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標簽 > 藍箭電子
佛山市藍箭電子股份有限公司是廣東省高新技術企業(yè),國內半導體器件專業(yè)研發(fā)制造商。公司前身是佛山市無線電四廠,創(chuàng)建于七十年代初。 1998年轉制成有限責任公司,2012年股改為佛山市藍箭電子股份有限公司。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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DTA144EKA | 晶體管類型:1個PNP-預偏置;功率(Pd):200mW;集電極電流(Ic):100mA;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極截止電流(Icbo):-;集射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小輸入電壓(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,300mV;最大輸入電壓(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;輸出電壓(VO(on)@Io/Ii):100mV@10mA,500uA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):-;輸入電阻:47 |
獲取價格
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DTA143ZKA | 晶體管類型:1個PNP-預偏置;功率(Pd):200mW;集電極電流(Ic):100mA;集射極擊穿電壓(Vceo):50V; |
獲取價格
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2SD965T | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征頻率(fT):150MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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8550-C | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,80mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征頻率(fT):200MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SC945-P | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征頻率(fT):250MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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TL431-A | 電壓基準類型:并聯;輸出類型:可調;輸入電壓:37V;輸出電壓:36V;輸出電流:-;精度:-;溫度系數:-;靜態(tài)電流:-;最小陰極電流調節(jié):80uA;噪聲(0.1Hz-10Hz):-;噪聲(10Hz-10kHz):-;動態(tài)阻抗:150mΩ;工作溫度:-40℃~+125℃@(Ta); |
獲取價格
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2SC380TM-Y | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):300mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@10mA,1mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,12V;特征頻率(fT):400MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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BRCD3408 |
獲取價格
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BRCL3130BME |
獲取價格
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BR50N06 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):50A;功率(Pd):120W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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BR13N50 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):500V;連續(xù)漏極電流(Id):13A;功率(Pd):195W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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BR40P03 | 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):40A;功率(Pd):80W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,24A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
獲取價格
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BRCS3205RA | 漏源電壓(Vdss):55V;連續(xù)漏極電流(Id):110A;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ 10V,90A;功率(Pd):200W;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V 250μA;類型:N溝道; |
獲取價格
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2SB649A-C | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):10uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征頻率(fT):140MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SB1261-M | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):10uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,150mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@600mA,2V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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BRD50N06 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):50A;功率(Pd):85W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價格
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LV10T100D | 直流反向耐壓(Vr):100V;平均整流電流(Io):10A;正向壓降(Vf):650mV@10A; |
獲取價格
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MBRD10100CT | 二極管配置:1對共陰極;直流反向耐壓(Vr):100V;平均整流電流(Io):5A;正向壓降(Vf):850mV@5A;反向電流(Ir):10uA@100V; |
獲取價格
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MBRD1040 | 直流反向耐壓(Vr):45V;平均整流電流(Io):10A;正向壓降(Vf):510mV@10A; |
獲取價格
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BZT52C15 |
獲取價格
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BZT52C22 |
獲取價格
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BZT52C18 |
獲取價格
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DW01B |
獲取價格
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KTA1666-Y | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征頻率(fT):120MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SB1132-Q | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):32V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):500nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,3V;特征頻率(fT):150MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2SC4672-Q | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@1A,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征頻率(fT):210MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MMBTA94T | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):400V;集電極電流(Ic):300mA;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,10V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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BR4953D-E | MOSFETs SOP-8 P-通道 20V 3A |
獲取價格
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2SD965 | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征頻率(fT):150MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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9015-C | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):450mW;集電極截止電流(Icbo):50nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V;特征頻率(fT):190MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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