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標(biāo)簽 > 襯底
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一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進(jìn)的熱處理技術(shù),通過(guò)局部高溫作用,能夠修復(fù)碳化硅襯底中的晶格缺陷,提高晶體質(zhì)量,優(yōu)化摻雜元素...
薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯...
碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理 在自然界中,晶體不勝枚舉,其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見(jiàn)的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體;此外,半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...
電子科技領(lǐng)域中,半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來(lái)越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯...
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切...
研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告
摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃...
GaN襯底制造過(guò)程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報(bào)告
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性,已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器(發(fā)光二極管和二極管激光器)和探測(cè)器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體,以及高功率和高溫電子器件。...
蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)...
2022-01-12 標(biāo)簽:InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 1972 0
最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。
光刻膠中金屬雜質(zhì)對(duì)硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析
應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評(píng)估了兩個(gè)重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類(lèi)型(...
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