(shì)和局限性。 SSD和HDD的區(qū)別 1. 速度 SSD...
2024-11-11 標(biāo)簽:SSD存儲(chǔ)設(shè)備閃存技術(shù) 961 0
Kioxia將于IEDM 2024揭曉新興存儲(chǔ)器技術(shù)
Kioxia Corporation,全球存儲(chǔ)器解決方案的領(lǐng)軍者,近日宣布其研究論文已成功入選IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)2024。這一盛會(huì)將于...
美光采用第九代TLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品量產(chǎn)
2024 年 7 月 31 日,美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開(kāi)始出...
美光第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開(kāi)始出貨
知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問(wèn)世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷...
德明利TWSC2985系列:支持4K LDPC技術(shù)的存儲(chǔ)芯片
該系列芯片支持ONFI 4.0接口協(xié)議,且向下兼容SDR、NV_DDR2、NV_DDR3等舊有模式,確保與現(xiàn)有存儲(chǔ)系統(tǒng)的無(wú)縫對(duì)接,有效降低用戶在設(shè)備升級(jí)...
2024-04-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)系統(tǒng)存儲(chǔ)芯片閃存技術(shù) 1154 0
三星電子即將開(kāi)啟290層V9 NAND芯片量產(chǎn)
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新預(yù)測(cè)顯示,盡管NAND閃存市場(chǎng)在2023年經(jīng)歷了下滑,但預(yù)計(jì)今年將迎來(lái)強(qiáng)勁反彈,增長(zhǎng)率高達(dá)38.1%。
FlashDB在運(yùn)行期間,如果發(fā)現(xiàn)存在壞塊flash會(huì)進(jìn)行隔離處理嗎?
FlashDB在運(yùn)行期間,如果發(fā)現(xiàn)存在壞塊flash會(huì)進(jìn)行隔離處理嗎? FlashDB是一種在運(yùn)行期間可以進(jìn)行壞塊隔離處理的數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)。在本文中,我將詳...
三星PCIe Gen5 SSD滿足大負(fù)荷企業(yè)級(jí)工作環(huán)境
? 隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、5G等技術(shù)的發(fā)展,數(shù)據(jù)計(jì)算和高效存儲(chǔ)的需求量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),能夠支持PCIe Gen5的設(shè)備將更加契合當(dāng)前數(shù)據(jù)中心及企業(yè)級(jí)應(yīng)用的需...
SGH世邁科技擴(kuò)充DuraFlash? 產(chǎn)品系列簡(jiǎn)介
全球?qū)I(yè)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)品牌SMART Modular世邁科技(NASDAQ: SGH)宣布擴(kuò)充旗下DuraFlash??ME2?SATA SS...
Pure Storage連續(xù)8年蟬聯(lián)Gartner“主存儲(chǔ)魔力象限”領(lǐng)導(dǎo)者地位
Pure Storage在Gartner“主存儲(chǔ)關(guān)鍵能力”報(bào)告中的“容器”使用場(chǎng)景中拿下第一。
2021-10-26 標(biāo)簽:閃存技術(shù) 1893 0
西部數(shù)據(jù)以創(chuàng)新閃存技術(shù)賦能5G智能手機(jī)新體驗(yàn)
51CTO 張誠(chéng) 今天,隨著智能手機(jī)應(yīng)用與數(shù)據(jù)量的高速增長(zhǎng),用戶對(duì)于閃存存儲(chǔ)的性能和容量要求越來(lái)越高。芯片制程、架構(gòu)和算力算法的精進(jìn)也讓嵌入式存儲(chǔ)器在性...
2021-08-26 標(biāo)簽:閃存技術(shù)西部數(shù)據(jù) 1294 0
eMMC模塊因?yàn)槭且訬AND閃存技術(shù)為基礎(chǔ)而具有預(yù)定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除(P/E)周期,即使公司最初按照這些規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì),他們也必須預(yù)見(jiàn)...
vivo X60系列搭載滿血版的UFS 3.1閃存技術(shù),順序讀取達(dá)1900MB/s±
據(jù)此前消息,vivo將于明日(12月29日)正式發(fā)布全新的vivo X60系列手機(jī)。根據(jù)博主@數(shù)碼閑聊站的最新爆料,該系列將搭載滿血版的UFS 3.1閃...
手機(jī)混用閃存是真是假?三招教你查手機(jī)閃存型號(hào)
[PConline 技巧]最近,網(wǎng)上傳言某手機(jī)混用閃存,將UFS 3.0和UFS 3.1的閃存混用在了同一型號(hào)的機(jī)器上,買不同容量的手機(jī),閃存協(xié)議不一樣...
閃存體系結(jié)構(gòu)包括堆疊有大量閃存單元的存儲(chǔ)陣列?;镜拈W存單元由具有控制柵和浮柵的存儲(chǔ)晶體管組成,浮柵通過(guò)薄介電材料或氧化物層與晶體管的其余部分絕緣。浮柵...
藤尾增岡博士(Fujio Masuoka)博士在1980年代為東芝工作時(shí)就以閃存的發(fā)明而著稱。據(jù)報(bào)道,Masuoka的同事Shoji Ariizumi創(chuàng)...
隨著3D NAND閃存技術(shù)的發(fā)展并投入使用,固態(tài)硬盤價(jià)格開(kāi)始回落,相較于機(jī)械硬盤的價(jià)格優(yōu)勢(shì)也越來(lái)越小,目前對(duì)于大部分用戶來(lái)說(shuō),在用于電腦存儲(chǔ)的設(shè)備的選擇...
人們需要了解企業(yè)級(jí)硬盤的最新發(fā)展趨勢(shì)、高性能存儲(chǔ)設(shè)備的應(yīng)用方式,以及底層NAND閃存技術(shù)進(jìn)步的影響。
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