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標簽 > 襯底
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一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進的熱處理技術(shù),通過局部高溫作用,能夠修復碳化硅襯底中的晶格缺陷,提高晶體質(zhì)量,優(yōu)化摻雜元素...
薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導體多晶硅、金屬銅等。從半導體芯...
電子科技領(lǐng)域中,半導體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對半導體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細介紹半導體襯...
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切...
類別:半導體技術(shù)論文 2011-11-22 標簽:集成電路半導體襯底 693 0
可控硅保護器件制作方法與應(yīng)用——錯位觸發(fā)原理詳解
該項技術(shù)創(chuàng)新結(jié)合了至少一個插指單元,每個單元的核心組件包括:襯底及在襯底一表面上生成的外延層;第一N型阱區(qū)和P型阱區(qū),分別在外延層內(nèi)形成;第一N+區(qū)和第...
合肥世紀金芯簽下2億美元SiC襯底片大單,產(chǎn)能將大幅提升
據(jù)了解,世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破,成功開發(fā)出可重復生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術(shù)。
華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布
此項發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層,并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極;同時,在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層,并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,襯底是價值量最大的部分,在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50%,相比之下,硅基半導體器件的成本構(gòu)成...
江蘇丹陽延陵鎮(zhèn)與博藍特半導體達成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作
在這次考察中,考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預算高達十億元人民幣,其中包括兩年內(nèi)生產(chǎn) 25 萬片六至...
2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進展神速,同時三安和天...
該專利提出了一種全新的封裝結(jié)構(gòu),由第一芯片搭配第一混合鍵合結(jié)構(gòu)制成。這種結(jié)構(gòu)能有效地連接不同芯片,提升芯片間信號傳輸性能。具體而言,混合鍵合結(jié)構(gòu)包含第一...
超芯星完成數(shù)億元C輪融資,助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升
自2019年4月在江蘇南京建立以來,超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國際...
據(jù)專利概述內(nèi)容顯示,此項專利屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。其設(shè)計是由襯底、有源層、波導層及緩沖結(jié)構(gòu)疊加組成。其中,有源層介于襯底與波導層之間,波導層為脊波導結(jié)構(gòu),...
中微投資!芯元基Micro LED印章巨量轉(zhuǎn)移重大突破
芯元基由行業(yè)資深專家郝茂盛博士于2014年創(chuàng)辦,上海創(chuàng)徒、張江科投、中微半導體等先后進行了投資,并在上海臨港建設(shè)了中試生產(chǎn)線。經(jīng)過5年多的潛心研發(fā),芯元...
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