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      標簽　>　英飛凌

      英飛凌

      英飛凌

      廠商產品 +關注64人關注

      英飛凌作為半導體與系統(tǒng)解決方案行業(yè)領先者，提供微處理器,LED驅動,傳感器以及汽車用集成電路與功率管理芯片等產品。

      文章：2035個 瀏覽：138722次 帖子：214個

      英飛凌數據手冊

      型號 描述 數據手冊 參考價格
      IPP040N08NF2S
      IGP30N60H3 IGBT類型:溝槽場截止;功率(Pd):187W;集射極擊穿電壓(Vces):600V;集電極電流(Ic):60A;
      IPA60R650CE 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      IPA029N06NM5S 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;
      IPP60R180P7 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      IPA041N04N G 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      IPA80R1K4P7 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      IRFBE30PBF 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):800V;連續(xù)漏極電流(Id):4.1A;功率(Pd):125W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,2.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
      IRF820PBF 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):500V;連續(xù)漏極電流(Id):2.5A;功率(Pd):50W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,1.5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
      IRF9Z34N 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):55V;連續(xù)漏極電流(Id):19A;功率(Pd):68W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
      IRFBC40PBF 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):6.2A;功率(Pd):125W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.7A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA;
      SPP21N50C3 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):500V;連續(xù)漏極電流(Id):21A;功率(Pd):208W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,13.1A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.9V@1mA;
      IPP041N04N G 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):40V;連續(xù)漏極電流(Id):80A;功率(Pd):94W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,80A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@45uA;
      IPP072N10N3 G 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):80A;功率(Pd):150W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA;
      IPP040N06N 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):90A;功率(Pd):188W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,90A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@90uA;
      IPP024N06N3 G 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):120A;功率(Pd):250W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,100A;
      IPP015N04N G Mosfet, N Channel, 40V, 120A, To-220-3; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
      IPP90R340C3 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):900V;連續(xù)漏極電流(Id):15A;功率(Pd):208W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,9.2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@1mA;
      BSS816NWH6327 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):1.4A;功率(Pd):500mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@2.5V,1.4A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):750mV@3.7uA;
      BSS84PWH6327 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):150mA;功率(Pd):300mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@10V,150mA;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2V@20uA;
      IPD090N03L G Mosfet, N Channel, 30V, 40A, To-252; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.2V Rohs Compliant: Yes
      IKD06N60RA
      IPD50R1K4CE 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      IPD600N25N3 G 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):250V;連續(xù)漏極電流(Id):25A;功率(Pd):136W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,25A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@90uA;
      IPD65R400CE 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續(xù)漏極電流(Id):15.1A;功率(Pd):118W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,3.2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@320uA;
      IPD60R650CE 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      IPD60R800CE 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      IPD80R2K4P7 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續(xù)漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-;
      IPD60R180P7 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):18A;功率(Pd):72W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5.6A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@280uA;
      BAR 64-05W H6433 二極管 - 射頻 PIN - 1 對共陰極 150V 100 mA 250 mW PG-SOT323

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