裝置

用蝕刻法對(duì)金屬陶瓷薄膜進(jìn)行電阻修整

二極管射頻制備鉭硅金屬陶瓷薄膜的電學(xué)性能。研究了濺射和射頻。用氬氣對(duì)這些薄膜進(jìn)行濺射蝕刻。 可以看出，當(dāng)從鉭面積比超過(guò)50%的靶濺射時(shí)，鉭-二氧化硅金屬...

2022-02-25 標(biāo)簽：電阻裝置蝕刻 561 0

慣性測(cè)量單元(IMU)傳感器的應(yīng)用

隨著新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的加速演進(jìn)，5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施日趨完善，無(wú)人駕駛、無(wú)人機(jī)、VR/AR等終端應(yīng)用技術(shù)商業(yè)化規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，而連接新...

2022-02-21 標(biāo)簽：傳感器裝置IMU 1.1萬(wàn) 0

ANSVC無(wú)功補(bǔ)償裝置在高等院校中的應(yīng)用

摘要：隨著人們對(duì)電能質(zhì)量與治理日益增長(zhǎng)的需求，人們對(duì)電網(wǎng)電能治理的要求越來(lái)越高。對(duì)于高等院校來(lái)說(shuō)，想要安全穩(wěn)定的電網(wǎng)，就需要解決電網(wǎng)的電能治理問(wèn)題，對(duì)高...

2022-02-21 標(biāo)簽：電容器設(shè)備裝置 1301 0

匯川經(jīng)緯軌道全新一代永磁同步牽引系統(tǒng)解決方案

依托蘇州地鐵3號(hào)線項(xiàng)目，匯川經(jīng)緯軌道研發(fā)的全新一代永磁同步牽引系統(tǒng)，已在蘇州市軌道交通3號(hào)線0345車運(yùn)營(yíng)超過(guò)9萬(wàn)公里，經(jīng)過(guò)一年多的節(jié)能驗(yàn)證試驗(yàn)，034...

2022-02-19 標(biāo)簽：裝置永磁電機(jī)地鐵 3032 0

碳化硅和二氧化硅之間穩(wěn)定性的刻蝕選擇性

磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來(lái)蝕刻對(duì)二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4，同...

2022-02-15 標(biāo)簽：裝置碳化硅刻蝕 3298 0

電氣防火限流式保護(hù)器在火災(zāi)預(yù)防中的應(yīng)用

近年來(lái)，電氣火災(zāi)事故時(shí)有發(fā)生，尤其人員密集場(chǎng)所發(fā)生的電氣火災(zāi)，不僅會(huì)造成重大人員傷亡和財(cái)產(chǎn)損失，而且還會(huì)影響社會(huì)的和諧穩(wěn)定。電氣火災(zāi)事故的發(fā)生，主要是由...

2022-02-11 標(biāo)簽：電阻保護(hù)器裝置 505 0

MOSFET概述/分類/結(jié)構(gòu)/工作原理

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)...

2022-02-10 標(biāo)簽：MOSFET晶體管裝置 1.4萬(wàn) 0

微機(jī)保護(hù)裝置在廣州中山大學(xué)附屬醫(yī)院應(yīng)用

目前，微機(jī)保護(hù)裝置廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)中，該類裝置能夠監(jiān)測(cè)電力系統(tǒng)的運(yùn)行狀況，并實(shí)時(shí)記錄電力系統(tǒng)出現(xiàn)故障的位置及性質(zhì)，從而為故障的快速處理提供參考信息。本...

2022-02-10 標(biāo)簽：變壓器電力裝置 1113 0

HS6601L集成電路的特征及應(yīng)用領(lǐng)域

HS6601L是一款具有高性能的傳感信號(hào)處理集成電路,內(nèi)置LDO，可以給PIR傳感器探頭供電。它配以熱釋電紅外傳感器和極少量外接元器件構(gòu)成被動(dòng)式的熱釋電...

2022-02-08 標(biāo)簽：傳感器集成電路裝置 6403 0

HS6601H是一款具有高性能的傳感信號(hào)處理集成電路

HS6601H 是一款具有高性能的傳感信號(hào)處理集成電路,內(nèi)置輸出3.3V的高壓LDO，可以給 PIR 傳感器探頭供電。它配以熱釋電紅外傳感器和極少量外接...

2022-02-08 標(biāo)簽：傳感器集成電路裝置 4386 0