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標(biāo)簽 > 襯底
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薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎ...
電子科技領(lǐng)域中,半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇...
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來...
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化...
研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告
摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃...
蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(...
2022-01-12 標(biāo)簽:InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 2351 0
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-22 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體襯底 746 0
三安意法重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目正式通線 將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)
2月27日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xià...
可控硅保護(hù)器件制作方法與應(yīng)用——錯(cuò)位觸發(fā)原理詳解
該項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新結(jié)合了至少一個(gè)插指單元,每個(gè)單元的核心組件包括:襯底及在襯底一表面上生成的外延層;第一N型阱區(qū)和P型阱區(...
合肥世紀(jì)金芯簽下2億美元SiC襯底片大單,產(chǎn)能將大幅提升
據(jù)了解,世紀(jì)金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破,成功開發(fā)出可重復(fù)生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單...
華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布
此項(xiàng)發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層,并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極;同時(shí),在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層,并...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,襯底是價(jià)值量最大的部分,在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50...
2024-01-21 標(biāo)簽:襯底碳化硅第三代半導(dǎo)體 3403 0
江蘇丹陽延陵鎮(zhèn)與博藍(lán)特半導(dǎo)體達(dá)成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作
在這次考察中,考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn),這筆交易總預(yù)算高達(d...
2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過去的2023年里,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取...
超芯星完成數(shù)億元C輪融資,助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升
自2019年4月在江蘇南京建立以來,超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(...
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