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標簽 > 襯底
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5G、AI、汽車加持,半導(dǎo)體用量驟增,聽聽材料廠商怎么說
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)5G、人工智能以及能源效率對半導(dǎo)體芯片的需求增長已經(jīng)是趨勢,現(xiàn)時出現(xiàn)的芯片缺貨現(xiàn)象也離不開這些新興應(yīng)用需求的影響。追溯到芯...
2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進展神速,同時三安和天...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,襯底是價值量最大的部分,在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50%,相比之下,硅基半導(dǎo)體器件的成本構(gòu)成...
2024-01-21 標簽:襯底碳化硅第三代半導(dǎo)體 2735 0
Soitec成立30年,優(yōu)化襯底煥發(fā)新生,迎通信、汽車、智能設(shè)備強勁增長
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)襯底是具有特定晶面和適當(dāng)電學(xué),光學(xué)和機械特性的用于生長外延層的潔凈單晶薄片。法國Soitec公司就是設(shè)計和生產(chǎn)優(yōu)化襯底的半...
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、...
江蘇丹陽延陵鎮(zhèn)與博藍特半導(dǎo)體達成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作
在這次考察中,考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預(yù)算高達十億元人民幣,其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬片六至...
二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù)
二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級計算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對稱性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生...
碳化硅賽道持續(xù)火熱 三安光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200億
碳化硅賽道持續(xù)火熱 三安光電聯(lián)合ST加大碳化硅賽道投資超200億 在新能源汽車、充電樁、光伏發(fā)電、高壓輸電市場如火如荼之際,三安光電正持續(xù)加大投入;這次...
中微投資!芯元基Micro LED印章巨量轉(zhuǎn)移重大突破
芯元基由行業(yè)資深專家郝茂盛博士于2014年創(chuàng)辦,上海創(chuàng)徒、張江科投、中微半導(dǎo)體等先后進行了投資,并在上海臨港建設(shè)了中試生產(chǎn)線。經(jīng)過5年多的潛心研發(fā),芯元...
據(jù)專利概述內(nèi)容顯示,此項專利屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。其設(shè)計是由襯底、有源層、波導(dǎo)層及緩沖結(jié)構(gòu)疊加組成。其中,有源層介于襯底與波導(dǎo)層之間,波導(dǎo)層為脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu),...
合肥世紀金芯簽下2億美元SiC襯底片大單,產(chǎn)能將大幅提升
據(jù)了解,世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破,成功開發(fā)出可重復(fù)生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術(shù)。
超芯星完成數(shù)億元C輪融資,助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升
自2019年4月在江蘇南京建立以來,超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國際...
ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)
雙方同意對Soitec技術(shù)進行產(chǎn)前驗證, 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車電動化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標 意法半導(dǎo)體...
2022-12-08 標簽:ST意法半導(dǎo)體襯底 808 0
碳化硅龍頭優(yōu)勢擴大,預(yù)計24年襯底維持供不應(yīng)求
23Q3,9家碳化硅器件廠商實現(xiàn)營收/凈利潤180億元/16億元,同比+13%/-35%,環(huán)比+0.3%/-11%。行業(yè)整體毛利率環(huán)比下降0.44pct...
該專利提出了一種全新的封裝結(jié)構(gòu),由第一芯片搭配第一混合鍵合結(jié)構(gòu)制成。這種結(jié)構(gòu)能有效地連接不同芯片,提升芯片間信號傳輸性能。具體而言,混合鍵合結(jié)構(gòu)包含第一...
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性,最近受到了先進技術(shù)節(jié)點的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS...
華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布
此項發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層,并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極;同時,在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層,并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。
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