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全部技術(shù) 資訊資料帖子

襯底技術(shù)

淺談薄膜沉積

薄膜沉積工藝技術(shù)介紹薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎ...

2024-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝襯底 2964 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導(dǎo...

2024-08-03 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 4127 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇...

2024-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 2457 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 4982 0

一文詳解襯底偏壓技術(shù)

隨著集成電路工藝尺寸的不斷降低，靜態(tài)功耗在總功耗中所占的比例越來越大，甚至是主要位置（65nm工藝下，某些情況下靜態(tài)功耗占總功耗的50%）。在實(shí)際的電...

2023-01-19 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 工藝 9672 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

摘要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化...

2023-01-11 標(biāo)簽：單晶襯底加工技術(shù) 2237 0

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻襯底 1452 0

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽：晶圓襯底鍍膜 2100 0

GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報(bào)告

氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體...

2022-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵 CMP GaN 3953 0

蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究

引言本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(...

2022-01-12 標(biāo)簽：InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 2351 0

襯底帖子

請(qǐng)問襯底的缺陷密度對(duì)結(jié)深有什么影響？

標(biāo)簽：襯底 2029 0

襯底資料下載

具有帶有阻擋層的半導(dǎo)體襯底的集成電路立即下載

類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-22 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體襯底 746 0

負(fù)偏壓增強(qiáng)金剛石膜與襯底結(jié)合強(qiáng)度的理論研究立即下載

類別：納米材料論文 2009-05-16 標(biāo)簽：金剛石膜襯底結(jié)合 1050 0

襯底資訊

三安意法重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目正式通線將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)

2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xià...

2025-02-27 標(biāo)簽：晶圓襯底碳化硅 2108 0

可控硅保護(hù)器件制作方法與應(yīng)用——錯(cuò)位觸發(fā)原理詳解

該項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新結(jié)合了至少一個(gè)插指單元，每個(gè)單元的核心組件包括：襯底及在襯底一表面上生成的外延層；第一N型阱區(qū)和P型阱區(...

2024-05-20 標(biāo)簽：可控硅保護(hù)器件襯底 740 0

合肥世紀(jì)金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產(chǎn)能將大幅提升

據(jù)了解，世紀(jì)金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破，成功開發(fā)出可重復(fù)生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單...

2024-04-23 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 1695 0

華潤微電子（重慶）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布

此項(xiàng)發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層，并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極；同時(shí)，在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層，并...

2024-04-13 標(biāo)簽：GaN 襯底華潤微電子 889 0

碳化硅降本關(guān)鍵：晶體制備技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底是價(jià)值量最大的部分，在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50...

2024-01-21 標(biāo)簽：襯底碳化硅第三代半導(dǎo)體 3403 0

江蘇丹陽延陵鎮(zhèn)與博藍(lán)特半導(dǎo)體達(dá)成碳化硅襯底布局戰(zhàn)略合作

在這次考察中，考察團(tuán)主要針對(duì)博藍(lán)特公司計(jì)劃將其第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目引入到延陵鎮(zhèn)，這筆交易總預(yù)算高達(d...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 2559 0

2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取...

2024-01-08 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 4468 0

華為新增多條芯片封裝專利信息

該專利提出了一種全新的封裝結(jié)構(gòu)，由第一芯片搭配第一混合鍵合結(jié)構(gòu)制成。這種結(jié)構(gòu)能有效地連接不同芯片，提升芯片間信號(hào)傳輸性能...

2023-12-21 標(biāo)簽：芯片封裝襯底 899 0

超芯星完成數(shù)億元C輪融資，助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升

自2019年4月在江蘇南京建立以來，超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士，他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(...

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 1280 0

華為一種裸芯片、芯片和電子元件專利獲得授權(quán)

據(jù)專利概述內(nèi)容顯示，此項(xiàng)專利屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)是由襯底、有源層、波導(dǎo)層及緩沖結(jié)構(...

2023-12-11 標(biāo)簽：華為波導(dǎo)微電子 1475 0

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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半導(dǎo)體工藝

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直流無刷電機(jī)

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無刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無刷電機(jī)是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說話人識(shí)別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
零序

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直流電壓

直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
ATmega16單片機(jī)

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緩沖電路

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LPC2368

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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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