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肖特基勢壘二極管

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　　肖特基勢壘二極管，又稱熱載流子二極管。利用金屬-半導體（M-S）接觸特性制成，有點接觸型和面結(jié)合型兩種管芯結(jié)構。

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肖特基勢壘二極管技術

支持電子設備進一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢壘二極管

ROHM第5代平面肖特基勢壘二極管的效率比上一代產(chǎn)品又提高了25%，有助于進一步提高開關電源的效率。

2024-08-09 標簽：電子設備 Rohm 肖特基勢壘二極管 1.4萬 0

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢分析

碳化硅半導體一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶...

2021-06-15 標簽：碳化硅肖特基勢壘二極管 9900 0

什么是肖特基勢壘二極管？可以在任何地方使用嗎

肖特基勢壘二極管是一種利用稱為肖特基勢壘的現(xiàn)象的二極管，其中當半導體和金屬接合時，電流僅沿一個方向流動。由于其結(jié)構不同于一般二極管的P型/N型半導體制成...

2022-03-30 標簽：肖特基二極管肖特基勢壘肖特基勢壘二極管 7666 0

6種二極管的特性分析

整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進行整流的二極管。整流的主要目的是將交流轉(zhuǎn)換為直流，其具有高電壓、高電流...

2023-11-28 標簽：二極管半導體整流二極管 1958 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBD SiC GaN 1480 0

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢

關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。

2023-02-08 標簽：SBD SiC 肖特基勢壘二極管 1469 0

一種基于全HVPE生長的垂直GaN肖特基勢壘二極管

近日，由深圳大學和深圳信息職業(yè)技術學院組成的科研團隊，研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...

2023-06-13 標簽：二極管功率器件 GaN 1388 0

SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖...

2023-02-08 標簽：二極管 SBD SiC 999 0

肖特基勢壘二極管的特征介紹

再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關特征和應用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之...

2023-02-09 標簽：二極管 SBD 肖特基勢壘二極管 965 0

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構與Si肖特...

2023-02-08 標簽：二極管 PND SBD 876 0

在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前...

2023-02-13 標簽：二極管功率二極管 SiC 743 0

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。

2023-02-08 標簽：二極管 SBD SiC 702 0

SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構與Si肖特...

2023-07-18 標簽：變壓器 SBD SiC 610 0

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